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公开(公告)号：CN114068681B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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公开(公告)号：CN117711924A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311730172.X
申请日：2023-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 一种在金刚石上制备低阻欧姆接触的方法及欧姆接触电极结构，本发明是为了解决难以在金刚石尤其是氧终端本征金刚石上制备欧姆接触的问题。制备低阻欧姆接触的方法：一、清洗；二、采用光刻工艺或掩膜工艺对清洗后的金刚石进行电极图案化处理；三、采用真空镀膜工艺依次在图案化处理的金刚石基底上沉积第一接触层、第二接触层和第三接触层；四、在惰性气体氛围中对沉积有电极的金刚石进行高温退火，其中步骤三中第一接触层的材质为ⅢB族到VⅢ族的过渡金属或硅。本发明使用过渡金属作为接触材料通过高温长时间退火在金刚石表面制备了低阻欧姆接触，制备的金属/半导体接触电阻率与势垒极低，极大提高了电接触的导电性能。
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公开(公告)号：CN116555907A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310479229.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
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公开(公告)号：CN115791403B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211576409.9
申请日：2022-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种用于法向加载薄板微拉伸试验装置的压头加载装置，其解决了现有压头不能进行微调，致使模具加工和安装误差导致压头表面与试样表面无法保证平行的技术问题，压头加载装置从左到右设有压头安装座、压头微调装置、压头支撑旋转装置、压头装置；压头装置设有压头容置座、压头，压头安装在压头容置座的右侧；压头装置分别通过压头微调装置、压头支撑旋转装置与压头安装座的压头容置座相连接，可广泛应用于薄板力学性能测试技术领域。
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公开(公告)号：CN116154019A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211104765.0
申请日：2022-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法，本发明要解决现有日盲紫外探测器件工作电压高、响应度低、可探测度低的问题。本发明日盲紫外探测器在掺硼金刚石衬底的上表面沉积有金刚石本征层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆电极，在金刚石本征层的上表面沉积氧化物介质层，在氧化物介质层上沉积金属电极作为肖特基电极；其中氧化物介质层为TiO2、ZrO2、Al2O3或者SiO2等。本发明氧化物改进的金刚石肖特基结界面的金刚石肖特基结，具有较高的开启电压，施加紫外光照后，光线使得器件提前开启，从而获得很高的光电流响应。同时具有高的光电流响应与低的暗电流，保证了器件的高可探测度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115791403A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211576409.9
申请日：2022-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种用于法向加载薄板微拉伸试验装置的压头加载装置，其解决了现有压头不能进行微调，致使模具加工和安装误差导致压头表面与试样表面无法保证平行的技术问题，压头加载装置从左到右设有压头安装座、压头微调装置、压头支撑旋转装置、压头装置；压头装置设有压头容置座、压头，压头安装在压头容置座的右侧；压头装置分别通过压头微调装置、压头支撑旋转装置与压头安装座的压头容置座相连接，可广泛应用于薄板力学性能测试技术领域。
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公开(公告)号：CN114605696B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210356731.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备方法，它涉及复合隔热气凝胶的制备方法。本发明要解决纯二氧化硅气凝胶无法同时兼具优异的隔热性能、力学性能、热稳定性能和疏水性的问题。制备方法：一、制备内部结构均一的羟基化芳纶纳米纤维水凝胶基体；二、在芳纶纳米纤维凝胶内部构建二氧化硅凝胶体系；三、两步干燥法制备二氧化硅/芳纶纳米纤维复合气凝胶。本发明用于二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备。
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公开(公告)号：CN114122422B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111158584.1
申请日：2021-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: H01M8/0245 , H01M8/1006
Abstract: 本申请提供了一种燃料电池双极板表面微结构的制备方法，其解决了现有金属双极板成形困难，且耐腐蚀性能和导电性能不理想的技术问题；包括：(1)将金属板进行表面电镀处理，获得表面形成钛或钛合金电镀层的金属板；(2)将步骤(1)进行碱热处理，在钛或钛合金表面接枝羟基；进行表面氨基化处理，使钛或钛合金表面带有氨基；(3)浸入氧化石墨烯溶液中，使表面形成一层氧化石墨烯层；(4)将金属板放到3D打印平台，进行3D打印；(5)进行水热处理，接枝到表面的氧化石墨烯还原并聚合成膜；(6)将浸入低分子量的环氧树脂溶液中，加入交联剂进行交联反应，干燥后获得燃料电池双极板。本申请广泛应用于电池电极技术领域。
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公开(公告)号：CN114605696A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210356731.4
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备方法，它涉及复合隔热气凝胶的制备方法。本发明要解决纯二氧化硅气凝胶无法同时兼具优异的隔热性能、力学性能、热稳定性能和疏水性的问题。制备方法：一、制备内部结构均一的羟基化芳纶纳米纤维水凝胶基体；二、在芳纶纳米纤维凝胶内部构建二氧化硅凝胶体系；三、两步干燥法制备二氧化硅/芳纶纳米纤维复合气凝胶。本发明用于二氧化硅/芳纶纳米纤维多功能复合隔热气凝胶的制备。
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公开(公告)号：CN108229010B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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