公开(公告)号：CN109877698A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201811433092.7

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边夕贵 ,  八木圭太

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、存储介质、及基板研磨的响应特性的获取方法，能够通过简便的方法更准确地得到晶片等基板研磨的响应特性。基板处理装置具备：研磨头，该研磨头形成用于将晶片(W)按压于研磨垫(42)的多个压力室(D1～D5)；压力控制部，该压力控制部用于对该多个压力室的内部的力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，该膜厚测定部测定研磨中的晶片的膜厚分布；存储部，该膜厚测定部存储多个压力室中的设定压力的信息；及响应特性获取部，在晶片的研磨中每当满足规定条件时，该响应特性获取部变更设定压力并测定对于晶片的研磨率，基于得到的多个研磨率获取基板研磨对于压力反馈的响应特性。

公开(公告)号：CN109382755A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810898811.6

申请日：2018-08-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 渡边夕贵 ,  八木圭太

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/20 ,  B24B37/205 ,  B24B37/32 ,  G01B11/06 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  B24B37/107 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明的基板研磨装置及方法适当地控制按压基板的薄膜的压力，并且适当地检测基板研磨的终点。基板研磨装置具备：顶环，该顶环用于将基板按压于研磨垫；按压机构，该按压机构对基板的多个区域彼此独立地进行按压；光谱生成部，该光谱生成部向基板的被研磨面照射光并接收来自被研磨面的反射光，并且算出对于该反射光的波长的反射率光谱；轮廓信号生成部，向该轮廓信号生成部输入基板上的多个测定点处的反射率光谱，生成基板的研磨轮廓；压力控制部，该压力控制部基于研磨轮廓，控制按压机构对于基板的多个区域的按压力；以及终点检测部，该终点检测部不基于研磨轮廓来检测基板研磨的终点。

公开(公告)号：CN108818295A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810707673.9

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  木下将毅

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。

公开(公告)号：CN104924198B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510125524.8

申请日：2015-03-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  小林洋一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B49/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。

公开(公告)号：CN106457507A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580020769.2

申请日：2015-04-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B49/05 ,  B24B37/013 ,  B24B37/105 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34 ,  B24B49/02 ,  B24B49/03 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/67 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚，并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群，在基板上照射光，并接收来自该基板的反射光，根据反射光生成抽样光谱，选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群，研磨基板，并生成测定光谱，并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱，取得对应于选出的参考光谱的膜厚。

公开(公告)号：CN106256016A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020452.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN104924198A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510125524.8

申请日：2015-03-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  小林洋一

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B49/04 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26

Abstract: 一种研磨装置和研磨方法，使半导体晶片的被研磨面与研磨垫相对滑动而对被研磨面进行研磨，研磨装置具有：边缘室，其通过按压半导体晶片的被研磨面的背面，而将被研磨面按压到研磨垫；膜厚测定部，其在半导体晶片的研磨中推断半导体晶片的被研磨面的残膜外形；以及闭合回路控制装置，其在半导体晶片的研磨中，根据膜厚测定部的测定结果而控制边缘室对被研磨面的背面的按压。闭合回路控制装置控制半导体晶片的研磨中的边缘室产生的按压，并对作为边缘室的周边部的挡护环的压力进行控制，边缘室的周边部对被研磨面的对于研磨垫的按压产生影响。采用本发明，可高精度地对研磨对象物进行研磨。