公开(公告)号：CN100529968C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610140407.X

申请日：2006-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张世明 ,  夏振原 ,  王文娟 ,  吕启纶 ,  黄彦彬 ,  洪彰成 ,  陈嘉仁 ,  刘介中 ,  李信昌 ,  谢弘璋

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明是有关于一种用以监测图案尺寸的系统与方法，其是用于具有一透明层以及一非透明图案的物件，该透明层是裸露于该图案，该非透明图案是与该透明层层压。根据此方法，其是将一第一光束投射于该图案上。侦测一第二光束，该第二光束是该第一光束通过裸露于该图案的该透明层所产生，或是该第一光束由该图案的非透明层反射所产生。由测得的第二光束获得一预先设定属性的值。监测该值的变化，用以鉴别该图案的尺寸。此系统与方法是以替代的方案，借由计算在一监测区域内透射能量与反射能量的比例，来收集关于尺寸与相位的资讯。由于这些方案经久耐用且易于整合在一蚀刻室内，因此可以在一蚀刻制程中提供同步量测。

公开(公告)号：CN101047109A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710086947.9

申请日：2007-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪彰成 ,  谢弘璋 ,  张世明 ,  王文娟 ,  吕启纶 ,  夏振原 ,  黄彦彬

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/66 ,  G03F1/00 ,  G03F1/14

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明是有关于一种使用频谱检测的关键尺寸控制方法。本发明揭露一种图案化一基材的方法，至少包括形成一材料层于基材上；进行一第一蚀刻步骤于材料层上，以形成一图案；使用一光学频谱量测工具，量测材料层的图案：判别量测步骤是否指出第一蚀刻步骤达到一预先定义结果；以及若未达到预先定义结果，则产生一蚀刻配方，并利用此蚀刻配方，对材料层进行一第二蚀刻步骤。本发明使用光学关键尺寸量测工具，可以在一蚀刻制程后，量测图案化特征的关键尺寸与轮廓，并调整此蚀刻制程及/或其他蚀刻制程的蚀刻配方，非常适于实用。

公开(公告)号：CN1854889A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510114359.2

申请日：2005-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉仁 ,  李信昌 ,  秦圣基 ,  谢弘璋 ,  林本坚

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/38

Abstract: 本发明提供一种光罩制造系统与光罩制造方法该光罩制造系统包括至少一个曝光单元，用以选取一配方以供随后在一处理单元内执行的一烘烤程序使用，一缓冲单元耦合至该曝光单元以将该光罩的基板由该曝光单元移动至该后处理单元，而不会使该光罩的基板曝露至环境当中；以及该后处理单元是耦合至该缓冲单元与该曝光单元，并利用该曝光单元选取配方的相关烘烤参数，在该光罩的基板上执行一烘烤程序。本发明可避免发生于曝光程序和烘烤程序之间过度的时间延迟，且可降低微粒污染，亦能避免化学放大光致抗蚀剂遭受射线污染。