公开(公告)号：CN1297046C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410047755.3

申请日：2004-05-20

申请人： 夏普株式会社

发明人： 栗田贤一 ,  金子延容

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01L21/52 ,  H01L21/58 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01S5/02272 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/4025 ,  Y10S257/926

摘要： 一种半导体发光设备包括非导电性辅助支架；在辅助支架上设置的金属层；在金属层上设置的焊接材料元件；和通过焊接材料元件管芯焊接到金属层上的半导体发光器件。金属层表面包括具有粘附在其上的焊接材料元件的焊接材料附着区和暴露金属层表面的金属层暴露区。焊接材料附着区电连接到金属层暴露区。焊接材料附着区比半导体发光器件的管芯焊接区更大。金属层暴露区具有暴露了辅助支架的金属层除去区。

公开(公告)号：CN1846466A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025301.4

申请日：2004-08-25

申请人： 菲尼萨公司

发明人： 斯特凡诺·施亚菲诺 ,  乔治·贾雷塔 ,  帕特里克·乌诺尔德 ,  米纳·法尔

IPC分类号： H05K5/06 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01S5/02212 ,  G02B6/42 ,  H01L23/055 ,  H01L23/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0683 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种改进的用于发射器光学子组件(TOSA 3000)的头部组件(3020)中的激光器(3034)的监视和控制系统。包括一个或多个监视光电二极管(MPD 4000)的所述系统与所述激光器一起放置在部件基座(3033)上。所述基座又与形成所述头部组件的部分的多层平台(MLP 3030)配合。所述MLP密闭地延伸通过所述头部组件以提供用于所述激光器、一个或多个MPD和其它基座部件的多个电互连。

公开(公告)号：CN1841868A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610058487.4

申请日：2006-03-28

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 别所靖之 ,  畑雅幸

IPC分类号： H01S5/40 ,  H01S5/22 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01S5/4043 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件的上面形成凸部及隆起部。在红色半导体激光元件的下面形成凸部及隆起部。凸部的高度比隆起部的高度低，并且凸部的高度比隆起部的高度低。蓝紫色半导体激光元件及红色半导体激光元件进行接合，使得凸部和凸部相对合。

公开(公告)号：CN1254895C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN01143669.7

申请日：2001-12-17

申请人： 安捷伦科技有限公司

发明人： J·常 ,  R·T·卡尼施洛 ,  S·G·特里索德

IPC分类号： H01S5/42 ,  G01R31/02 ,  H01S5/183 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01S5/0014 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/42 ,  H01L2924/00

摘要： 基于能够同时启用相对大数目的光发送器的阵列(28)和启用将用在形成安装就绪的组件(74)的传统的切块技术这两个目的使用了一种底座基片。在优选实施例中，底座基片是一种硅晶片，其特别设计为在测试阶段提供VCSEL阵列和老化设备间的连接性，但底座基片也被设计为被切割成块并用在最后的封装阶段。因为底座基片是硅晶片，传统的集成电路制造技术可被用来形成用于限定阵列接收区域和允许外部电路与不同的VCSEL阵列通信的导电图案。

公开(公告)号：CN1213525C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02160239.5

申请日：2002-11-27

申请人： 夏普公司

发明人： 藤吉干 ,  上村裕规

IPC分类号： H01S5/00 ,  G11B7/125

CPC分类号： H01S5/02469 ,  H01L2224/49109 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

摘要： 在本发明的半导体激光装置中，一P型扩散区(3A)被设置在硅底衬(16)的N-外延层(2)上，一N型扩散区(4A)被设置在P型扩散区(3A)上。P型扩散区(3A)和N型扩散区(4A)位于红光激光二极管(14)之下，且红光激光二极管(14)在没有绝缘膜的条件下通过电极(7，8)直接与N型扩散区(4A)连接。这样，可以防止红光激光二极管(14)和硅底衬(16)之间的短路。因此，根据这种半导体激光装置，可以防止在高温操作时半导体发光元件发生损坏或故障。

公开(公告)号：CN1604410A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410083217.X

申请日：2004-09-29

申请人： 激光先进技术股份公司

发明人： 古宇田光 ,  高桥久弥 ,  小野秀之 ,  池田祐三 ,  常包正树 ,  石田寿则 ,  窪田惠一

IPC分类号： H01S5/00 ,  B23K26/00

CPC分类号： H01S5/02264 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02423 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开激光二极管模块、激光器设备和激光加工设备。承载衬底通过硬焊料连接到激光二极管的两面。下承载衬底和散热器通过软焊料连接在一起。使用绝缘隔片，通过在散热器和按压电极之间的预定凹槽固定散热器和按压电极。线圈电极安装到按压电极的V形凹槽中。在线圈电极微小地弹性变形时，线圈电极按压到上承载衬底。

公开(公告)号：CN1359176A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01143669.7

申请日：2001-12-17

申请人： 安捷伦科技有限公司

发明人： J·常 ,  R·T·卡尼施洛 ,  S·G·特里索德

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/40 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01S5/0014 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49175 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/42 ,  H01L2924/00

摘要： 基于能够同时启用相对大数目的光发送器的阵列(28)和启用将用在形成安装就绪的组件(74)的传统的切块技术(72)这两个目的使用了一种底座基片。在优选实施例中,底座基片是一种硅晶片,其特别设计为在测试阶段提供VCSEL阵列和老化设备间的连接性,但底座基片也被设计为被切割成块并用在最后的封装阶段(77)。因为底座基片是硅晶片,传统的集成电路制造技术可被用来形成用于限定阵列接收区域和允许外部电路与不同的VCSEL阵列通信的导电图案。

公开(公告)号：CN106797104B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580055579.4

申请日：2015-10-08

申请人： 株式会社小糸制作所

发明人： 柴田裕一 ,  望月光之 ,  达川正士

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC分类号： H01S5/02476 ,  H01L23/045 ,  H01L23/3677 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02469 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供散热性提高的半导体激光装置。半导体激光装置(10)具有：底座(11)、在底座(11)的上表面安装的盖(12)、半导体激光元件(13)、至少一部分埋设在底座(11)中的供电部件(14)。供电部件(14)具有：与半导体激光元件(13)电连接的元件侧端子(32)、外部端子(33)。供电部件(14)的外部端子(33)从底座(11)的侧面或上表面露出，在底座(11)的下表面设置有用于安装到搭载对象的安装面(11b)。

公开(公告)号：CN108701956A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082673.3

申请日：2016-11-25

申请人： 索尼公司

发明人： 村山雅洋 ,  古岛裕司

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/02 ,  H01L24/44 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01L2924/00014

摘要： 根据本技术的一个实施方式，一种发光装置设置有基部、发光元件和盖部。基部具有支持面。发光元件设置在基部的支持面上。盖部具有光透射部和突出部，光透射部供从发光元件输出的光通过，突出部设置在光透射部的外围端的至少一部分上并且比光透射部更突出，所述盖部被设置在支持面上以使得盖部覆盖所述发光元件。

公开(公告)号：CN104412148B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201380036351.1

申请日：2013-05-17

申请人： 菲尼萨公司

发明人： 松井康浩

IPC分类号： G02B26/00 ,  G02B26/08

CPC分类号： H01S5/0085 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3415 ,  H01S5/3416 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H04B10/504

摘要： 在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。