公开(公告)号：CN106206264A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510397107.9

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  洪继正 ,  陈俊光 ,  赖志明 ,  林焕哲 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  林纬良

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供了用于增加工艺裕度的鳍图案化方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上方形成多个第一间隔件。在每个第一间隔件的侧壁上沉积多个第二间隔件的第二间隔件。在一些实施例中，配置相邻第一间隔件之间的间距，使得形成在相邻第一间隔件的侧壁上的第二间隔件物理合并以形成合并的第二间隔件。可以执行第二间隔件切割工艺以选择性地去除至少一个第二间隔件。在一些实施例中，在每个第二间隔件的侧壁上形成多个第三间隔件的第三间隔件。可以执行第三间隔件切割工艺以选择性地去除至少一个第三间隔件。对衬底执行第一蚀刻工艺以形成鳍区域。多个第三间隔件在第一蚀刻工艺期间掩蔽部分衬底。

公开(公告)号：CN106057665A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510859123.5

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  洪继正 ,  陈俊光 ,  陈德芳 ,  刘如淦 ,  高蔡胜 ,  林纬良

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及结合不同图案材料的光学光刻技术。具体的，本发明提供一种用于图案化工件的技术，所述工件例如集成电路工件。在示范性实施例中，所述方法包含接收工件，所述工件具有设置在衬底上的材料层。第一组鳍形成在所述材料层上，并且第二组鳍形成在所述材料层上，穿插在所述第一组鳍之间。所述第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度。在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍。在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍。所述材料层被蚀刻以转移图案，所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。