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公开(公告)号：CN1617306A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092387.4
申请日：2004-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1606128A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410080713.X
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：一个曝光部，该曝光部设置在一个腔体内，其用于对位于保护薄膜上的设计图案进行曝光，其中保护薄膜涂敷在一个晶片上；和一个液体回收部，该部用于将浸渍光刻技术所用的液体进送到晶片上，以在曝光过程中增加曝光光线的数值孔径，同时使液体循环流动。该液体回收部包括：一个液体供给部，该部用于将液体进送到晶片的保护薄膜上；一个液体排放部，该部用于排放和回收位于晶片上方的液体；和一个杂质清除部，该部用于容纳液体并将液体中所含的杂质清除掉。
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公开(公告)号：CN1592738A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823446.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物，使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法，进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体，例如耐热性高分子化合物，感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N－羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物，即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物，[式中，R，A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1524200A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN02802641.1
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167 , Y10S430/168
Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基。)
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公开(公告)号：CN1475029A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN01819060.X
申请日：2001-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31051
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1461040A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03131009.5
申请日：2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0045 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31058 , H01L21/31144
Abstract: 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。
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公开(公告)号：CN1417843A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02148111.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0045
Abstract: 一种图案形成方法，其特征在于，首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜；然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1－30nm波段的远紫外线以曝光图案，并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案；对抗蚀图案进行加热处理，使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。
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公开(公告)号：CN100573331C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510074297.7
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/0395 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/70991
Abstract: 一种曝光装置及图案形成方法，能够得到优良的由平板印刷制造的抗蚀膜，尤其是由液体浸泡平板印刷制造的抗蚀膜的形状。曝光装置，包括用洗净液(25)洗净形成在晶片(20)上的抗蚀膜表面的洗净部(30)，和在抗蚀膜和投影透镜(44)之间填充液体浸泡用液体(26)进行图案曝光的曝光部(40)。
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公开(公告)号：CN100423200C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410092387.4
申请日：2004-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置包括：液体供给部分，用于将液体供至所述平台上，所述平台用于保持芯片，抗蚀膜形成在芯片上；曝光部分，所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜；以及去除部分，用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样，已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上，因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此，诸如衍射异常等曝光异常能被防止，从而形成形状良好的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN100337161C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN02802641.1
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167 , Y10S430/168
Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，[化1](其中，R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是由酸而离去的保护基)。
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