公开(公告)号：CN101288157A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680037904.5

申请日：2006-10-06

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松浦广行 ,  中尾贤

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/67303 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明提供一种处理装置，其包括：多层搭载被处理基板的保持具；收纳上述保持具，并在规定的温度和压力的处理气体氛围下对被处理基板实施规定的热处理的处理容器；向上述处理容器内导入处理气体的气体导入部；将上述处理容器真空排气至规定的压力的排气部；和对上述处理容器进行加热的加热部，该处理装置的特征在于：在上述保持具上设置有当被收纳于上述处理容器内时针对每个被处理基板形成处理空间的隔壁板，上述气体导入部具有以位于各处理空间的一侧侧面的方式设置的气体导入孔，上述排气部在各处理空间的另一侧侧面具有以与上述气体导入孔相对的方式设置的排气孔。

公开(公告)号：CN101090084A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710109640.6

申请日：2007-06-04

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： M·A·皮克林 ,  J·S·戈尔拉 ,  J·L·特里巴 ,  T·佩恩

IPC分类号： H01L21/673 ,  F16B19/00

CPC分类号： H01L21/67303

摘要： 一种晶片固定设备，该设备包括多个棒，这些棒在相对的端部通过接头与端板相连，所述接头包括具有内圆角半径的凸缘。所述连接设备的组成部件的接头提供了稳定的晶片固定设备，该设备可以用来进行人工操作，还可耐受半导体晶片处理室的严酷的处理条件。

公开(公告)号：CN100352032C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200480003487.3

申请日：2004-03-22

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 今井正幸

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/6875 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

摘要： 本发明是提供一种不会发生由高温热处理引起的伤痕或滑移位错，且加工容易、可降低成本的热处理用晶片支持器具及热处理装置。本发明的热处理用晶片支持器具，是至少具有支持热处理的晶片的多个晶片支持构件、和保持该支持构件的支持构件支撑器的热处理用晶片支持器具，其特征在于：所述多个晶片支持构件中的至少一部分支持构件是，其与所述晶片的接触部相对于所述支持构件支撑器可动。

公开(公告)号：CN101048852A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580037157.0

申请日：2005-08-16

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 罗伯特·C·库克 ,  罗纳尔多·斯蒂文斯 ,  皮特·舒瓦茨 ,  塞萨尔·特杰姆 ,  维乔恩·尼尔森 ,  加布雷尔·奥德曼 ,  阿杰特·帕拉尼普 ,  萨姆纳斯·内吉 ,  麦克尔·帕腾

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67303 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67383

摘要： 一种用于平行晶圆处理反应器的基板载具支撑多个基板。基板载具包括多个基座，其可以是在垂直层中水平排列的热板或者圆环。基板安装在位于设置在基座外围周围的两个或多个支架上的各对基座之间。在各对基座之间基板的数量可以相同或者不同，但是在最少一对基座之间数量为两块或更多。

公开(公告)号：CN1806321A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016571.9

申请日：2004-06-04

申请人： 统合材料股份有限公司

发明人： 包义森·E·詹姆斯 ,  德莱尼·劳伦斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/792

CPC分类号： B23K10/02 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67306 ,  Y10T428/24421

摘要： 一种将两个硅部件(32，36)连接在一起的方法及该黏合起来的组件，该部件被组装于该组件中，以使该部件隔着一接缝(40)相互对齐。从硅粉末得到的硅被等离子喷涂而横跨该接缝并形成一硅涂层(44)，其黏合至位于该接缝的两侧上的该硅部件，借以将该部件黏合在一起。被等离子喷涂的硅可密封一下部的旋压玻璃(SOG)黏合层或作为主要黏合剂，在该例子中，穿通的榫眼是较佳的，使得两层硅层被等离子喷涂在榫眼的相反端上。一硅片塔(10)或晶舟可以是最终的产品。可利用该方法将片段或侧片安排成圆圈状而形成一环(128)或一管。等离子喷涂硅可修补形成在硅部件(162)上的裂痕或碎片(160)。

