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公开(公告)号：CN104656376B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410662211.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了远紫外线光刻(EUVL)的系统。该系统包括具有反射式相移光栅块(PhSGB)的掩模。该系统还包括照射装置以曝光掩模从而产生来自掩模的得到的反射光。得到的反射光主要包含衍射光。该系统还具有投影光学系统以收集并导向得到的反射光从而曝光目标。本发明还公开了远紫外线光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN105988306B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610011949.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70558
Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。
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公开(公告)号：CN104155846B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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公开(公告)号：CN104425368B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410006825.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第一介电层中形成具有金属宽度的金属沟槽。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
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公开(公告)号：CN104157565B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310682235.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e‑beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105988306A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610011949.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70558 , G03F7/2004
Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。
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公开(公告)号：CN105629656A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510843473.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后，从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后，将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载体分离。本发明实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105390377A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510530950.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/0279
Abstract: 本发明提供了一种图案化衬底的方法。该方法包括图案化形成在衬底上方的光刻胶层以生成光刻胶图案，以及利用离子束来处理该光刻胶图案。离子束由诸如CH4、SiH4、Ar或He的气体生成，并且该离子束以至少10°的倾斜角度被引导至光刻胶图案。在实施例中，离子束以一致的扭转角度或具有单峰或双峰分布的扭转角度被引导至光刻胶图案。离子束减小了光刻胶图案的线边缘粗糙度(LER)、线宽粗糙度(LWR)和/或临界尺寸。该方法还包括利用被处理的光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还提供了用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN104155844A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310705815.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76817 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/2004 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/3083 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN101566802A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136076.6
申请日：2009-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70383 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
Abstract: 本发明提供了一种直写曝光系统，包括载物台，用于支撑衬底并配置为在曝光期间沿轴扫描衬底，数据处理模块，用于处理构图数据并生成相关于构图数据的指令，以及曝光模块，包括聚焦在衬底上的多个光束，以使光束覆盖的宽度大于区域尺寸的宽度，以及光束控制器，其在衬底沿轴扫描时根据指令控制多个光束。所述宽度的方向与轴不同。
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