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公开(公告)号:CN108807361A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810574346.0
申请日:2017-07-25
申请人: 长鑫存储技术有限公司
发明人: 不公告发明人
IPC分类号: H01L25/18 , H01L23/488
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73265 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/18 , H01L24/08 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/08057 , H01L2224/08245
摘要: 本发明公开了一种芯片堆栈立体封装结构,包括:存储器芯片堆栈体,存储器芯片堆栈体的一安装表面包括一覆晶接合区;重布线层,形成于存储器芯片堆栈体的安装表面上;基板,具有一窗口孔,存储器芯片堆栈体的安装表面安装于基板下,以使得存储器芯片堆栈体的覆晶接合区显露在基板的窗口孔中;及缓存芯片,经由窗口孔对准地设置于存储器芯片堆栈体的覆晶接合区上,缓存芯片覆晶接合于重布线层。将基板和缓存芯片分布设置于重布线层的一面,存储器芯片堆栈体设置于重布线层的另一面,通过重布线层实现了基板与缓存芯片连接,缓存芯片与存储器芯片堆栈体连接,不仅减小了封装结构的厚度,缩小了封装结构的体积,缩短了信号传输路径。
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公开(公告)号:CN104603921B
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201280075614.5
申请日:2012-09-04
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/498 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/034 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014
摘要: 本申请的发明所涉及的半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件;表面电极,其形成在该半导体元件的表面;金属膜,其形成在该表面电极上,具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部;焊料,其避开该应力缓和部而与该接合部接合;以及外部电极,其经由该焊料而与该接合部接合。
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公开(公告)号:CN105226035B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201510535157.9
申请日:2011-05-11
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/525 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/06
CPC分类号: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
摘要: 本发明提供一种晶片封装体,该晶片封装体包括:一下基底;一上基底,具有一上表面及一下表面,且设置于下基底上方;一凹口,邻近于上基底的一侧壁,其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成;一元件区或感测区,位于上基底的上表面;一导电垫,位于上基底的上表面;以及一导电层电性连接导电垫,且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程,且可显著缩减制程时间与成本。
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公开(公告)号:CN103646848B
公开(公告)日:2018-06-05
申请号:CN201310435963.X
申请日:2005-06-02
申请人: 伊利诺伊大学评议会
IPC分类号: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L31/0392 , H01L29/06
CPC分类号: H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。
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公开(公告)号:CN107591375A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201710547295.8
申请日:2017-07-06
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56
CPC分类号: H01L24/02 , G06K9/00013 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/0237 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02381 , H01L2224/03019 , H01L2224/04105 , H01L2224/08221 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/73259 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/10155 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/19
摘要: 一种晶片封装体及其制作方法,该晶片封装体包含晶片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。晶片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于晶片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上,且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上,使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间,而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。晶片封装体的感应器因无间隔件覆盖,可提升晶片封装体的感测能力。
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公开(公告)号:CN104465418B
公开(公告)日:2017-12-19
申请号:CN201410818160.7
申请日:2014-12-24
申请人: 通富微电子股份有限公司
发明人: 石磊
CPC分类号: H01L21/561 , H01L21/4821 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49861 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73251 , H01L2224/80904 , H01L2224/81005 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/85005 , H01L2224/85439 , H01L2224/85464 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/01046 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/48 , H01L2224/80 , H01L2224/85 , H01L21/56 , H01L2924/066
摘要: 本发明提供一种扇出晶圆级封装方法,包括以下工艺步骤:提供载板;在载板上贴上一层可剥离保护膜,并在特定区域形成图形开口;在所述的图形开口中形成金属层;将带有金属层的保护膜从载板上剥离;将芯片安装在所述的在金属层上,并进行打线或植球;对芯片和金属布线进行塑封。本发明的技术方案,工艺简单,封装精度高,成本低,能够适用于高密集的I/O端封装结构中,特别适用于薄型封装工艺中。
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公开(公告)号:CN104054171B
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201280053476.0
申请日:2012-08-03
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L23/4825 , H01L21/6835 , H01L21/76819 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5223 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L29/1054 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/73251 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/804 , H01L2224/80487 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要: 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层,器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。
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公开(公告)号:CN106887422A
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201610688826.0
申请日:2016-08-19
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/02068 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/32051 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4864 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76888 , H01L21/76898 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53228 , H01L23/53295 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L33/62 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/1183 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/13101 , H01L2224/13111 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/0541 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/49894 , H01L21/4803 , H01L23/49811 , H01L23/49838
摘要: 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层,并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物,并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。
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公开(公告)号:CN106601633A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201610719555.0
申请日:2016-08-25
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/08 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L23/3107 , H01L24/05 , H01L2224/02381
摘要: 本发明的实施例提供了一种方法,包括:提供具有凹槽的载体以及将管芯附接至载体,其中管芯至少部分地设置在凹槽中。该方法还包括:在载体上方并且围绕管芯的至少一部分形成模塑料,在模塑料上方形成多输出再分布层并且多输出再分布层电连接至管芯,以及去除载体。本发明的实施例还提供了集成多输出(INFO)封装件结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN106104770A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201480077088.5
申请日:2014-12-26
申请人: 株式会社晶磁电子日本
发明人: 黑田忠广
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号: H01L25/0652 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/18 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/08146 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/80006 , H01L2224/80203 , H01L2224/8083 , H01L2224/80986 , H01L2224/81005 , H01L2224/9202 , H01L2224/92125 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2224/92227 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/19107 , H01L2224/80 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/80001 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/20752
摘要: 涉及层叠半导体集成电路装置,通过廉价的结构缩小用于层叠的三维空间,并且提供足够的电源质量。在第1半导体集成电路装置上设置在厚度方向上贯通第1半导体基体并且与第1电源电位连接的第1贯通半导体区域,以及与第2电源电位连接的第2贯通半导体区域,层叠第2半导体集成电路装置,该第2半导体集成电路装置具有分别与第1贯通半导体区域和第2贯通半导体区域连接的第1电极和第2电极。
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