公开(公告)号：CN1748301A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003487.3

申请日：2004-03-22

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 今井正幸

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/6875 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

摘要： 本发明是提供一种不会发生由高温热处理引起的伤痕或滑移位错，且加工容易、可降低成本的热处理用晶片支持器具及热处理装置。本发明的热处理用晶片支持器具，是至少具有支持热处理的晶片的多个晶片支持构件、和保持该支持构件的支持构件支撑器的热处理用晶片支持器具，其特征在于：所述多个晶片支持构件中的至少一部分支持构件是，其与所述晶片的接触部相对于所述支持构件支撑器可动。

公开(公告)号：CN1416153A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02126916.5

申请日：2002-07-25

申请人： F.T.L股份有限公司 ,  崇越科技股份有限公司

发明人： 高木干夫

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/68707

摘要： 一种加热炉与半导体基板装载治具的组合，其为由耐火断热材料所构成的炉体及含有配置于炉体之内侧面的加热体所构成直立炉或横置炉，以及在其反应管的均热区内可将一片或二片之半导体基板以其面与炉的长轴方向一致，且可自由前进后退的方式装载的基板装载治具所构成的组合。此组合的特征为加热体与半导体基板的面成实质上平行。依照本发明的加热炉与半导与基板装载治具的组合进行RTP的话，加热炉之床占有面积(footprint)可变小。

公开(公告)号：CN108780766A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680083323.9

申请日：2016-03-08

申请人： 瑞士艾发科技

发明人： R.洛德 ,  M.沙费 ,  J.卫查尔特

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

摘要： 加热器室和/或冷却器室（1）包括热储存块或热储存组块（3）。在块中有多个平行的、堆叠的缝穴（17），其每一个的尺寸适于容纳单个板状工件。缝穴（7）的工件处理开口（11）由门装置（13）开启以及相应地覆盖。缝穴（7）被制成为紧密地环绕其中的板状工件，以便在热储存块或热储存组块（3）与待冷却或待加热的工件之间形成高效的热传递。

公开(公告)号：CN107924840A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082519.1

申请日：2015-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 立野秀人 ,  原大介 ,  奥野正久 ,  定田拓也 ,  塚本刚史 ,  田中昭典 ,  角田彻 ,  堀井贞义

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757

摘要： 提供衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；气化器，其将液体原料气化从而生成反应气体并将其与载气一起作为处理气体送出，气化器具备气化容器、液体原料导入部、载气导入部、和加热液体原料的加热器；载气供给控制部，其控制载气的供给量；液体原料供给控制部，其控制液体原料的供给量；处理气体供给管，其将处理气体导入处理室内；处理气体温度传感器，其对从气化器被送出至处理气体供给管内的处理气体的温度进行检测，及控制部，其基于由处理气体温度传感器检测到的处理气体的温度，调节加热器的温度。由此，即便在低温条件下，也能够抑制处理装置内的处理气体的液滴化、雾化等，提高在由处理气体处理的衬底上形成的膜的品质。

公开(公告)号：CN107665844A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710632240.7

申请日：2017-07-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·门格尔 ,  A·尼德霍费尔 ,  H·塔梅 ,  N·文格尔

IPC分类号： H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67769 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67386 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/67333

摘要： 本发明涉及一种晶片盒、一种用于将晶片布置在晶片盒中的方法、一种晶片保护板和一种用于保护晶片的方法。所述晶片盒能够具有带有用于接收至少一个布置在壳体底部上方的晶片的接收空间的壳体、至少一个与所述壳体底部连接的固定结构和至少一个固定装置，所述固定结构从所述壳体底部延伸出来，所述固定装置能够以相对于所述壳体底部可变的距离固定在至少一个固定结构上，其中，所述固定装置和所述固定结构如此构型，使得借助于至少一个固定在所述固定结构上的所述固定装置能够将至少一个布置在所述接收空间中的所述晶片固定在一位置中。