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公开(公告)号：CN106910709B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201510974155.X
申请日：2015-12-22
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8238
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有CMOS器件，在所述CMOS器件的层间介电层中形成有接触开口，以露出所述半导体衬底；步骤S2：在所述层间介电层上、露出的所述半导体衬底上以及所述接触开口的侧壁上形成屏蔽层，在形成所述屏蔽层的同时或者之后对所述屏蔽层进行等离子处理，以使所述屏蔽层致密化；步骤S3：在所述接触开口中填充导电材料，以形成电连接。本发明所述方法可以带来如下优点：1)重新调配TiN薄膜的穿透方向，使WF6穿过的几率降低。2)改善屏蔽层TiN的致密性，有效阻挡WF6穿过TiN与Si接触。
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公开(公告)号：CN105990099B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510095276.7
申请日：2015-03-03
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种MIM电容器及其制作方法，在形成第一金属层之后先进行退火，然后依次在第一金属层上沉积第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层，并且第二绝缘层中硅元素与氮元素的比值大于所述第一绝缘层与所述第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值，从而降低第一金属层的表面应力，改善第一金属层表面的异常析出现象，并且由于第一绝缘层与第三绝缘层中硅元素与氮元素的比值减小，从而减小了与第一金属层以及第二金属层相接触的表面上的悬空键，提高了电容器的电场耐受力，最终提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN109427667A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710778298.2
申请日：2017-09-01
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/265
摘要： 本申请公开了一种具有物理不可克隆功能的器件及其制造方法、芯片，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括：衬底，包括加密器件区和基准器件区；在加密器件区上的一个或多个用于加密器件的第一栅极结构及其侧壁上的第一间隔物层；在加密器件区和第一间隔物层上的第一互连层；在基准器件区上的一个或多个用于基准器件的第二栅极结构及其侧壁上的第二间隔物层；及在基准器件区和第二间隔物层上的第二互连层；执行第一离子注入，以在第一互连层中引入第一杂质；执行第二离子注入，以在第一和第二互连层中引入第二杂质；其中，具有物理不可克隆功能的器件的密码根据每个加密器件的漏电流和与该加密器件对应的基准器件的漏电流来确定。
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公开(公告)号：CN106158735B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510198772.5
申请日：2015-04-21
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于形成硅通孔的凹槽；形成覆盖所述凹槽侧壁和底部用于吸收膨胀应力的保护层；在所述保护层上形成至少一层过渡层；用金属铜填充所述凹槽，其中，所述过渡层采用金属材料，且所述过渡层的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。本发明提出的半导体器件的制作方法，在形成硅通孔时在硅和铜之间加入热膨胀系数较小的金属材料来形成Si/Cu之间的过渡层来减小两种材料之间的热不匹配性，经过过渡层到金属铜层，材料的热膨胀系数逐渐增大，从而可有效降低各层材料之间的热不匹配性，进而避免出现分层或铜层凸起问题。
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公开(公告)号：CN108878350A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710322574.4
申请日：2017-05-09
发明人： 李广宁
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76838
摘要： 本发明公开了一种金属层结构及其制作方法、半导体结构及其制作方法，本发明通过在一基底上形成第一阻挡层和在所述第一阻挡层上形成一导电层的步骤之间，增加对所述第一阻挡层进行等离子体处理工艺，不仅可以减少所述第一阻挡层表面的碳含量，降低金属层结构的接触电阻，而且为后续导电层的形成提供一个良好的生长界面，有利于后续导电层的晶粒均匀生长。从而，得到表面平整的金属层结构，有利于半导体结构的后续工艺，提高半导体结构的良率和性能。
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公开(公告)号：CN105826164B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510007145.9
申请日：2015-01-07
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336
摘要： 本发明提出了一种通孔的清洗方法及半导体器件的制备方法，在干法刻蚀形成后层通孔之后，为了去除干法刻蚀引入的电荷，先采用紫外线对后层通孔进行照射处理，中和去除大约三分之一至三分之二的电荷，再采用二氧化碳和碱性溶液的混合溶液对后层通孔中进行降电势差处理，从而在后续进行正常湿法去除工艺中，能够减少前层通孔连线的电势差，很大程度上减小电解反应对前层通孔连线造成的腐蚀，确保形成后层通孔后前层通孔连线依旧性能良好，进而能够保证半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN104422824B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310398839.0
申请日：2013-09-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R27/14
摘要： 本发明提供一种金属薄膜电阻率的测量方法，所述测量方法包括步骤：提供表面形成有金属薄膜的半导体衬底，制作有机保护膜；提供测量机台，所述测量机台上的探针以第一速度向有机保护膜运动；所述探针接触有机保护膜后以第二速度在有机保护膜中运动，其中，所述第二速度小于第一速度；所述探针运动至金属薄膜表面，停止运动，读取电压和电流值，从而计算出金属薄膜的电阻率。本发明在金属薄膜的表面制作一层有机保护膜，先以第一速度将探针快速下降至有机保护膜表面，之后探针以第二速度扎破有机保护膜并缓慢下降至金属薄膜表面，采用两种不同的探针速度，极大地减少了金属薄膜被扎破的几率，提高产品测试成功率，缩短测量周期。
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公开(公告)号：CN105084295B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410172282.3
申请日：2014-04-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面依次形成吸气层和阻挡层；在所述阻挡层上形成电子元件层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面形成有凹槽；进行键合工艺，以将所述第一晶圆正面和所述第二晶圆背面相结合，形成密闭空腔。根据本发明提出的制作方法，在密闭空腔中形成新的防护结构，能使空腔的真空度得到很好的维持，进而提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104253034B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310261394.1
申请日：2013-06-26
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构；步骤二：对所述半导体衬底进行电解抛光；以及步骤三：对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨。采用本发明的半导体器件的制造方法，可以有效减少因为凹陷而导致的不良，从而提高良率，并且能够有效降低步骤三中化学机械研磨的负担，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104253110B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310270969.6
申请日：2013-06-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/80895 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种衬底间通孔连接结构及其制造方法，在TSV结构的介质层和金属通孔之间形成阻挡层，所述阻挡层包括一BCB树脂层，所述BCB树脂层利用BCB树脂材料的粘附性和塑性变形能力这两个特点，释放在TSV结构和工艺过程中的应力，从而消除或减少介质层‑阻挡层‑金属通孔分离的现象，提高产品的可靠性和良率。
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