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公开(公告)号：CN117747449A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311587002.0
申请日：2023-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明涉及一种基于转接板的芯片封装重构结构及制备方法，属于先进封装集成领域。其包括无硅通孔的转接板、WB型芯片、BGA焊球/LGA焊柱，在转接板上利用多层重分布线同时制作键合焊盘和倒装焊盘，并通过粘接胶将芯片与转接板组装，接着在转接板倒装焊盘上植球/柱，并利用键合丝将转接板键合焊盘和芯片进行互联，从而完成芯片由原始引线键合形式到倒扣封装形式的转变以及芯片引脚的重新定义。本发明可解决引线键合芯片封装面积大、硅通孔造价高、制备周期长等难题，可广泛用于高密度系统级封装中。
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公开(公告)号：CN114815331B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210425168.1
申请日：2022-04-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明提供了一种应用于微波光子的光学全加器导向逻辑器件，包括六个微环谐振器和三个Y分支耦合器，该光学全加器导向逻辑器件有三个待计算的电脉冲序列输入，输出的是经过计算后的光脉冲序列，本发明光学全加器导向逻辑器件制作工艺与COMS工艺完全兼容，使得器件体积小、速度快、功耗低、便于集成，有望在微波光子通信与光子计算机中发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN115037357B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210642416.8
申请日：2022-06-08
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明适用于卫星通讯技术领域，提供了一种瓦片式下变频器、相控阵天线系统及卫星通信系统，该瓦片式下变频器包括：陶瓷基板、多个射频信号接口、多个组件供电控制接口、射频电路、本振电路、中频电路、至少一个本振接口、至少一个中频接口和至少一个变频器供电控制接口；多个射频信号接口、多个组件供电控制接口、射频电路、本振电路和中频电路设置于陶瓷基板的第一侧面，至少一个本振接口、至少一个中频接口和至少一个变频器供电控制接口设置于陶瓷基板的第二侧面，第一侧面与第二侧面相对；射频信号接口与组件供电控制接口数量相同。本申请的瓦片式下变频器具有剖面高度低、集成度高、可拓展性强和一致性强的优点。
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公开(公告)号：CN115616763A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211264453.6
申请日：2022-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明提出了一种高集成光电一体化的光控相控阵前端，应用于光控相控阵领域。基于光控相控阵前端工作原理，提出三维堆叠垂直互联、稳定温度控制的瓦片式结构设计方案。通过LTCC基板低成本易布线的优势实现射频、控制信号的统一规划转接，利用硅基异构集成技术充分发挥硅基集成度高、高密度布线的优点，将光电信号处理功能集成在同一层内，采用TSV技术实现层间信号传输提高信号稳定性与一致性。本发明突破三维微波信号高效传输、高性能集成化微组装、高密度微波馈入路径、高频陶瓷制备工艺等技术，获得高集成性、高稳定性的光电一体化的光控相控阵前端。
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公开(公告)号：CN115407534A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211050104.4
申请日：2022-08-31
摘要： 本发明属于光通信与微波光子技术领域，提供了一种无光纤高集成的全电反馈控制的光控信号处理模块，通过异质异构集成技术将片上激光器、薄膜铌酸锂调制器、可调光延时线、可调光衰减器、调制器监测光电转换装置、监测光电转换装置以及高速光电转换装置集成在一个全集成微波光子波束形成芯片上。同时，将薄膜铌酸锂调制器自动反馈控制模块、直流稳压驱动接口、直流偏置接口、射频接口、集成Bias‑Tee以及直流控制与监测接口集成在一个多功能、一体化控制电路板上。本发明在实现“电入电出”的超宽带光控波束形成的同时，全面消除光纤带来的影响，能够极大的缩减模块的体积，使得器件体积小，扩展性好，便于与其他元件整合。
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公开(公告)号：CN114740943A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210576746.1
申请日：2022-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种低噪声带隙基准电路，涉及硅基电源领域。该电路包括偏置电流产生模块、稳定性补偿模块、带隙基准电压产生模块；偏置电流产生模块包括第一~第六晶体管、第一~第二三极管、第一~第三电阻；稳定性补偿模块包括第四电阻和第一电容；带隙基准电压产生模块包括第七~第八晶体管、第五~第九电阻、第三~第四三极管。本发明适于CMOS工艺实现，具有输出噪声电压低、温度特性高、架构简单的特点，可以实现低噪声的带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN114664746A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210285646.3
申请日：2022-03-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/13 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52
摘要： 本发明提供了一种一体化三维集成系统级封装架构及其封装方法，属于系统级封装技术领域；其包括陶瓷基板、密闭围框、盖板以及BGA焊球，陶瓷基板分为上下两层，基板上面开粘接芯片的微腔，密闭围框焊接在下层陶瓷基板上面，盖板焊接在密闭围框上，陶瓷基板下面设置BGA焊盘，BGA焊球通过BGA焊盘焊接在陶瓷基板下面，上下两层陶瓷基板通过上层陶瓷基板焊接的BGA球进行互联焊接。本发明还提供集成架构的封装方法。本发明内部集成密度提升近一倍，对外互联接口及气密封装的体积占用率大大降低，同时具备结构简单、装配步骤少，是实现一体化三维集成系统级封装的有效方式。
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公开(公告)号：CN114122742A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111388666.5
申请日：2021-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种基于矩形微同轴技术的波导缝隙阵列天线，属于微波天线技术领域。包括金属波导缝隙阵列天线、微同轴传输线、同轴‑波导转换过渡结构和Butler矩阵。所述金属波导缝隙阵列天线具有4条均匀排布缝隙，分布在微同轴结构上表面，通过缝隙向外空间辐射电磁波。所述同轴‑波导转换过渡结构设置在金属波导缝隙阵列天线和微同轴传输线之间，通过微同轴渐变结构过渡匹配到脊波导，随后通过脊波导渐变匹配到波导实现同轴‑波导结构转换。本发明具有结构紧凑、辐射效率高、高隔离、馈电损耗小、互耦效应低和易于集成的优点。
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公开(公告)号：CN114019611A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111350093.7
申请日：2021-11-16
申请人： 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： G02B6/35
摘要： 本发明公开了一种基于微环谐振器的波长选择性光延时线，包括N个波长选择性2×2光开关单元，N≥2，其中：N个波长选择性2×2光开关单元均包括2个左侧端口及2个右侧端口；每个波长选择性2×2光开关单元包括M个偶数阶微环谐振器，M≥1；所述N个波长选择性2×2光开关单元串联连接。
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公开(公告)号：CN112272011A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011368459.9
申请日：2020-11-30
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 本发明公开了一种具有边带抑制功能的电流复用低噪声放大器，属于射频集成电路技术领域。该放大器包含的电流复用放大单元具有低功耗的特点，边带抑制功能由连接在晶体管栅极、反馈支路和输出支路的陷波器实现，多陷波器设计一方面可以提升低噪声放大器的边带抑制能力，另一方面能够拓展抑制信号的带宽。陷波器非输入端连接的设计还能够避免陷波器对低噪声放大器噪声性能的恶化。本发明可应用于集成收发通道的低功耗射频系统中。
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