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公开(公告)号：CN106744844A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611208447.3
申请日：2016-12-23
申请人： 武汉理工大学
IPC分类号： C01B32/184
CPC分类号： C01B2204/04 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/20 , C01P2004/61
摘要： 本发明涉及一种通过对二维碳化物晶体进行氯化可控合成高品质石墨烯的方法。具体的制备方法如下：在一定温度下向二维碳化物晶体中引入氯气，利用氯气与二维碳化物的刻蚀反应获得。此法能够可控合成单层、两层及少层，ID/IG小于0.5，面内缺陷数量较少，甚至无面内缺陷的石墨烯。且本发明中所使用的前驱体二维碳化物，原料来源广泛，成本低廉，同时所需要的合成条件温和，合成石墨烯的成本较低，二维碳化物可完全被氯化为石墨烯。
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公开(公告)号：CN106587066A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611048694.1
申请日：2016-11-23
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01B32/984 , B82Y40/00
CPC分类号： C01P2002/82 , C01P2004/20 , C01P2004/62 , C01P2004/64
摘要： 本发明涉及一种超薄二维碳化硅的制备方法，是将洁净的硅片置于反应炉管内，升温至1200℃‑1400℃，真空度抽至10‑5‑105Pa,在保护气体氛围下通入甲烷，反应10s‑3min；冷却至室温；将反应产物分散于异丙醇中，并超声10‑30min；将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄二维碳化硅厚度能达到2‑3nm，大小能达到2μm.而且所制备的二维碳化硅是一种具有宽禁带并能稳定存在的材料，相比石墨烯的零带隙和二硫化钼不能稳定存在的缺点，超薄二维碳化硅的诞生为将二维碳化硅应用于光电探测器、太阳能电池等光电器件以及纳米材料等技术领域提供了突破口。
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公开(公告)号：CN106495213A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611050383.9
申请日：2016-11-24
申请人： 安徽理工大学
IPC分类号： C01G23/053 , C01G23/08 , B01J21/06 , B01J35/02
CPC分类号： C01G23/053 , B01J21/063 , B01J35/004 , B01J35/02 , C01G23/08 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/50 , C01P2006/12
摘要： 本发明公开了一种TiO2透明自支撑膜，所述TiO2透明自支撑膜由TiO2纤维交错组成，所述TiO2纤维包括芯层和壳层，壳层包覆芯层，所述芯层为纳米TiO2颗粒构成的多孔纤维，所述壳层是由花状TiO2颗粒构成。本发明还公开了上述TiO2透明自支撑膜的制备方法，包括如下步骤：将草酸钛钾溶于二甘醇水溶液中得到溶液A；将纤维素纸浸渍于溶液A中，进行水热反应，取出反应后的材料，洗涤，干燥得到材料B；取材料B，在空气氛围下，升温至450-700℃，保温1-3h得到TiO2透明自支撑膜。本发明还公开了上述TiO2透明自支撑膜作为紫外光催化剂的应用。
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公开(公告)号：CN106348312A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610962979.X
申请日：2016-11-04
申请人： 中国科学院上海高等研究院
IPC分类号： C01B39/38
CPC分类号： C01B39/38 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/32
摘要： 本发明提供一种调控ZSM-5分子筛形貌的无机合成方法，其至少包括如下步骤：(1)分别将硅源、碱源、铝源加入到纯水中，搅拌均匀，得到硅铝凝胶；(2)向所述硅铝凝胶中加入分子筛形貌调节无机添加剂和沸石晶种，搅拌均匀，得到凝胶混合物；(3)将所述凝胶混合物转移到密封反应釜中晶化，然后将晶化后的产物分离、干燥，得到ZSM-5分子筛；其中，所述ZSM-5分子筛的形貌适于通过调节所述分子筛形貌调节无机添加剂的添加量来进行调控。通过本发明的方法，可以得到形貌可调节且硅铝比在一定范围内可控的低硅ZSM-5分子筛，具有较高的结晶度和纯度以及良好的芳构化反应性能，并且省去了生产过程中的焙烧步骤，减少了环境的污染。
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公开(公告)号：CN106311282A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610650085.7
申请日：2016-08-09
申请人： 河南工程学院
IPC分类号： B01J27/051 , C01G39/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B01J27/051 , B01J35/0033 , B01J35/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/20 , C01P2004/64
摘要： 本发明公开了一种多孔单层1T MoS 2纳米片的制备方法，步骤如下（：1）采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片；（2）采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离，得到多孔单层1T MoS2纳米片。本发明的1T MoS 2纳米片可直接用于电催化制氢，相对于其它结构MoS2，其电催化制氢性能得到快速提高，多孔的结构为该催化提供了更多的边缘，因此可以暴露更多的活性位点，这将有益于电催化制氢；单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积，可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构，单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力，有利于电子的传输和转移，进而加快电催化制氢速率。
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公开(公告)号：CN106163980A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201380080769.2
