公开(公告)号：CN107180753A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710088563.4

申请日：2017-02-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446

Abstract: 一种元件芯片的制造方法，在对保持在保持片的基板进行等离子体切割时提高产品的成品率。元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备将基板的第1主面粘接到保持片而保持在保持片的基板；载置工序，将保持了基板的保持片载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；和等离子体切割工序，将基板的分割区域等离子体蚀刻到第1主面，将基板单片化为多个元件芯片。等离子体切割工序包括：第1等离子体蚀刻工序，在载置台与保持片之间供给冷却用气体，同时等离子体蚀刻分割区域的厚度的一部分；和第2等离子体蚀刻工序，在第1等离子体蚀刻工序之后，停止冷却用气体的供给，等离子体蚀刻分割区域的剩余部分。

公开(公告)号：CN107180752A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710088442.X

申请日：2017-02-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 水野文二 ,  广岛满 ,  置田尚吾 ,  松原功幸 ,  针贝笃史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/82 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/82 ,  H01L23/31

Abstract: 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理起点来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：准备基板的工序；激光划片工序，对基板的分割区域照射激光而形成第1及第2损伤区域；各向异性蚀刻工序，将基板暴露于第1等离子体来除去第1损伤区域，并使第2损伤区域的一部分露出。还包括：保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域、分割区域和露出的第2损伤区域的一部分；保护膜蚀刻工序，将基板暴露于第2等离子体来除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖第2损伤区域的一部分的保护膜残留。还包括等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为元件芯片。

公开(公告)号：CN107154369A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710091498.0

申请日：2017-02-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/677 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/67011 ,  H01L2221/68327

Abstract: 一种等离子体处理方法，在对保持在运输载体的基板进行等离子体处理时，使产品的成品率提高。保持在运输载体的基板的等离子体处理方法包括：准备工序，准备运输载体，所述运输载体具备保持片和配置在该保持片的外周部的框架；基板保持工序，将基板粘接到保持片，使运输载体保持基板；以及张力增加工序，使保持片的张力增加。还包括：载置工序，在基板保持工序之后，将所述运输载体载置在所述载置台，使基板隔着所述保持片与所述载置台接触；以及等离子体处理工序，在该载置工序之后，对基板实施等离子体处理。此外，张力增加工序包括使保持片收缩的收缩步骤，收缩步骤在准备工序与等离子体处理工序之间进行。

公开(公告)号：CN107039345A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710062994.3

申请日：2017-01-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  松原功幸 ,  广岛满 ,  奥根充弘

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3178 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5446 ,  H01L23/3171

Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法以及元件芯片，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域的基板(1)进行分割而制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割为元件芯片(10)。而且，成为具备第一面(10a)、第二面(10b)以及形成有多个凸部的侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔保持在载体(4)上的状态。通过将元件芯片(10)暴露于第二等离子体，从而在元件芯片(10)的侧面(10c)形成保护膜(12c)，在形成该保护膜时，通过保护膜(12c)至少被覆形成在侧面(10c)的凸部，抑制安装过程中导电性材料向侧面(10c)爬升。

公开(公告)号：CN107039343A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710053291.4

申请日：2017-01-23

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  松原功幸 ,  广岛满 ,  奥根充弘

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5446 ,  B28D5/0005 ,  B28D5/0058

Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法及元件芯片，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在分割具有多个元件区域的基板来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，通过将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割成元件芯片(10)。而且，形成为具备第一面(10a)、第二面(10b)及连结第一面(10a)和第二面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔地保持在载体(4)上的状态。通过将这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦气的混合气体为原料气体的第二等离子体中，从而仅在侧面(10c)形成覆盖元件芯片(10)的保护膜(12)，抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。

公开(公告)号：CN106024565A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610032763.3

申请日：2016-01-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  松原功幸

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 一种等离子处理装置，具备：反应室；使反应室中产生等离子的等离子产生部；配置在反应室的内部，搭载具备基板、保持片和框架的输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的支撑部，在将输送载体搭载于工作台时，1)保持片的外周部与工作台接触后，静电吸附机构向电极部施加电压，电压的施加包含使电压的绝对值增减的操作，上述操作结束后，或2)保持片与工作台接触后，升降机构在工作台附近使支撑部分别上升及下降1次以上，支撑部的上升及下降结束后，且保持片的外周部与工作台接触后，等离子产生部产生等离子。

公开(公告)号：CN104616957A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410558116.7

申请日：2014-10-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明涉及等离子处理装置，提升等离子处理性能和冷却性能这两者。干式蚀刻装置(1)以保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置晶片(2)的区域是平坦部，不运用背面气体冷却。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置框架(6)的区域、和晶片(2)与框架(6)间的配置保持片(5)的区域形成第1槽结构部(43)。由第1传热气体提供部(41A)介由传热气体提供孔(45、46)向由第1槽结构部(43)和搬运载体(4)划定的微小空间提供来自稀有气体源(48)的传热气体(背面气体冷却)。