公开(公告)号：CN111366838A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010181009.2

申请日：2020-03-16

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 莫申扬 ,  范腾飞 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开一种浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，包括底板、腔壁、腔盖、柱电极和施压机构，腔壁密封安装在底板上，芯片放置在底板上并通过底板端子引出电极信号，腔壁内灌注有制冷剂；腔壁的顶部安装有腔盖，柱电极的底端端穿过腔盖上的密封帽处并伸入腔壁内用于压紧芯片，柱电极通过柱电极端子引出芯片的电极信号；施压机构用于对柱电极进行施压。本发明中的浸没冷却环境下的功率器件特性测试腔，实现了浸没式相变冷却功率电力电子器件的可靠测试方案，用于对制冷剂浸没下的芯片及其子模组开展GB/T 29332-2012规定的相关电气特性测试，以获取器件的运行特性，评估器件在浸没式冷却工况下的品质、性能与寿命。

公开(公告)号：CN110133472B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910481839.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 顾妙松 ,  范迦羽 ,  崔翔 ,  唐新灵 ,  彭程 ,  李学宝 ,  李金元 ,  赵志斌

IPC: G01R31/265 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。

公开(公告)号：CN111063679A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN202010008671.8

申请日：2020-01-06

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 赵斌 ,  柯俊吉 ,  张浩然 ,  赵志斌

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。

公开(公告)号：CN105552037B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201510960380.8

申请日：2015-12-18

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司 ,  华北电力大学

Inventor： 刘文广 ,  张朋 ,  李金元 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  唐新灵

IPC: H01L23/10 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

公开(公告)号：CN109752638A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910084809.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 彭程 ,  顾妙松 ,  杨艺烜 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  李学宝 ,  唐新灵

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。

公开(公告)号：CN107181399B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710563804.6

申请日：2017-07-12

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 柯俊吉 ,  谢宗奎 ,  张希蔚 ,  徐鹏 ,  赵志斌 ,  崔翔

IPC: H02M1/34

Abstract: 本发明公开了一种新型直流母排。所述直流母排包括：吸收电容、储能电容、正极、负极、绝缘层；多个所述储能电容的排放位置呈环形结构，多个所述储能电容并联在一起；所述正极与所述储能电容的一端相连接；所述储能电容的另一端与所述负极相连接；所述绝缘层叠放在所述正极上；所述负极叠放在所述绝缘层上；多个所述吸收电容的排放位置也呈环形结构；所述吸收电容位于所述负极上；所述吸收电容用于降低寄生电感；多个所述吸收电容并联在一起；所述储能电容和所述吸收电容并联。采用本发明所提供的直流母排能够有效减小功率回路中的寄生电感，从而降低碳化硅功率器件在开关过程中的电压电流过冲，减小开关损耗，提升碳化硅功率器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN107768357A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201711053619.9

申请日：2017-10-31

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 赵志斌 ,  范思远 ,  倪筹帷 ,  崔翔

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种实现内部串联的功率器件。该功率器件包括从上到下依次设置的导电盖板、芯片、凸台和导电基板；凸台包括高压区凸台和低压区凸台；高压区凸台与导电盖板之间从上至下依次设置第一钼片、芯片、第二钼片、导电片和第一绝缘垫块；低压区凸台与导电盖板之间从上至下依次设置第二绝缘垫块、导电片、第三钼片、芯片和第四钼片；导电片的一端设置在第二钼片与第一绝缘垫块之间，导电片的另一端设置在第二绝缘垫块与第三钼片之间，实现高压区凸台上的芯片与低压区凸台上的芯片连接。因此，本发明提供的功率器件，实现了功率器件模块内部的芯片级串联，降低功率器件封装结构的体积和重量，降低了成本，提高了功率器件封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN107544005A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710591993.8

申请日：2017-07-19

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

Inventor： 付鹏宇 ,  金锐 ,  文腾 ,  王浩宇 ,  李立 ,  赵志斌

IPC: G01R31/12

Abstract: 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。

公开(公告)号：CN105911447A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610258361.5

申请日：2016-04-22

Applicant: 全球能源互联网研究院 ,  国网浙江省电力公司 ,  华北电力大学

Inventor： 邓二平 ,  张朋 ,  赵志斌 ,  黄永章

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04

CPC classification number: G01R31/2601 ,  G01R1/0425

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数与结温的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线；对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数；对照积分结构函数和微分结构函数，求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成；在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板；在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置；本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差，测量结果真实可靠，测量方法简便高效。

公开(公告)号：CN103532072B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310421856.1

申请日：2013-09-16

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 张宏 ,  赵志斌 ,  王芳

IPC: H02G7/00

Abstract: 本发明公开了电子技术领域的一种应用磁环抑制输电线路无线电干扰的方法。其技术方案是：对所要设计高压输电线路或在运行输电线路，根据无线电干扰严重线路的运行电压、线路载流、导线参数、分布参数等线路参数和要抑制的无线电干扰频段，选择磁环的材质、尺寸规格、磁环个数，也可将不同材质和尺寸的磁环组成磁环组，将磁环或磁环组卡扣或嵌套固定在架空导线上，利用磁环在高频所表现出的阻抗吸收线路电晕放电所产生的电晕电流，从而降低无线电干扰。本发明成本低廉，对于无线电干扰有着良好的抑制作用；同时线路加装磁环对于居民正常生活的影响微小，具有领先的技术创新性和巨大的经济效益。