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公开(公告)号：CN105278257B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510312208.1
申请日：2015-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , H01J2237/31761 , H01J2237/31769 , H01L21/0277
Abstract: 本发明提供了IC方法的一个实施例。首先接收IC设计布局的多个模板的图案密度(PD)。然后从多个模板中识别高PD离群值模板和低PD离群值模板。将高PD离群值模板分离为模板的多个子集，并且模板的每个子集携带高PD离群值模板的PD的部分。对低PD离群值模板实施PD均匀性(PDU)优化以及通过使用相应的模板的子集实施多个单独的曝光工艺。本发明涉及制造集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN106019821A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510784303.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了电子束(e-束)光刻工艺的方法。该方法包括将衬底装载至电子束(e-束)系统，从而使得限定在衬底上的场的第一子集沿着第一方向排列在衬底上。该方法也包括定位多个电子束柱，多个电子束柱具有沿着第一方向排列的电子束柱的第一子集。将电子束柱的第一子集的电子束柱导向至场的第一子集的不同的场。该方法也包括以扫描模式实施第一曝光工艺，从而使得多个电子束柱沿着第一方向扫描衬底。本发明的实施例还涉及具有多个柱的电子束光刻工艺。
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公开(公告)号：CN105720052A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510535074.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/027 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70508 , G03F7/70291 , G03F7/70383 , H01J2237/31764 , H01L27/0207 , G06F17/5068 , H01L21/0274
Abstract: 本发明提供一种将设计形状转换成像素值的方法。该方法可用于控制对工件执行的直写或其他的光刻工艺。在示例性实施例中，该方法包括计算系统接收设计数据库，该设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件。计算系统还接收像素栅格。确定对应于部件的一组矩形，并且计算系统基于该组矩形确定与部件重叠的像素栅格的像素的面积。在一些这样的实施例中，基于与部件重叠的面积确定用于像素的光刻曝光强度，并且提供用于图案化工件的光刻曝光强度。本发明还提供了栅格化电路布局数据的系统及方法。
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公开(公告)号：CN103376669B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310125443.9
申请日：2013-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2059 , G03F7/70291 , G03F7/70625 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明提供一种网格加密方法，其中公开了用于以因子n(n＜1)减小临界尺寸(CD)光刻工艺的方法的一个实施例。该方法包括：提供具有第一像素面积S1的图案发生器以产生具有等于n2*S1的第二像素面积S2的数据网格，其中，图案发生器包括具有多个网格段的多段结构，网格段均包括第一组网格段和第二组网格段，第一组网格段均被配置为在第一方向具有偏移；以及在光刻工艺期间，在垂直于第一方向的第二方向上扫描图案发生器，使得第二组网格段均被控制为具有时延。
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公开(公告)号：CN104460236A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410305880.3
申请日：2014-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70275 , G03F7/70008 , G03F7/7015 , G03F7/70208 , G03F7/70358 , G03F7/70716 , G03F7/70725 , H01L21/682
Abstract: 本发明提供用于光刻的高生产量和小占位面积扫描曝光的系统和方法。一种光刻系统，其包括辐射源和曝光工具，曝光工具包括在第一方向上密集地封装的多个曝光柱。每个曝光柱都包括被配置成经过辐射源的曝光区域。该系统还包括：晶圆载体，被配置成固定并且沿着垂直于第一方向的第二方向移动一个或多个晶圆，使得一个或多个晶圆通过曝光工具曝光，以沿着第二方向形成图案。一个或多个晶圆覆盖有光刻胶层并且在晶圆载体上以第二方向对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103293870A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210387380.X
申请日：2012-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明涉及一种光刻处理中的数据准备的方法。该数据准备的方法包括：在图形数据库系统(GDS)网格中提供集成电路(IC)布局设计，通过对子像素曝光网格应用误差扩散和网格移位技术，将IC布局设计GDS网络转换为第二曝光网格。本发明还提供了一种误差扩散和网格移位的算法。
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公开(公告)号：CN115047731A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210871348.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻工艺方法，包括：形成一抗蚀剂层于一基板上；执行一第一曝光工艺以将一第一光罩的一第一子区域的一第一图案成像至一次场中的一抗蚀剂层；执行一第二曝光工艺以将第一光罩的一第二子区域的一第二图案成像至次场中的上述抗蚀剂层；以及执行一第三曝光工艺以将一第二光罩的第一子区域的一第三图案成像至次场中的抗蚀剂层。其中，第二图案以及第三图案与第一图案相同；以及第一曝光工艺、第二曝光工艺以及第三曝光工艺共同于次场中的抗蚀剂层上形成第一图案的一潜像。
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公开(公告)号：CN105720052B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510535074.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/027 , G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种将设计形状转换成像素值的方法。该方法可用于控制对工件执行的直写或其他的光刻工艺。在示例性实施例中，该方法包括计算系统接收设计数据库，该设计数据库指定具有四个以上的顶点的部件。计算系统还接收像素栅格。确定对应于部件的一组矩形，并且计算系统基于该组矩形确定与部件重叠的像素栅格的像素的面积。在一些这样的实施例中，基于与部件重叠的面积确定用于像素的光刻曝光强度，并且提供用于图案化工件的光刻曝光强度。本发明还提供了栅格化电路布局数据的系统及方法。
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公开(公告)号：CN103246171B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210452518.X
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/20 , G03F7/704 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , Y10S430/143
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括接收包括格上目标图案的集成电路(IC)布局。所述方法进一步包括接收多栅格结构。所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的许多曝光栅格段。所述方法进一步包括实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光在衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案。实施多栅格曝光包括：在第二方向上扫描具有多栅格结构的衬底使得在所述第一方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移，以及使用增量时间(Δt)使得在所述第二方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移。本发明还公开了多栅格曝光方法。
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公开(公告)号：CN103376670B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310126502.4
申请日：2013-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2059 , G03F7/70291 , G03F7/70625 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F17/5081
Abstract: 本发明提供了以系数n减小临界尺寸(CD)的光刻工艺的方法的一个实施例，其中，n＜1。该方法包括：提供具有第一像素尺寸S1的图案生成器，以产生具有第二像素尺寸S2(S2＜S1)的交替数据网格，其中，图案生成器包括被配置在第一方向上彼此偏移的多个网格段；以及在垂直于所述第一方向的第二方向上扫描图案生成器，使得网格段的每个后续段被控制，以相对于网格段的在先段，网格段的每个后续段具有一个时延。
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