具有三个半桥结构的传感器系统

    公开(公告)号:CN105222812A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510354113.6

    申请日:2015-06-24

    IPC分类号: G01D5/12

    摘要: 描述了用于感测物理量的传感器系统(100)和方法。所述传感器系统(100)包括:(a)第一传感器路径(110);(b)第二传感器路径(120);(c)第三传感器路径(130);以及(d)信号处理设备(150),所述信号处理设备与第一中间节点(115)、第二中间节点(125)以及第三中间节点(135)相连接,并且信号处理设备配置用于基于(a)第一中间节点(115)处给出的第一电变量(vha)、(b)第二中间节点(125)处给出的第二电变量(vhb)以及(c)第三中间节点(135)处给出的第三电变量(vhc)来处理对感测的物理量的加以指示的输出信号(out)。

    磁传感器和磁传感器驱动方法

    公开(公告)号:CN102680918B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201210023082.2

    申请日:2012-01-19

    发明人: 张振洪

    IPC分类号: G01R33/06 G01R33/09 G01R33/07

    摘要: 公开了磁传感器、磁传感器驱动方法和计算机可读记录介质。磁传感器包括脉冲发生器、磁电转换元件以及切换器,该脉冲发生器生成具有比来自外部间歇电源的间歇电源信号的通电时间短的脉冲宽度的脉冲,该切换器基于脉冲来控制在通电时间内的间歇电源信号对磁电转换元件的信号施加时间。该磁电转换元件例如是输出两个检测信号的MR元件,两个检测信号的信号电平之间的大小关系由外部磁场的场强改变。磁传感器还可包括对两个检测信号进行放大的放大器和比较经放大的两个检测信号的比较器。

    磁传感器装置
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103257324A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310050784.4

    申请日:2013-02-08

    发明人: 村冈大介

    IPC分类号: G01R33/07

    摘要: 本发明提供磁传感器装置。为了设定检测电压电平,需要设置由泄放电阻器构成的检测电压设定电路,电路结构复杂。此外,由于霍尔元件与上述检测电压设定电路的电源系统是分开的,所以存在由于该影响而产生检测电压电平误差的问题。此外,为了去除各偏移成分,需要两次采样阶段和1次比较阶段共计3次信号处理期间。作为解决手段,构成为:利用4个开关,对霍尔元件的各端子以及一端与GND连接的可变电阻器的另一端进行切换和连接。由此,能够利用小规模电路任意设定磁场强度的检测电压电平,检测电压电平仅由电阻比决定,所以不受电源电压或制造偏差的影响。在本结构中,简化了信号处理,可实现高速化。

    接收装置、测试装置、接收方法及测试方法

    公开(公告)号:CN102422173A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200980159217.4

    申请日:2009-05-25

    发明人: 鹫津信荣

    IPC分类号: G01R31/319

    摘要: 本发明提供一种接收装置,其使用从接收信号的边缘再生的再生时钟来导入所述接收信号。该接收装置具有:生成再生时钟的再生时钟生成部;与再生时钟的脉冲对应,产生相位彼此相异的多个选通的多重选通产生部;检测部,基于多个选通的各自时序中的接收信号的值,检测相对于多个选通的接收信号的边缘位置;调整部,其对应接收信号的边缘位置,调整再生时钟的相位;以及导入部,其在相对于再生时钟偏离了预先设定的设定相位差的量的时序中,导入接收信号。

    磁传感器
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102193072A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201010596371.2

    申请日:2010-12-20

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: G01R33/02 G01D5/14

    摘要: 本发明提供一种磁传感器,包括自旋阀型磁阻效应元件、电压检测部、线圈以及电流控制部,上述线圈通过流通电流,对上述自旋阀型磁阻效应元件提供测定用磁场,上述电压检测部在检测出上述自旋阀型磁阻效应元件的输出电压成为规定的电压值时,将检测信号输出给上述电流控制部,上述电流控制部控制上述电流,以使上述测定用磁场的强度从初始值单方面增加或单方面减少,在输入了上述检测信号时,将上述电流控制为使上述测定用磁场的强度回到上述初始值,上述初始值是对上述自旋阀型磁阻效应元件提供饱和磁化的磁场的强度。

    具有包括磁阻效应元件的桥接电路的磁传感器

    公开(公告)号:CN101988956A

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN201010243163.4

    申请日:2010-07-28

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: G01R33/09

    摘要: 一种用于检测外部磁场的方向的磁传感器,包括:桥接电路,被配置为提供根据外部磁场的方向而改变的输出,桥接电路包括四个电阻元件部分,每个电阻元件部分包括至少一个磁阻效应元件;以及两个电阻器,连接至桥接电路的相应输出端子。当每个电阻元件部分的电阻对应于磁阻的改变而处于最小值时,每个电阻器的电阻与桥接电路的电阻之比至少是2。

    磁数据处理设备、磁数据处理方法和磁数据处理程序

    公开(公告)号:CN101950004A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010226562.X

    申请日:2010-07-08

    发明人: 半田伊吹

    IPC分类号: G01R33/02 G01C21/08

    摘要: 本发明公开一种磁数据处理设备、磁数据处理方法和磁数据处理程序。在磁数据处理设备中,累积部分连续获取从3D磁传感器输出的磁数据以提供磁数据的新近统计总体。过去统计总体存储部分将累积作为新近统计总体的磁数据之前的从3D磁传感器输出的磁数据作为过去统计总体存储。确定部分确定新近统计总体分布是否满足特定条件,当新近统计总体不满足特定条件时,确定过去和新近统计总体的混合统计总体是否满足另一个条件。当新近统计总体满足特定条件时,偏移量导出部分基于新近统计总体导出磁数据偏移量;当混合统计总体满足另一个条件时,偏移量导出部分基于混合统计总体导出磁数据偏移量。过去统计总体存储部分使用新近统计总体更新过去统计总体。