半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

    公开(公告)号:CN102483378B

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201080033122.0

    申请日:2010-07-19

    CPC classification number: G01N21/6489 G01N2201/06113 G01N2201/10 H01L22/12

    Abstract: 分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量,使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量,使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中,通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除,所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得,或者在不同的激发波长下被产生。本方法特别适用与诸如硅块或硅锭的体样品,其中相比于薄的、表面受限的样品如硅晶片,信息可以在很大的体寿命值范围内被获得。本方法还可应用于太阳电池的生产中以改善硅块和硅锭的制造,以及为晶片提供切割导引。

    扫描成像装置
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101981437B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN200980110931.4

    申请日:2009-04-02

    Inventor: 松本和浩

    Abstract: 扫描成像装置具有将用于激发的第一斑点光和用于焦点检测的两个第二斑点光照射到基板4的流路上的斑点光投影部101和用于拾取当被第一斑点光激发时从流路中的检测目标发射的光的图像的成像部102。第二斑点光中的一个在流路的顶面处被反射,并且,第二斑点光中的另一个在流路的底面处被反射,以及,焦点位置调整机构,用于沿流路的深度方向调整第一斑点光和第二斑点光中的每一个的焦点位置,使得通过比较在流路处反射的第二斑点光中的一个和另一个的强度来确定的流路的深度方向的第一斑点光和第二斑点光的焦点位置的偏离量。

    用于检测不透明膜层埋覆缺陷的光学技术

    公开(公告)号:CN1662808A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN03814721.1

    申请日:2003-05-06

    Abstract: 一样品的一局部区域被聚焦加热用以产生暂时的物理变形。当该被加热的区域冷却至一基线(baseline)温度的同时,该结构的表面由时常使用一或多个探测光束来照射该被加热的区域并检测回返光线而来加以光学监视。在某些实施例中,在该结构内随着时间而变化的热消散与光学反射性的间有相互关系。在其它的实施例中,该结构的表面变形与该表面的光线散射变化有相互关连。在施用一抽运脉冲(pump pulse)及不多于三个探测脉冲之后,一随时间改变(time varying)的回返光线讯号被拿来与一来自一参考表面的回返光线讯号相比较。这两个讯号之间的偏差可指出该样品中的一个异常之处。从这些讯号及它们被比较的衰减常数可建构出第一级指数衰减曲线。

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