公开(公告)号：CN113348562B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。

公开(公告)号：CN112088432B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201980030601.8

申请日：2019-04-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。

公开(公告)号：CN104584200B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104681625B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。

公开(公告)号：CN105900216A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201580004042.5

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  岩成裕美

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K1/0207 ,  C22C21/00 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的平板显示器用配线膜，由如下第一层和第二层层叠而成的层叠结构构成：第一层，其含有从Mo、Ti、Cr、W和Ta所构成的群中选择的至少一种以上的高熔点金属；第二层，其由含有0.01原子％以上且低于0.2原子％的稀土类元素、Ni和Co之中至少一种以上的Al合金构成。该配线膜即使经受400℃以上且500℃以下的高温的热过程，仍可抑制配线电阻的上升，也不会发生小丘等，耐热性优异。

公开(公告)号：CN105579939A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052590.0

申请日：2014-09-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  志田阳子 ,  奥野博行

IPC: G06F3/041 ,  B32B9/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G06F3/044 ,  B32B15/20 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/202 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13439 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明的电极具有从透明基板的相反侧(表面侧)开始依次为由透明导电膜构成的第1层、由Mo的氮化物或Mo合金的氮化物中的至少一种构成的第2层、以及由反射率为40％以上、透射率为10％以下的金属膜构成的第3层的层叠结构。

公开(公告)号：CN102473730B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080031806.7

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种布线构造，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使半导体层与构成例如源极电极、漏极电极的Al系膜稳定地直接连接，并且在湿法工艺所使用的电解质液中，所述半导体层和Al系膜之间难以产生电化腐蚀，能够抑制Al系膜的剥离。布线构造在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的半导体层、和与所述半导体层直接连接的Al合金膜，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一种。

公开(公告)号：CN104885229A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN104620365A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。