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公开(公告)号：CN103957498B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410215224.4
申请日：2014-05-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种侧面进声的硅麦克风封装结构，其包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳，所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体，所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内，所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁，所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔，所述声孔与所述内部腔体相连通，从而实现了侧面进声。
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公开(公告)号：CN103402161B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310307946.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微硅麦克风及其制作方法，包括具有正面和背面的衬底、贯通衬底的背腔、设置在衬底的正面且作为硅麦克风两极板的背板和振动体、以及形成在背板和振动体之间的振动空间，背板通过窄槽将其分割形成中心部和围设在中心部外围的外围部，中心部和外围部上设置有若干声孔，中心部和外围部通过绝缘连接部连接，微硅麦克风还包括分别与背板的中心部和外围部电性连接的第一信号部和第二信号部、以及与振动体电性连接的第三信号部，该微硅麦克风实现探测两种不同声压范围的信号，有效的避免信号失真，且具有体积小的优点，而相对制作工艺来说，由于，在制作的过程中，采用常规工艺加工实现，所以，其制作方法简单。
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公开(公告)号：CN113747328B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202111031057.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端，该制造方法包括：在衬底上方形成第一背板；在第一背板上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成振膜，振膜沿第二牺牲层的侧壁、第一背板的侧壁延伸至衬底上；以及去除部分第二牺牲层，余下的第二牺牲层作为第二支撑部。该制造方法通过令振膜覆盖第二牺牲层的侧壁，减小了释放工艺中释放液从第二牺牲层的侧壁侵蚀的风险。
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公开(公告)号：CN118817125B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411295549.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种力传感器的封装结构及其制造方法，涉及力传感器技术领域，用于解决现有力传感器的力传递灵敏度低的问题。本申请提供的力传感器的封装结构包括衬底，其第一表面设有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽的槽底设有凸台；器件结构支撑于第一表面并包括可动质量块和用于固定可动质量块的锚点，可动质量块的一部分悬空于第一凹槽的开口端，另一部分固定支撑于第一表面，可动质量块构成第一极板，锚点固设于凸台上；ASIC芯片与所述器件结构背对所述衬底的一侧相键合，且其朝向器件结构的一侧表面设有第二极板，第二极板与第一极板相对且间隔设置以构成可变电容；其中，第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底设有第三凹槽。
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公开(公告)号：CN118624942B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411090946.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种三轴加速度计及电子设备，其中三轴加速度计包括加速度检测单元，加速度检测单元包括第一检测模块、第二检测模块和第三检测模块，第一检测模块包括第一质量块，第一质量块包括贯通自身厚度的镂空槽，第二检测模块和第三检测模块均位于镂空槽中。第一检测模块用于检测第一方向的加速度，第二检测模块用于检测第二方向的加速度，第三检测模块用于检测第三方向的加速度。第一方向、第二方向和第三方向相互相交且垂直。本申请显著减小了加速度计的整体尺寸和体积，且三个检测模块互不干扰，提高了三轴加速度计的检测精度和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118500483B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410953978.3
申请日：2024-07-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器集成结构、芯片和制作方法，制作方法包括：提供衬底和电连接结构晶圆；在衬底刻蚀两个空腔；在衬底刻蚀空腔一侧制作绝缘层；在绝缘层一侧键合硅晶圆层；对硅晶圆层光刻出第一空腔和第二空腔；在硅晶圆层制作电连接层；对惯性敏感区域进行刻蚀形成惯性敏感结构，未被刻蚀的压力敏感区域形成压力敏感结构；对硅晶圆层的非惯性敏感结构区域或非压力敏感结构区域进行部分刻蚀，露出绝缘层；将电连接结构晶圆与电连接层进行粘接；对衬底和绝缘层进行刻蚀，露出压力敏感结构；将露出绝缘层部位的绝缘层和衬底刻蚀掉，得到传感器集成结构。本发明提供的技术方案能够解决现有技术中封装集成的传感器体积较大且成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN118359167B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410788404.5
申请日：2024-06-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN118619195A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411109804.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种惯性传感器芯片及其制造方法，其中制造方法包括：提供衬底和电连接晶圆；在衬底的一侧开设第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在衬底开设凹槽的一侧键合硅晶圆层；在硅晶圆层远离衬底的一侧形成第四凹槽和第五凹槽；在硅晶圆层远离衬底的一侧制作电连接层；图形化刻蚀硅晶圆层以形成通气孔、第一惯性敏感结构和第二惯性敏感结构；将电连接晶圆与电连接层键合；在衬底上形成与第三凹槽相连通的调压孔；以密封调压孔。本申请通过开设与第三凹槽相连通的调压孔，能够使得开设过程中引入的颗粒物和杂质掉落于第三凹槽内，不会掉落于惯性敏感结构上，对惯性敏感结构的造成损坏。
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公开(公告)号：CN117915251B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410312080.8
申请日：2024-03-19
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种声电转换结构及其制作方法、麦克风，制作方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制作背极板，背极板包括固定电极层和位于固定电极层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层，其中，第二绝缘层位于第一绝缘层靠近衬底一侧，固定电极层和第二绝缘层开设有声孔，第一绝缘层在具有声孔的固定电极层上制作成型；对第一绝缘层进行刻蚀，以形成至少一个凸起结构和与所述声孔至少部分交叠的贯穿孔，所述凸起结构容置于所述贯穿孔；在第一绝缘层远离固定电极层的一侧分别制作第三绝缘层和振动电极层；在衬底背离背极板的一侧，对衬底进行刻蚀形成背腔；通过声孔处将部分的第三绝缘层刻蚀掉，得到声电转换结构。本发明的技术方案能够提升MEMS传感器的性能。
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公开(公告)号：CN113666329B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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