公开(公告)号：CN101897001A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200980101341.5

申请日：2009-01-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 克里斯特勒·拉加赫 ,  伯纳德·阿斯帕

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/2007

摘要： 本发明涉及一种制备将要被转移到衬底(8)上的薄层的工艺，所述薄层具有表面拓扑，因此在与由该薄层限定的平面相垂直的方向上具有高度或层级变化，该工艺包括以下步骤：在所述薄层上形成粘合材料层(4)，所述粘合材料层的厚度使得能够对所述粘合材料层的表面执行多次抛光步骤以消除任何缺陷或空洞(24、26)或几乎任何缺陷或空洞，以准备通过分子类型的键合与衬底(8)组装起来。

公开(公告)号：CN101877308A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010199577.1

申请日：2010-03-23

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  沃尔特·施瓦岑贝格 ,  阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/30625 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种从施主衬底到处理衬底的层转移方法，其中在分离后，施主衬底的剩余部分被再利用。为除去由于衬底的倒角几何形状而形成的不想要的突出边缘区域，本发明提出在分离发生前实施附加的刻蚀工艺。

公开(公告)号：CN101791780A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010003394.8

申请日：2010-01-19

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 沃尔特·施瓦岑贝格 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 ,  阿齐兹·哈拉米-艾蒂里斯

IPC分类号： B24B29/02 ,  B24B41/00

CPC分类号： B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  B24B37/28 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于化学地和机械地抛光半导体衬底的边缘的设备，所述半导体衬底包括由基于离子注入步骤、结合步骤以及分离步骤的诸如Smart-CutTM的层转移工艺所产生的、在所述衬底的外围区域中的突出的残留形貌。为了能除去该台阶状区域，所述设备包括抛光垫，其中所述抛光垫被布置和构造成使得在与衬底保持器的表面垂直的平面中的所述抛光垫的横截面是弯曲的。本发明还涉及用于所述设备的垫保持器和用于抛光包括突出的残留形貌的半导体衬底的方法。

公开(公告)号：CN101764103A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910205768.1

申请日：2009-10-09

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 克里斯托夫·菲盖 ,  克里斯托夫·布维尔 ,  塞琳·凯勒尔 ,  亚历克西斯·德劳因 ,  蒂博·莫里斯

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种制造半导体衬底的方法，其包括下列步骤：提供绝缘体上半导体型衬底；提供扩散阻挡层；以及提供第二半导体层。通过提供扩散阻挡层使得能够抑制从重掺杂的第一半导体层向第二半导体层的扩散。本发明还涉及一种相应的半导体衬底以及包括这种衬底的光电器件。

公开(公告)号：CN101681872A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018521.2

申请日：2008-07-21

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 弗雷德里克·阿利伯特 ,  塞巴斯蒂安·凯尔迪勒

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： 本发明涉及绝缘体上半导体型结构的制造方法，所述结构包括供体衬底(10)的半导体层(11)、绝缘体层(60)和受体衬底(20)，所述方法包括将供体衬底(10)键合在受体衬底(20)上，这些衬底中的至少一个被覆有绝缘体层，其特征在于，该方法包括在键合界面形成所谓的俘获界面(30)，所述俘获界面(30)包含适于保持电荷载流子的电活性陷阱。本发明还涉及绝缘体上半导体型结构，所述结构包含俘获界面。

公开(公告)号：CN101641775A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009682.5

申请日：2008-03-14

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 康斯坦丁·布德尔 ,  古耶特·芳·阮 ,  沃尔特·施瓦岑贝格

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明涉及一种用于形成在半导体材料中包含取自供体基片的层的结构体的方法，所述方法包括下列连续步骤：(a)注入原子物种以在所述供体基片中在给定深度形成脆化区；(b)组装所述供体基片与受体基片；(c)通过实现在高温下进行的剥离退火提供能量从而在所述脆化区剥离所述取自供体基片的层；(d)对获取的所述层进行修整处理以改善所述层的表面状况，其特征在于在剥离步骤(c)中，高温剥离退火随着使得达到高温的上升而发展，所述高温相当于最大剥离退火温度，其特征还在于以防止在剥离后所获得的所述结构体的表面上出现明显缺陷性的方式限制暴露于所述高温的持续时间。

公开(公告)号：CN101611477A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005163.1

申请日：2008-01-23

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 米里埃尔·马蒂内 ,  科琳娜·塞金 ,  莫尔加纳·洛吉奥

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02024 ,  H01L21/76254

摘要： 一种用于抛光异质结构(12)的抛光方法，所述异质结构包括至少一个位于基底(120)上的松散表面异质外延层(121)，该基底由与所述异质外延层不同的材料制成。该方法包括通过具有第一压缩比的抛光织物(14)和具有第一硅石颗粒浓度的抛光溶液对所述异质外延层(12)的表面进行的第一化学机械抛光步骤。在所述第一化学机械抛光步骤之后进行所述异质外延层(121)的表面的第二化学机械抛光步骤，通过具有比所述第一压缩比高的第二压缩比的抛光织物和具有比所述第一浓度低的第二硅石颗粒浓度进行所述第二步骤。

公开(公告)号：CN101578230A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001417.2

申请日：2008-01-10

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 伯纳德·阿斯帕 ,  克里斯特勒·拉加赫·布兰查德 ,  尼古拉斯·苏萨贝

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81B3/001 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/115

摘要： 本发明涉及一种形成具有隐埋粗糙界面的半导体元件的方法，所述方法包括：a)在第一半导体基片(16)中形成具有预定粗糙度R2的粗糙界面(22)，其中包括选择半导体基片(16)，所述基片的表面(14)的粗糙度R1＞R2；对所述基片进行热氧化步骤，直到获得粗糙度为R2的氧化物－半导体界面(22)，b)制备所述第一半导体基片的氧化表面，以便于与第二基片组装，c)组装所述氧化物的所述表面和所述第二基片的表面。

公开(公告)号：CN101558487A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200880001114.0

申请日：2008-01-16

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 帕特里克·雷诺 ,  奥列格·科农丘克 ,  米夏埃尔·司廷科

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/76254 ,  Y10T428/8305

摘要： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。本发明还涉及根据本发明方法制造的绝缘体上硅型的晶片。

公开(公告)号：CN101529578A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200680056214.4

申请日：2006-10-27

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 埃里克·内雷 ,  奥列格·科农丘克

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明提供了用于形成半导体结构体的方法和由该方法获得的结构体，所述结构体包括转移自供体基片的层，其中所获得的结构体在缺陷方面具有改善的品质。例如，通过以下方法能够形成绝缘体上的半导体(SeOI)结构体，所述方法包括：提供具有空位团的第一密度的供体基片(1)；提供绝缘层(3)；将薄层(10)从所述供体基片(1)转移到其上具有所述绝缘层(3)的支持基片(2)；整治经转移的所述薄层(10)从而将所述空位团的第一密度降低到第二密度；并且所述方法的特征在于所述提供绝缘层(30)的步骤包括提供与经转移的所述薄层(10)接触的阻氧层(4)，所述阻氧层限制氧在所述整治期间向所述薄层的扩散。