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公开(公告)号：CN101171530B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200680015600.9
申请日：2006-03-03
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , 公立大学法人大阪府立大学
CPC分类号： G01T3/00 , G01T1/1606 , G01T3/08
摘要： 本发明提供一种可通过简单的装置结构变更来设定灵敏度和时间分辨能力的中子检测装置。具备多个中子检测元件部，该中子检测元件部具有：超导元件(20)，其具有至少一个表面由电介质材料(11)形成的基体材料(10)、在表面上形成的超导材料的带状线(2)、以及在带状线(2)的两端部分形成的电极部(1)；电阻测定单元，利用带状线(2)的电阻值的变化来测定因带状线(2)中的超导元素与中子的核反应引起的发热；以及散热设定单元(5)，在与形成有带状线(2)的表面相反一侧的基体材料的背面部，设定由核反应引起的发热的散热性，在中子检测元件部之间，使散热性互不相同。
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公开(公告)号：CN100576370C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200480022814.X
申请日：2004-06-09
申请人： 佛罗里达大学研究基金会公司
发明人： 大卫·P·诺顿 , 文卡特·塞尔瓦马尼卡姆
CPC分类号： H01L39/2461 , C30B25/18 , C30B29/22 , Y10S428/93
摘要： 一种超导体产品，包括衬底和设置在所述衬底上的第一缓冲膜。第一缓冲膜具有单轴晶体结构，特征在于(i)在第一缓冲膜的平面外延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面内延伸的第二方向上没有明显的结构，或者(ii)在第一缓冲膜的平面内延伸的第一结晶方向上的结构在第一缓冲膜的平面外延伸的第二方向上没有明显的结构。第二缓冲膜被设置在第一缓冲膜上，第二缓冲膜具有双轴晶体结构。可以在所述第二缓冲膜上设置超导体层。离子辅助沉积(IBAD)可被用于沉积第二缓冲膜。
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公开(公告)号：CN100514508C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610057930.6
申请日：2006-02-28
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及超导带材，具体涉及的是一种利用超导带材制备的超导组合件及其制备方法，该组合件至少包含一组垂直的超导带材堆垛，所述的堆垛中至少包含两根具有超导性能的单根超导带材，该堆垛中至少有两根单根超导带材之间有填充层，使上述带材之间沿着带材的长度方向保持宽度面互相平行，填充层或者与相邻的单根超导带材直接连接，或者不直接与相邻的单根超导带材连接，而是通过在单根超导带材与填充层的外面加一紧固件使单根超导带材与填充层紧密结合，利用该方法制备的高温超导导线组件具有较高的临界电流、机械强度、较好的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN100485828C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410013348.0
申请日：2004-06-23
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01L2924/0002 , Y02E40/647 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种高温超导器件的冷却装置，包括制冷机冷头和导冷片，制冷机端挠性连接偶件与制冷机冷头上的法兰相连，超导端挠性连接偶件通过柔性导冷带与制冷机端挠性连接偶件柔性连接，导冷杆和导冷片相连接，导冷片夹于高温超导磁体绕组之间，导冷杆置于高温超导磁体组合的外围，上、下导冷端板分别位于高温超导器件组合的上、下表面。发明建立了有效的导热途径，同时在制冷机冷头与超导器件连接上，采用特殊的挠性结构，特别对于质量较大的超导器件，如超导磁体等，可以解决磁体和制冷机冷头直接刚性连接的机械强度和减少或隔绝由于制冷机工作产生的往复振动的问题。
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公开(公告)号：CN100453883C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580023548.7
申请日：2005-05-19
申请人： 葛莱格利·J·伊根
发明人： 葛莱格利·J·伊根
IPC分类号： F17C1/00 , H01F6/06 , H01F6/00 , H01F7/02 , H01F36/00 , F17C3/00 , F17C13/00 , F17C3/08 , F17C13/08 , H01B12/00 , H01L39/00 , H01L39/24 , F25B19/00
