公开(公告)号：CN108701719A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012395.9

申请日：2017-02-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  中泽淳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置的制造方法包含：工序(C)，在栅极绝缘层上，形成多个薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(F)，在层间绝缘层，形成位于有源区域与多个端子部之间并且贯通层间绝缘层的开口部；以及工序(G)，在工序(F)之后，在层间绝缘层上形成上部导电部。在工序(C)中，在栅极绝缘层的位于有源区域与多个端子部之间的区域上形成保护层，保护层与氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成。在工序(F)中，开口部以与保护层重叠的方式形成。

公开(公告)号：CN104103668B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201410144456.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  片山雅博 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

公开(公告)号：CN107003576A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066473.4

申请日：2015-12-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 三宅敢 ,  神崎庸辅

IPC: G02F1/1337 ,  C08F20/10 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

Abstract: 提供通过防止由光配向处理造成的TFT特性劣化，来抑制显示不均的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是具有薄膜晶体管基板及液晶层的液晶显示装置，所述薄膜晶体管基板具有通道蚀刻结构的薄膜晶体管和配向膜；所述薄膜晶体管按顺序具有栅极、栅极绝缘膜、包含氧化物半导体的通道层、一对的源极和漏极；所述氧化物半导体含有铟、锡、锌以及氧；所述配向膜具有光官能团。

公开(公告)号：CN103403216B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280010763.3

申请日：2012-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 楠见崇嗣 ,  神崎庸辅

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02365 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T156/1082

Abstract: 本发明的目的在于提供能够得到特性良好的膜的溅射靶。溅射靶(100)包括：包含IGZO的多个靶材(10)；包含Cu等的背板(20)；和包含In等的结合件(30)。多个靶材(10)和背板(20)通过结合件(30)接合。在各靶材(10)的表面设置有长度(L2)、宽度(W3)、深度(D1)的槽(40)。该槽(40)与相互相邻的靶材(10)彼此间的接缝(15)平行地设置在接缝(15)的附近(与接缝(15)相距距离(W2)的位置)。槽(40)的宽度(W3)和从接缝(15)到槽(40)的距离(W2)与靶材(10)的上下边的长度(L1)相比足够小。

公开(公告)号：CN103262250B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN103545318A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN103477441A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280019248.1

申请日：2012-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。

公开(公告)号：CN103403216A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010763.3

申请日：2012-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 楠见崇嗣 ,  神崎庸辅

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L21/02365 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869 ,  Y10T156/1082

Abstract: 本发明的目的在于提供能够得到特性良好的膜的溅射靶。溅射靶(100)包括：包含IGZO的多个靶材(10)；包含Cu等的背板(20)；和包含In等的结合件(30)。多个靶材(10)和背板(20)通过结合件(30)接合。在各靶材(10)的表面设置有长度(L2)、宽度(W3)、深度(D1)的槽(40)。该槽(40)与相互相邻的靶材(10)彼此间的接缝(15)平行地设置在接缝(15)的附近(与接缝(15)相距距离(W2)的位置)。槽(40)的宽度(W3)和从接缝(15)到槽(40)的距离(W2)与靶材(10)的上下边的长度(L1)相比足够小。

公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN101558685B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200780044986.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  锦博彦 ,  冈部达

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明提供一种单色EL显示元件、单色EL背光源、显示装置和单色EL显示元件的制造方法。单色EL显示元件包括：基板；设置在基板上的多根信号线；多个像素电极，其分别通过连接配线与对应的上述多根信号线的一个电连接，作为整体构成矩阵，并且互相分离设置；和设置在上述多个像素电极上的单色EL层。