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公开(公告)号：CN101728487B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200910198606.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。本发明方法主要包括如下步骤：锰酞菁双酚A环氧衍生物的合成，然后通过旋涂将上述衍生物与四胺基锰酞菁(质量比1∶8)的N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液旋涂于ITO导电玻璃称底上，得到一定厚度的锰酞菁薄膜，然后通过真空沉积法将C60和Al按不同要求蒸镀在上述锰酞菁薄膜上，最终获得肖特基型和PN结型有机太阳能电池。经测试，肖特基型的开路电压为0.6V，短路电流密度为4.7nA/cm2，PN结型的开路电压为0.14V，短路电流密度0.45μA/cm2。
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公开(公告)号：CN101728487A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910198606.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种锰酞菁双酚A环氧衍生物有机太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池制备工艺领域。本发明方法主要包括如下步骤：锰酞菁双酚A环氧衍生物的合成，然后通过旋涂将上述衍生物与四胺基锰酞菁(质量比1∶8)的N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液旋涂于ITO导电玻璃称底上，得到一定厚度的锰酞菁薄膜，然后通过真空沉积法将C60和Al按不同要求蒸镀在上述锰酞菁薄膜上，最终获得肖特基型和PN结型有机太阳能电池。经测试，肖特基型的开路电压为0.6V，短路电流密度为4.7nA/cm2，PN结型的开路电压为0.14V，短路电流密度0.45μA/cm2。
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公开(公告)号：CN101219894A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810032416.6
申请日：2008-01-08
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C01B25/26 , A61K6/02
Abstract: 本发明涉及一种可切削氧化锆/磷酸镧全瓷口腔修复体材料的制备方法，属无机复合材料制备领域。本发明方法主要特征在于通过控制磷酸镧和氧化锆的含量，从而调节氧化锆和磷酸镧复合陶瓷的强度和韧性；本发明的制备工艺包括：磷酸镧粉体制备，由氧化钇、磷酸镧和氧化锆按一定质量比的混合粉体的制备，在150－250MPa下等静压，在1500－1650℃下烧结，最终制成本发明的可切削氧化锆和磷酸镧牙科复合陶瓷材料。本发明的复合材料适合于口腔临床的全瓷牙科修复体。
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公开(公告)号：CN1743412A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510029928.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种以反微乳液为纳米反应器的II－VI族荧光标识半导体量子点MX的制备方法。该方法具体步骤为：原料准备、反微乳液合成、MX粉体制备、荧光标识半导体量子点MX的制备等步骤。本发明以反微乳胶液作为反应器，因此可通过控制微乳胶液的尺寸，达到调节量子点的尺寸的目的，实现量子点尺寸的有效控制。同时本发明方法制备的II－VI族化合物半导体量子点的可高效，低成本用作生物分子，蛋白质的研究或者临床诊断及新药物的发现的荧光标识探针。
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公开(公告)号：CN1233579C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200310108398.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C03C3/095
Abstract: 本发明涉及一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料及其制备方法，属玻璃材料及制备技术领域。本发明的一种磁记录存储器介质用玻璃基片材料，其组成成分及含量(重量百分比)如下：SiO260-70%、B2O34-9%、Na2O 4.5-6.5%、K2O 0-7%、Li2O0.1-9%、TiO20-5%、Al2O33-8%、As2O3+Sb2O30.4%、ZnO 0-6.5%、ZrO20-5%；另外还需加入适量的碱土金属、稀土元素氧化物。该基片材料制备方法为：按上述的原料的组成及配比进行称量，研磨混合均匀后放入熔炼炉中，加热到1300～1350℃温度，使其熔化，并保温5～6小时，并搅拌；出炉后，将融化的原料放至专用的成形模具中，其模具温度在400～500℃。当成形后，即进入退火炉中热处理，热处理温度为500-550℃，退火时间不超过8小时。并以4～15℃/min冷却至室温，取出即可。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1623951A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410067786.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝－金刚石复合材料的制造方法，属无机复合材料制造工艺技术领域。本发明的制备工艺方法，其特征在于先由金刚石微粉均匀分布于纯氧化铝陶瓷体系中并通过热压烧结制成两相共存的复合基底，然后在此复合基底上，用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜，最终制成具有大面积金刚石薄膜的氧化铝－金刚石复合材料；本发明的具体步骤包括：纯氧化铝陶瓷体系的制备、添加助烧剂、合成煅烧、添加金刚石微粉、复合基底的热压烧结、化学气相沉积金刚石薄膜，最后制成本发明的新型氧化铝－金刚石复合材料。本发明的复合材料适合于制作大规模集成电路的基片材料，可用作封装管壳的基片材料。
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公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN112557343A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN108689611A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810554306.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3464 , C03C17/3476 , C03C2217/288 , C03C2217/289 , C03C2218/111
Abstract: 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。
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公开(公告)号：CN105742508B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610221077.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。
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