公开(公告)号：CN108291329B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201680068330.1

申请日：2016-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/32

Abstract: 结晶基板1包括：由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含：在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下，低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下，高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3～1019/cm3，厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。

公开(公告)号：CN103890980A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280039160.6

申请日：2012-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  平尾崇行 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/32 ,  C30B9/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明为一种半导体发光元件，其具有13族元素氮化物膜（3）、设置在13族元素氮化物膜（3）上的n型半导体层（21）、设置在n型半导体层（21）上的发光区域（23）以及设置在发光区域（23）上的p型半导体层（25），所述13族元素氮化物膜是在晶种基板上通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液于含氮气氛下育成的，其特征在于，所述13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（2b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自13族元素氮化物膜（3）的晶种基板侧的界面（11a）起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（2b）被设置于夹杂物分布层上，且所述夹杂物缺乏层（2b）中缺乏夹杂物。

公开(公告)号：CN103563051A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201380001199.3

申请日：2013-05-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/32

Abstract: 在蓝宝石基板（2）的c面（2a）上设置多个凸部（3）。接着，在c面（2a）上通过气相法生长氮化镓晶体构成的衬底层（5）。接着，在衬底层（5）上通过助熔剂法设置氮化镓晶体层（6）。凸部（3）为六角柱形状或六角锥形状。利用凸部（3）周边的氮化镓晶体生长速度的差异，缓和蓝宝石与氮化镓晶体之间的应力，降低由其造成的裂纹或开裂。

公开(公告)号：CN103534391A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280013555.9

申请日：2012-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  东原周平 ,  平尾崇行 ,  坂井正宏 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/12 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24355

Abstract: 晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。

公开(公告)号：CN103429800A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014356.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  东原周平 ,  平尾崇行

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/406 ,  H01L31/1856

Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。

公开(公告)号：CN101611178B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880005131.1

申请日：2008-01-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/08 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625

Abstract: 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。

公开(公告)号：CN102803583A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080026135.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  森勇介 ,  北冈康夫 ,  三好直哉

Inventor： 岩井真 ,  东原周平 ,  森勇介 ,  北冈康夫 ,  三好直哉

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/12

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B35/002

Abstract: 通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。

公开(公告)号：CN101410557B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200780008791.0

申请日：2007-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 柴田直树 ,  岩井真 ,  平田宏治 ,  佐佐木孝友 ,  山崎史郎 ,  森勇介 ,  今井克宏 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN100532658C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610137998.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  平田宏治 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  山田祐嗣

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  H01L21/208

Abstract: 本发明提供一种用于生产Ⅲ族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由Ⅲ族氮化物化合物半导体形成，所述Ⅲ族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。

公开(公告)号：CN101415867A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011616.7

申请日：2007-04-05

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na－Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。