公开(公告)号：CN107658273A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201610816082.6

申请日：2016-09-09

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 金进勇 ,  郑季洋 ,  元秋亨 ,  安旷黄 ,  林河贞 ,  李泰勇 ,  贝俊明

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/488 ,  H01L24/43

摘要： 本发明提供一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置以及其制造方法。

公开(公告)号：CN107492538A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710431549.X

申请日：2017-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0537 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/365 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L23/5386

摘要： 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。

公开(公告)号：CN107134430A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710234357.X

申请日：2017-02-28

申请人： 商升特公司

发明人： 黄昌俊 ,  J·克拉克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0255 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296

摘要： 本发明公开堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法。一种半导体装置具有包括第一保护电路的第一半导体管芯。包括第二保护电路的第二半导体管芯被设置在第一半导体管芯上面。移除第一半导体管芯和第二半导体管芯的一部分以减小管芯厚度。形成互连结构以共同地连接第一保护电路和第二保护电路。使入射到互连结构的瞬变情况共同地通过第一保护电路和第二保护电路放电。具有保护电路的任何数目半导体管芯可以被堆叠并经由互连结构而互连以增加ESD电流放电能力。可以通过将第一半导体晶片设置在第二半导体晶片上面然后将晶片单片化来实现管芯堆叠。替换地，使用管芯到晶片或管芯到管芯组装。

公开(公告)号：CN104037102B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN103824867B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310573253.3

申请日：2013-11-15

申请人： (株)赛丽康

发明人： 全寅均

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于电连接晶圆的方法，该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆，并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合，并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此，由于可以简化制造工艺，故可以减少工艺错误，并且可以改善产品产量。

公开(公告)号：CN103066033B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210593566.0

申请日：2008-08-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  汤川干央

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/83138 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体装置，本发明的目的在于提供一种可以使IC芯片、LSI芯片等半导体芯片实现进一步的薄型化的技术。此外，本发明的目的还在于提供一种在三维半导体集成电路中通过使LSI芯片更薄型化且层叠而可以提高集成密度的技术。通过利用CMP等对形成有集成电路的半导体衬底进行研磨，在半导体衬底中形成脆弱层，然后通过分离半导体衬底的一部分，来使半导体衬底薄膜化，而取得具有至今未有的薄度的IC芯片、LSI芯片等半导体芯片。此外，通过层叠这种薄型化了的LSI芯片，并利用贯穿半导体衬底的布线使它们电连接，而取得集成密度提高的三维半导体集成电路。

公开(公告)号：CN105023917A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410848122.6

申请日：2014-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  陈明发 ,  叶松峯

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/89 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8019 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

摘要： 根据实施例，本发明提供了一种封装件，该封装件包括第一器件封装件以及设置在第一器件封装件上方的扇出型RDL。扇出型RDL延伸超过第一器件封装件的边缘。第一器件封装件包括具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)的第一管芯、具有设置在第二衬底上的第二RDL的第二管芯、位于第一管芯上方并且沿着第二管芯的侧壁延伸的隔离材料、以及导电通孔。第一RDL接合至第二RDL，并且第一管芯和第二管芯包括不同的横向尺寸。导电通孔的至少一部分从隔离材料的顶面延伸至与第一RDL中的第一导电元件接触。

公开(公告)号：CN104851848A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410053580.0

申请日：2014-02-17

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 侯元琨 ,  游宽结 ,  华宇 ,  赵月林

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L22/12 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/2761 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/30145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/8081 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80

摘要： 本发明涉及一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C-SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。本发明的优点在于：（1）所述接合晶圆边缘上设置的密封结构可以在C-SAM检测过程中将水封锁在晶圆之外。（2）可以根据预先设定的检测方法选用C-SAM对所述晶圆接合质量进行检测。（3）所述晶圆在C-SAM检测之后不会受到损坏。

公开(公告)号：CN104716086A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410575580.7

申请日：2014-10-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 川崎敦子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。

公开(公告)号：CN104576637A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410553385.4

申请日：2014-10-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 匡训冲 ,  朱彦璋 ,  萧清泰 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/18 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了3D集成电路及其形成方法。一种集成电路结构包括封装组件，该封装组件进一步包括具有第一孔隙率的非多孔介电层和位于该非多孔介电层上方并与该非多孔介电层接触的多孔介电层，其中多孔介电层的第二孔隙率高于第一孔隙率。接合焊盘穿透非多孔介电层和多孔介电层。介电势垒层位于多孔介电层上方并与多孔介电层接触。通过介电势垒层而暴露接合焊盘。介电势垒层具有平坦顶面。接合焊盘的平坦顶面高于介电势垒层的底面。