公开(公告)号：CN107004719A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN102246128B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200980149534.8

申请日：2009-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  村井淳人

IPC: G02F1/1362 ,  H01L31/101 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: H01L31/101 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13312 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的显示装置具有显示部(100)和传感器电路部(200)，用于对上述传感器电路部(200)的电荷存储元件(202)提供电源的驱动配线RW与连接到上述显示部(100)的显示驱动用TFT元件(101)的栅极电极(102)的栅极配线G隔着层间绝缘膜重叠而形成。由此，即使内置传感器电路部，也可以实现能够抑制开口率的降低且减少配线之间所产生的寄生电容、提高传感器灵敏度的具有光传感器内置像素的显示装置。

公开(公告)号：CN102067072B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980122922.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  北川英树 ,  田中信也

IPC: G06F3/041 ,  G01J1/42 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876

Abstract: 矩阵型显示装置具备设置于显示区域并输出与照射光的强度对应的信号的光传感器(54)、构成将上述信号作为栅极输入的源极跟随器的n沟道型TFT(52)以及通过检测TFT(52)的源极跟随器输出来进行上述照射光的强度的检测的光强度检测单元，对TFT(52)的漏极输入第1脉冲信号(Vpulse2)，所述第1脉冲信号(Vpulse2)具有在上述信号输入到TFT(52)的栅极的状态下从低电平上升到高电平的第1脉冲。

公开(公告)号：CN101978505B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980110296.X

申请日：2009-01-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/86

Abstract: TFT(61)具备：第1电容(61b)，其由第2电容电极(64a)和连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)形成；第2电容(61c)，其由第3电容电极(62b)和第4电容电极(64b)形成；第1引出配线(62i)；第2引出配线(64h)，其连接到栅极电极(64)；第3引出配线(62j)；第4引出配线(64i)；第1配线(62c)；以及第2配线(64c)。由此，实现即使连接到TFT主体部的电容发生了漏电也难以使TFT整体的成品率降低的TFT。

公开(公告)号：CN102870220A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021486.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  北川英树 ,  村井淳人 ,  今井元 ,  田中信也 ,  今出光则 ,  菊池哲郎 ,  嶋田纯也 ,  森本一典

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/78663 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13624 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。

公开(公告)号：CN101946327B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200880126950.1

申请日：2008-10-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F2201/124 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0297 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极·漏极电极(4)的电极线(4a)分支的支电极(4b)与第一区域(R)开始交叉的部位(D)的第一区域(R)的外缘至电极线(4a)的距离(d1)为5μm以上。由此实现具有能够容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构的TFT。

公开(公告)号：CN101688993B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200880021979.3

申请日：2008-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  北川英树 ,  今井元 ,  原义仁 ,  今出光则 ,  嶋田纯也

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2203/03

Abstract: 本发明以低成本提供反射光的利用效率优异、高画质的反射型或者半透过型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置具有多个像素，在上述多个像素的各个中具有使入射光向显示面反射的反射部，上述反射部包括：具有多个开口部的金属层；和夹着绝缘层、形成在上述金属层上的反射层，上述反射层的表面具有根据上述金属层的截面形状形成的多个凹部和凸部，上述金属层的上述多个开口部中相邻的两个开口部之间的距离中，最短的距离为0.3μm以上3.0μm以下。

公开(公告)号：CN101558350B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200780045760.2

申请日：2007-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  北川英树 ,  今井元 ,  原义仁

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133555

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种低成本且高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具备使入射光朝向显示面反射的反射区域，其中，反射区域包括Cs金属层(金属层)、在Cs金属层的上面形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层的上面形成的半导体层、和在半导体层的上面形成的反射层。在反射层的表面形成有第一凹部、和位于第一凹部的内侧的第二凹部。Cs金属层和半导体层分别具有开口部，第一凹部和第二凹部的一方由Cs金属层的开口部形成，另一方由半导体层的开口部形成。

公开(公告)号：CN101663612B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780052574.1

申请日：2007-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  原义仁 ,  嶋田纯也 ,  今出光则 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。制造效率高地提供高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层的液晶显示装置，金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。

公开(公告)号：CN101978505A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110296.X

申请日：2009-01-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L28/86

Abstract: TFT(61)具备：第1电容(61b)，其由第2电容电极(64a)和连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)形成；第2电容(61c)，其由第3电容电极(62b)和第4电容电极(64b)形成；第1引出配线(62i)；第2引出配线(64h)，其连接到栅极电极(64)；第3引出配线(62j)；第4引出配线(64i)；第1配线(62c)；以及第2配线(64c)。由此，实现即使连接到TFT主体部的电容发生了漏电也难以使TFT整体的成品率降低的TFT。