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公开(公告)号：CN111384043B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201911358692.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113156578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110002382.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
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公开(公告)号：CN110676223B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910454567.9
申请日：2019-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L25/18 , H01L21/683
Abstract: 一种方法包括将多个功能管芯放置在载体上、将多个伪管芯放置在载体上，将多个功能管芯和多个伪管芯封装在密封剂中，以及在多个功能管芯上形成再分配线并使多个功能管芯互连。再分配线、多个功能管芯、多个伪管芯和密封剂组合形成重建晶圆。多个功能管芯位于重建晶圆的中心区域中，且多个伪管芯位于重建晶圆的外围区域中，同时外围区域环绕中心区域。重建晶圆从载体上脱粘。重建晶圆接合至封装组件，封装组件选自基本上由中介层、封装衬底、印刷电路板、热模块及其组合组成的群组。本发明的实施例还涉及用于减少封装件中的翘曲的伪管芯。本发明的实施例还涉及封装件和形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN109786267B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810609924.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/528
Abstract: 在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。
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公开(公告)号：CN109755192B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811292332.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/498
Abstract: 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508928A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010052914.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 一种封装装置包括封装。所述封装包括：多个管芯；包封体，包封所述多个管芯；以及重布线结构，位于所述多个管芯及包封体之上。所述封装装置还包括：第一插座，结合到重布线结构的顶表面；以及刚性/柔性衬底，结合到重布线结构的顶表面。所述刚性/柔性衬底包括：第一刚性部分；第二刚性部分；以及柔性部分，夹置在第一刚性部分与第二刚性部分之间。所述封装装置还包括：第二插座，结合到刚性/柔性衬底的第一刚性部分；以及连接件模块，结合到刚性/柔性衬底的第二刚性部分。
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公开(公告)号：CN111508920A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911015739.9
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/56 , H01L21/98
Abstract: 在实施例中，一种封装装置包括封装组件，所述封装组件包括：第一集成电路管芯；包封体，至少局部地环绕第一集成电路管芯；重布线结构，位于包封体上，所述重布线结构与第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合；第一模块插座，贴合到重布线结构；中介层，与第一模块插座相邻地贴合到重布线结构，所述中介层的最外界限延伸超出重布线结构的最外界限；以及外部连接件，贴合到中介层。
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公开(公告)号：CN111192858A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201910232291.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。
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公开(公告)号：CN109585404A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810141147.0
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 提供一种半导体封装，所述半导体封装包括第一装置封装，所述第一装置封装包括：第一重布线结构，包括第一重布线及第二重布线；管芯，位于第一重布线结构上；第一通孔，耦合到第一重布线的第一侧；第二通孔，耦合到第二重布线的第一侧且延伸穿过所述第二重布线；包封体，环绕管芯、第一通孔、及第二通孔；以及第二重布线结构，位于包封体之上，所述第二重布线结构电连接到管芯、第一通孔、及第二通孔。所述半导体封装还包括：第一导电连接件，耦合到第一重布线的第二侧，所述第一导电连接件沿与第一通孔的纵向轴线不同的轴线设置；第二导电连接件，耦合到第二重布线的第二侧，所述第二导电连接件沿第二通孔的纵向轴线设置。
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公开(公告)号：CN107665881A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610932622.7
申请日：2016-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H02J50/12
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括第一模塑层；第二模塑层，形成于所述第一模塑层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模塑层中的第一部分与连续形成于所述第二模塑层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置；以及第二导电线圈，形成于所述第二模塑层中。所述第二导电线圈与位于所述第二模塑层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织在一起。
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