CPC分类号： F17C3/04 , F17C3/08 , F17C6/00 , F17C13/02 , F17C2201/01 , F17C2201/0104 , F17C2201/032 , F17C2201/035 , F17C2201/054 , F17C2201/056 , F17C2203/014 , F17C2203/015 , F17C2203/0304 , F17C2203/0391 , F17C2203/0629 , F17C2203/0639 , F17C2203/0641 , F17C2203/0643 , F17C2203/0687 , F17C2205/0352 , F17C2221/011 , F17C2221/012 , F17C2221/014 , F17C2223/0161 , F17C2223/033 , F17C2250/04 , F17C2260/033 , F17C2270/0171 , F17C2270/0178 , H01F6/00 , H01F6/04 , H01F27/367 , Y02E60/321 , Y10S505/875 , Y10S505/898
摘要： 一种低温容器(10)，其包含一用于容纳低温流体(16)的内容器(14)，和一用于将低温流体与外界隔绝的外容器(12)。该内容器(14)包含一由在该低温流体(16)的温度时具有超导特性的材料所形成的超导层(22)。该超导层(22)形成环绕该低温容器(10)的磁场，其防止来自外界的电磁能，包含热能，而将该低温流体(16)保持在低温。该低温容器(10)具有可携带性以及容许其使用于手握式电子产品到诸如另类燃料车辆(AFVs)中的体积。一超导磁能储存系统(24)包含一低温容器(26)，以及一悬置于低温流体(34)之中的超导磁能储存磁铁(38)。该超导磁能储存系统(24)亦可包含一再填充器(42)以及一低温冷却器(40)，其建构成能将低温流体(34)再填充至该低温容器(26)。
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公开(公告)号：CN100395847C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510011756.7
申请日：2005-05-20
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 一种高温超导覆膜导体及其制备方法，具体涉及一种采用离子束辅助沉积(IBAD)工艺与化学溶液法制膜工艺相结合来制备的高温超导覆膜导体及其制备方法，属于高温超导覆膜导体及其制备领域。覆膜导体沿纵切面由超导保护层、YBCO超导层、CeO2缓冲层、IBAD YSZ缓冲层、金属基底组成。先在金属基带材料上制备出双轴织构缓冲层和附加缓冲层；再在这些缓冲层材料衬底上制备YBCO超导层和失超保护层，即得到这种高温超导覆膜导体。本发明结合了IBAD工艺成膜质量好和化学溶液法制备成本低的优点，能够在合适的柔性金属衬底上制备出具有均匀超导电流分布的高温超导覆膜导体。成膜质量好，制备成本低，在工业上有较好的实用前景。
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公开(公告)号：CN100353543C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410080824.0
申请日：2004-10-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768 , H01L39/00
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其利用一高温超导(HighTemperature Surperconductor，HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联线。
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公开(公告)号：CN101030461A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610057930.6
申请日：2006-02-28
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及超导带材，具体涉及的是一种利用超导带材制备的超导组合件及其制备方法，该组合件至少包含一组垂直的超导带材堆垛，所述的堆垛中至少包含两根具有超导性能的单根超导带材，该堆垛中至少有两根单根超导带材之间有填充层，使上述带材之间沿着带材的长度方向保持宽度面互相平行，填充层或者与相邻的单根超导带材直接连接，或者不直接与相邻的单根超导带材连接，而是通过在单根超导带材与填充层的外面加一紧固件使单根超导带材与填充层紧密结合，利用该方法制备的高温超导导线组件具有较高的临界电流、机械强度、较好的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101015066A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580013289.X
申请日：2005-04-25
申请人： 科罗拉多大学理事会
发明人： 迈克尔·J·艾斯特思 , 布莱克·J·伊莱森
CPC分类号： H01L45/00 , H01L29/7606
摘要： 热电子晶体管包括：发射极、基极和集电极，和置于发射极与基极之间并用于在二者之间进行电子传输的第一隧穿结构。第一隧穿结构至少包括：第一非晶绝缘层和与其不同的第二绝缘层，使得所述电子的传输包括利用隧穿的传输。所述晶体管进一步包括置于基极与集电极之间的第二隧穿结构。第二隧穿结构用于利用弹道传输将基极与集电极之间的前述的电子中的一部分的传输，使得所述部分的电子在集电极处被收集。还公开了用于在薄膜晶体管中的界面处减少电子反射的相应的方法。
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