公开(公告)号：CN105811241A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610245808.5

申请日：2016-04-20

申请人： 太原理工大学

发明人： 王安帮 ,  赵彤 ,  王云才 ,  张明江 ,  徐雨航 ,  张建忠

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/06

CPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/06 ,  H01S5/12

摘要： 本发明涉及半导体光电子领域，具体为一种双反馈的单片集成激光器芯片。解决了目前混沌激光器体积大、集成度不够高、混沌状态不够好等技术问题。一种双反馈的单片集成激光器芯片，包括自左向右顺次排列且共轴的左增益?吸收部分、左相位调节部分、DFB激光器部分、右相位调节部分、右增益?吸收部分。本发明采用极短的双腔结构消除了一般单腔反馈激光器芯片的固定时延，使用端面镀透反膜提供反馈，双反馈腔长度相似但不相同，彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性，降低其弱周期性，提高其随机性该单片集成激光器芯片采用双反馈可提高集成器件的混沌带宽，使频谱更加平坦。该单片集成激光器芯片还具有重量轻、体积小、集成性强等优点。

公开(公告)号：CN103975490A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280059153.2

申请日：2012-11-19

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 克里斯蒂安·劳尔 ,  哈拉尔德·柯尼希 ,  乌韦·施特劳斯 ,  亚历山大·巴赫曼

IPC分类号： H01S5/024 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/042 ,  H01S5/022

CPC分类号： H01S5/02469 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2054

摘要： 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。

公开(公告)号：CN103730832A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310240274.3

申请日：2013-06-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金泽 ,  I.施彻巴特科

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18363 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2063

摘要： 本公开提供一种用于光子集成电路（PIC）的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括：光栅反射镜，在两个低折射率层之间；光波导，光耦合到光栅反射镜；III-V半导体层，包括有源层，设置在两个低折射率层的中的一个上；以及上反射镜，覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。

公开(公告)号：CN103620894A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280024039.6

申请日：2012-03-26

申请人： 维尔雷思科技有限公司

发明人： 阿杰库玛·R·贾殷

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S3/05

CPC分类号： G02B5/20 ,  B82Y20/00 ,  G02B5/207 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/162 ,  H01L33/502 ,  H01S3/0092 ,  H01S3/082 ,  H01S5/005 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1092 ,  H01S5/1096 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/774

摘要： 本发明公开了光谐振器，通过采用光致发光荧光粉使该光谐振器性能提高，该光谐振器被设计和配置成，根据输入/泵浦光输出一种或多种波长的光。还公开了由这种谐振器制造的系统和装置。在某些实施例中，谐振器含有多个光学谐振腔，光学谐振腔与一层和多层光致发光荧光粉层或其他结构相组合。在其他实施例中，谐振器被设计成在输入/泵浦波长和输出波长处同时谐振。光致发光荧光粉可以是任何合适的光致发光材料，包括量子限制结构(如量子阱和量子点等)中的半导体和其他材料。

公开(公告)号：CN103138155A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210502015.9

申请日：2012-11-30

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 谷坂真吾 ,  小泉大树

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/10 ,  H01L33/005 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有：准备晶片的工序，该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件；在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序，俯视观察，该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序，该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序。

公开(公告)号：CN101888059B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010179947.5

申请日：2010-05-10

申请人： 索尼公司

发明人： 川西秀和 ,  泽畠淳二

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。

公开(公告)号：CN102210072A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200880131952.X

申请日：2008-12-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 关口茂昭

IPC分类号： H01S5/026 ,  G02F1/015 ,  H04B10/04 ,  H04B10/06 ,  H04B10/142 ,  H04B10/152

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02F1/0102 ,  G02F2201/58 ,  G02F2203/20 ,  G02F2203/21 ,  G02F2203/50 ,  G02F2203/70 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/06832 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1025 ,  H01S5/14

摘要： 为了能够以简单又实用的结构来独立于强度调制地对强度调制的信号高电平状态和信号低电平状态之间的频率差进行调整，从而能够抑制波形劣化从而延长传输距离，并能够对应不同的调制比特率，使光信号产生装置具有：单模激光器(110)；反射镜(210)，其构成与单模激光器的谐振器不同的其他的谐振器，使来自单模激光器的输出光的一部分反射后返回到单模激光器；强度调制器(140)，其设置在单模激光器和反射镜之间；相位调整器(120)，其设置在单模激光器和反射镜之间，用于对因强度调制器的强度调制而生成的信号高电平状态和信号低电平状态之间的频率差进行调整。

公开(公告)号：CN101888059A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010179947.5

申请日：2010-05-10

申请人： 索尼公司

发明人： 川西秀和 ,  泽畠淳二

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明提供激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管包括：有源层；条形脊，设置在有源层上方；成对的谐振器端面，从脊的延伸方向夹住有源层和脊；高台部分，设置为在成对的谐振器端面的至少一个端面中及其附近与脊的两个侧面接触。从有源层到高台部分的表面的厚度在谐振器端面侧较大，而在脊的中央侧较小，并且该厚度从谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到脊中央侧的较薄部分。

公开(公告)号：CN101132118B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710147710.7

申请日：2007-08-24

申请人： 佳能株式会社

发明人： 竹内哲也

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/3436

摘要： 公开了一种光学设备，包括具有光学厚度不为λ/4的层的多层反射器，以及一种使用这种光学设备的垂直腔面发射激光器。能够抑制由λ/4光学厚度的偏差造成的共振频率偏移或反射率下降，从而改善性能和产量。用于产生波长λ的光的光学设备包括反射器和活性层。反射器为半导体多层反射器，包含被交替层压并具有不同折射率的第一层和第二层。第一层具有小于λ/4的光学厚度。第二层具有大于λ/4的光学厚度。在第一层和第二层之间的界面位于既不在反射器内光强分布的波节的位置也不在波腹的位置。

公开(公告)号：CN101714746A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178907.6

申请日：2009-09-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： 菅原章义

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/16

CPC分类号： H01S5/10 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/16 ,  H01S5/162 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34326

摘要： 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置中的谐振器(100)包括半导体基板(11)、形成半导体基板(11)上或上方的n型覆层(12)和p型覆层(14)、以及夹在n型覆层(12)和p型覆层(14)间的有源层(13)。在谐振器(100)的上表面形成的、在谐振器(100)轴向上延伸的脊(14A)。脊(14A)包括发射侧端部(1)、非发射侧端部(5)、使得脊(14A)的宽度以锥状方式从发射侧端部(1)朝着非发射侧端部(5)减少的锥形部分(2)、以及设置在非发射侧端部(5)的发射侧端部(1)侧的台阶部分(4)，并且使脊的宽度以台阶状方式改变。