公开(公告)号：CN107527903A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710064099.5

申请日：2017-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李焯基 ,  黎钰琦 ,  曾家尉 ,  江哲维 ,  刘祈麟 ,  高章瑞 ,  杨荣展 ,  卢麒友 ,  庄惠中

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  G06F17/5081 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271

Abstract: 布局方法包括：通过处理器或手动选择集成电路的布局中的第一布局器件；在第一布局器件和第二布局器件之间的边界处选择邻接第一布局器件的第二布局器件，其中，导电路径设置为穿过第一布局器件和第二布局器件的边界；并且在导电路径上和边界附近设置切割层。第一布局器件是第一布局图案并且第二布局器件是与第一布局图案不同的第二布局图案。

公开(公告)号：CN102738218B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110426055.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿里·凯沙瓦齐 ,  郭大鹏 ,  宋淑惠 ,  曾祥仁 ,  林学仕 ,  鲁立忠 ,  吴忠政 ,  田丽钧 ,  杨荣展 ,  陈淑敏 ,  曹敏 ,  侯永清

IPC: H01L29/417 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开一种集成电路，包括用于第一类型晶体管的第一扩散区域。第一类型晶体管包括第一漏极区和第一源极区。用于第二类型晶体管的第二扩散区域与第一扩散区域分离。第二类型晶体管包括第二漏极区和第二源极区。栅电极在布线方向上跨过第一扩散区域和第二扩散区域连续地延伸。第一金属结构与第一源极区电连接。第二金属结构与第二漏极区电连接。第三金属结构设置在第一和第二金属结构之上并且与其电连接。第一金属结构的宽度基本等于或大于第三金属结构的宽度。

公开(公告)号：CN220584681U

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202321561926.9

申请日：2023-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严柏显 ,  高嘉鸿 ,  庄惠中 ,  杨荣展

IPC: G06F30/392 ,  H01L27/02

Abstract: 集成电路结构包括第一区块，包括多个第一单元，第一单元中的每一者具有第一单元高度；及第二区块，包括多个第二单元，第二单元中的每一者具有第二单元高度。第一区块以等于零或小于第一或第二单元高度中的任一者的间距设置在第二区块旁边。