一种快速检测光学膜层节瘤缺陷的装置及方法

    公开(公告)号:CN110132993A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910529654.6

    申请日:2019-06-19

    IPC分类号: G01N21/896 G01N21/89

    摘要: 本发明公开了一种快速检测光学膜层节瘤缺陷的装置,属于光学膜技术领域,包括样品台、三维电动移动平台、成像采集单元和控制分析单元,所述成像采集单元包括一个光源模块和两个成像模块,所述光源模块包括激光器、扩束系统和半透半反反射镜,所述两个成像模块分别是普通显微成像模块和相位成像模块,所述普通显微成像模块包括依次排列的成像物镜、适配器和普通成像相机,所述相位成像模块包括依次排列的成像物镜、适配器和相位成像相机,本发明可以获得节瘤缺陷的三维信息包括纵向信息,可以判断较小尺寸的节瘤缺陷;特别适合特大型高功率激光系统中常用的大口径光学元件膜层缺陷的检测与成像。

    超低温六分量天平校准复位过程中的位姿检测方法

    公开(公告)号:CN106872139B

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201611270451.2

    申请日:2016-12-31

    IPC分类号: G01M9/06 G01C21/00

    摘要: 一种超低温六分量天平校准复位过程中的位姿检测方法,其包括步骤通过一个施力机构对位于一个低温箱内的一个校准加载头施加标准载荷;控制一个低温箱温度从常温到低温再到超低温的过程中,通过一组高精度激光位移传感器采集位于该低温箱内的一个校准加载头在X方向上的低温变形量,并通过一个复位机构补偿该校准加载头在X方向上的低温变形量;通过一个施力机构对该校准加载头施加标准载荷;通过一组高精度激光位移传感器在该低温箱外采集该校准加载头的位移量;将该校准加载头的位移量传输至一个控制系统中,以使该控制系统根据该校准加载头的位移量获得该校准加载头在该低温箱内的线位移和角位移,以在后续根据该校准加载头的线位移和角位移,通过一个复位机构进行补偿。

    一种熔石英激光损伤的无热残余应力修复方法

    公开(公告)号:CN105948519B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201610306938.5

    申请日:2016-05-11

    IPC分类号: C03C15/00

    摘要: 本发明提供了一种熔石英激光损伤的无热残余应力修复方法,该方法通过截取激光器输出脉冲的峰值段,获得高峰值功率矩形激光脉冲;聚焦高峰值功率矩形激光脉冲,获得甚高峰值功率密度单激光脉冲;使用单激光脉冲瞬间气化剥离熔石英基底上的单点的损伤部位材料;控制单激光脉冲间隔,使基底充分冷却;利用单激光脉冲重复进行气化剥离,直至去除损伤部位全部材料。本发明方法有效控制了熔石英基底发生高温结构弛豫,获得了无热残余应力的熔石英损伤修复,提升了熔石英光学元件损伤点的抗损伤能力,抑制了熔石英光学元件表面损伤及其增长,延长了熔石英光学元件使用寿命,具有修复时间短、过程简洁高效、工艺稳定性好、可控性强、重复性高的优点。

    熔石英微凹柱透镜阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN106932844B

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201710354588.4

    申请日:2017-05-19

    IPC分类号: G02B3/00

    摘要: 本发明专利公开了一种熔石英微凹柱透镜阵列的制备方法,包括:从二氧化碳激光器获得连续稳定的二氧化碳激光;对二氧化碳激光进行聚焦;将清洗后的熔石英样片放置在聚焦的二氧化碳激光的焦点位置;采用振镜系统扫描聚焦后的二氧化碳激光辐照熔石英样片表面;然后放入氢氟酸溶液进行湿法刻蚀;对湿法刻蚀形成的熔石英微凹柱透镜阵列进行喷淋和超声清洗,得到熔石英微凹柱透镜阵列。本发明利用功率恒定的连续二氧化碳激光进行扫描辐照;简洁高效地直接在熔石英表面实现了一维的柱透镜阵列,例如平行微凹柱透镜阵列、正交微凹柱透镜阵列和螺旋微凹柱透镜阵列的制造,并且制造的微凹柱透镜阵列无实焦点,尤其适用于高功率光束整形等应用。

    一种折射率可调的SiO2减反射膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108761581A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810513311.6

    申请日:2018-05-25

    IPC分类号: G02B1/113 C03C17/25

    摘要: 本发明公开了一种折射率可调的SiO2减反射膜的制备方法,该制备方法将六甲基二硅胺烷与正硅酸乙酯同时作为原料加入反应液中合成SiO2溶胶,再采用浸渍提拉法在基底上镀碱催化的SiO2膜。本发明的制备方法能够一步制得折射率可大范围调控的SiO2薄膜,该制备方法工艺简单、可操作性强、反应速度快,制得的SiO2减反射膜透光率高,在高湿热环境中仍具有极为优异的稳定性。将六甲基二硅胺烷作为反应原料,不仅能够对薄膜微观结构进行调节,从而实现对薄膜折射率的调控;而且还能在六甲基二硅胺烷占比较大时,有效提高薄膜的机械强度(拉压强度)。

    用于光学元件的激光预处理装置及处理方法

    公开(公告)号:CN106964893B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201710339726.1

    申请日:2017-05-15

    摘要: 本发明公开了一种用于光学元件的激光预处理装置及处理方法,包括:用于发出激光的激光光源;依次设置在激光传输方向上的分光劈板、反射镜、光束整形系统和放置待处理光学元件的电动平移台;其中,激光光源发出的激光经分光劈板之后经反射镜传输至光束整形系统,光束整形系统对激光进行光束整形,将本身高斯分布的激光光斑整形成平顶均匀分布的方光斑,最后辐照到光学元件表面来对光学元件进行激光预处理。通过本发明的激光预处理装置,形成平顶聚焦的均匀方形激光光斑使整个预处理过程辐照的能量密度均匀,并且能够通过倍率切换结构来轻松调节光斑的尺寸,进而调节到达光学元件表面激光能量密度的目的。