申请日：2013-11-05
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01M4/587 , B82Y40/00 , C01B31/0453 , C01B32/16 , C01B32/186 , C01P2004/13 , C01P2004/20 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C28/32 , C23C28/34 , H01G11/02 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01M4/0428 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/366 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/13
摘要： 可以经由两步化学气相沉积法形成无粘合剂的混合碳纳米管和石墨烯纳米结构体。所述方法可以包括通过化学气相沉积温度使用甲烷和氢的第一混合物将至少一个石墨烯层形成至导电基板的表面上以及通过化学气相沉积使用乙烯和氢的第二混合物将多个碳纳米管生长到至少一个石墨烯层的表面上以形成无粘合剂的混合碳纳米管和石墨烯纳米结构体。
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公开(公告)号：CN106129328A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610533779.2
申请日：2010-09-09
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , C01G51/00
CPC分类号： H01M4/1391 , C01G51/006 , C01G51/42 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M2004/021
摘要： 本发明提供了一种正极活性物质，包括锂‑过渡金属复合氧化物，该锂‑过渡金属复合氧化物包含锂、主要过渡金属M1和不同于主要过渡金属M1的金属元素M2，其中金属元素M2具有从每一颗粒的中心向表面的所述金属元素M2的浓度梯度，在从表面到一定深度的比率d(％)满足0.020≤d≤0.050的范围内，摩尔分数r(％)满足公式0.20≤r≤0.80，其中，比率d(％)＝[(所述主要过渡金属M1的质量)+(金属元素M2的质量)]/(颗粒整体的质量)，摩尔分数r＝(金属元素M2的物质量)/[(主要过渡金属M1的物质量)+(金属元素M2的物质量)]，其中，主要过渡金属M1是选自镍、钴、锰以及铁中的至少一种，金属元素M2是选自锰、镁、铝、镍、硼、钛、钴以及铁中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN103732539B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280024864.6
申请日：2012-05-17
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人山梨大学
IPC分类号： C01G33/00 , C04B35/495
CPC分类号： H01L41/1873 , B32B18/00 , C01G33/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C04B35/26 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B35/495 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/81 , C04B2237/345 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供含有铌酸钠的取向陶瓷及其原料的制造方法。具体地，提供铌酸钠粉末，包括具有0.1μm‑100μm的平均边长的立方形铌酸钠颗粒，该立方体的至少一面包括假立方表示法中的(100)面，其中该铌酸钠粉末具有钙钛矿单相结构。
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公开(公告)号：CN106103346A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013999.6
申请日：2015-03-12
申请人： 大日精化工业株式会社
IPC分类号： C01F7/16 , C01G9/00 , C04B35/443 , C04B35/626 , C09C1/40 , H01L35/22
CPC分类号： C09K5/14 , C01F7/162 , C01F7/164 , C01F7/166 , C01G9/00 , C01G9/006 , C01P2002/32 , C01P2004/10 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C09C1/40 , C09D1/00 , C09D7/61
摘要： 本发明的目的在于，提供：无需表面处理等的改良对策，通过单独使用，可以实现配混到涂料、树脂组合物中而得到的涂膜、薄膜、成型物所需的物性的导热性、耐水性、耐酸性、电绝缘性优异的导热性复合氧化物，并且通过导热性复合氧化物和其制造方法达成该目的，所述导热性复合氧化物为作为主成分金属含有铝和至少一种除了铝以外的金属的、具有尖晶石结构的复合氧化物，除了铝以外的金属为选自由镁、锌、钙和锶组成的组中的至少1种，且除了铝以外的金属的摩尔数(b)与氧化铝系化合物的铝元素的摩尔数(a)之比(b摩尔)/(a摩尔)为0.1以上且1.0以下，所述导热性复合氧化物的莫氏硬度低于9。
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公开(公告)号：CN106061896A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011069.7
申请日：2015-03-02
申请人： 汉阳大学校产学协力团
CPC分类号： C01B32/18 , C01B21/0648 , C01B32/194 , C01B32/23 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01G41/02 , C01G45/02 , C01P2002/82 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/20 , C07J9/005 , C07J31/006 , C07J41/0061 , C07J41/0088 , C07J41/0094
摘要： 提供了一种使用二维材料的卷状物制备方法以及由其制备的卷状物。该卷状物制备方法包括准备二维材料。通过在该二维材料上提供具有亲水部分和疏水部分的两亲性物质而将该二维材料卷起。结果，形成包括设置在卷状物结构内部的两亲性物质的卷状物复合体。
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