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公开(公告)号：CN100426460C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200410102204.2
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先，对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜，照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着，对曝光的抗蚀膜进行显影，从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着，在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后，在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着，加热水溶性膜，使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应，随后，通过除去水溶性膜的未反应部分，从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。
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公开(公告)号：CN100349981C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410033575.X
申请日：2004-04-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式RnSi(OR’)4-n表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。
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公开(公告)号：CN1295750C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200310120571.0
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03G13/283 , G03F7/2041 , G03G13/286 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于：使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后，在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。
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公开(公告)号：CN1285100C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200310120570.6
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/2041
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，其目的在于：使通过浸渍光刻所得到的抗蚀图案的形状良好。由化学放大型抗蚀材料形成抗蚀膜102以后，再在含有碱性化合物的浸渍溶液103供到抗蚀膜102上的状态下，用曝光光104有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。若对已经进行了图案曝光的抗蚀膜102进行了后烘烤(post bake)以后，再通过碱性显像液进行显像，就能由抗蚀膜102的未曝光部分102b得到形状良好的抗蚀图案105。
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公开(公告)号：CN1828425A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006772.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/201 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 一种图案形成方法，首先形成碱溶性聚合物中由保护基保护起来的聚合物比例在50％以上的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)。然后对抗蚀膜(11)照射NA为0.92的KrF准分子激光(12)(含有对于抗蚀膜(11)以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光)，进行图案曝光之后，利用碱性显影液显影，从而形成抗蚀图14。根据本发明，尽管使用含有对抗蚀膜以布鲁斯特角入射的光成分的曝光光形成图案，也可得到表面形状良好抗蚀图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1815372A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610051390.0
申请日：2006-01-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法，首先，在衬底101上形成抗蚀膜102。之后在所形成的抗蚀膜102上形成溶剂是水溶性的第一阻挡膜103。接着，在第一阻挡膜103上形成溶剂是乙醇的第二阻挡膜104。接着，在将液体105供到第二阻挡膜104上的状态下透过第一阻挡膜103和第二阻挡膜104用曝光光106有选择地去照射抗蚀膜102而进行图案曝光。接着，除去第一阻挡膜103和第二阻挡膜104后，再对已被图案曝光了的抗蚀膜102进行显像处理，而从抗蚀膜102形成抗蚀图案102a。因此，在湿浸式光刻中，能够提高除去阻挡膜时的溶解性(除去容易性)，形成具有良好的形状的微细图案。
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公开(公告)号：CN1799005A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02802642.X
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。
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公开(公告)号：CN1698182A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000668.0
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76817 , H01L21/76828
Abstract: 半导体器件的制造方法，包括：使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜，在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次，在将推压构件推压到流动性膜的状态下，将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化，形成具有第1凹部的固化膜。其次，将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜，形成具有第1凹部的焙烧膜。其次，形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后，使用掩模对焙烧膜进行蚀刻，在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。
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公开(公告)号：CN1637600A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081724.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/095
Abstract: 一种水溶性材料、化学放大型抗蚀剂以及图形形成方法，在抗蚀膜(102)上形成含有水溶性聚合物、酸生成剂以及形成可包合该酸生成剂的包合物的化合物的水溶性膜(103)。接着，借助水溶性膜(103)，对抗蚀膜(102)照射由NA为0.68的KrF准分子激光器发出的透过掩膜(104)的曝光光(105)，以进行图形曝光。然后，对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)，使用电热板在105℃的温度下烘焙60秒。接着，在用水除去水溶性膜(103)之后，对已烘焙的抗蚀膜(102)进行显影，得到由抗蚀膜(102)的未曝光部构成的具有良好形状的抗蚀图形(102a)。根据本发明可以得到显影时不会生成表面难溶层且具有良好形状的微细化图形。
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公开(公告)号：CN1630035A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410102204.2
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种使通过化学收缩法得到的抗蚀图形具有良好形状的图形形成方法。首先，对形成在基板上的由含有羧基的抗蚀剂构成的抗蚀膜，照射借助掩膜的曝光光以进行曝光。接着，对曝光的抗蚀膜进行显影，从而从抗蚀膜形成抗蚀图形。接着，在将第1抗蚀图形的表面暴露于添加有还原剂的溶液中之后，在第1抗蚀图形上形成含有与构成第1抗蚀图形的羧基发生交联的交联剂的水溶性膜。接着，加热水溶性膜，使水溶性膜以及第1抗蚀图形中的在该第1抗蚀图形的侧面上连接的部分相互发生交联反应，随后，通过除去水溶性膜的未反应部分，从所述第1抗蚀图形形成其侧面上残留有水溶性膜的第2抗蚀图形。
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