-
公开(公告)号：CN118977192A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410985565.3
申请日：2024-07-22
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B1/00 , G06F18/10 , G06F18/24
摘要： 本发明提供一种晶圆研磨控制方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：在使用涡流传感器的晶圆研磨过程中，实时获取涡流传感器的涡流信号；根据涡流信号，确定晶圆上各个区域的第一金属厚度；若晶圆上存在至少一个区域的第一金属厚度小于预设厚度，则对于每个第一金属厚度小于预设厚度的区域，确定该区域的金属残留情况；根据各个区域的第一金属厚度、金属残留情况和预设的压力控制条件，分别确定各个区域的研磨压力；基于研磨压力，对晶圆的相应区域继续进行研磨，并重新执行实时获取涡流传感器的涡流信号的步骤，直至所有区域均无金属残留，确定到达晶圆的研磨终点。本发明能够对晶圆的研磨进行准确控制，保证晶圆的结构特性。
-
公开(公告)号：CN118883507A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410910199.5
申请日：2024-07-08
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
发明人： 牛孝昊
摘要： 本发明实施例涉及终点侦测技术领域，公开了一种金属残留检测方法、装置及计算机可读存储介质，该方法包括：确定待检测区域中的目标区域，并基于目标区域确定拟合参数；目标区域为存在金属残留可能的区域；基于拟合参数，对待检测区域对应的检测信号进行拟合，得到检测信号对应的拟合曲线；确定目标曲线窗口中拟合曲线的曲线走向；基于曲线走向，确定目标区域的金属残留情况。如此，在对待检测区域的检测信号进行曲线拟合时，基于可能存在小尺寸金属残留可能的目标区域，调整拟合参数，使异常信号在目标曲线窗口中的特征与正常信号在目标曲线窗口中的特征存在明显区别，从而能够直观地指示出小尺寸金属残留的存在。
-
公开(公告)号：CN118751588A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410703356.5
申请日：2024-05-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，包括箱体、送液管路、承接杯及负压风管，送液管路贯穿箱体的侧壁延伸至箱体内、用于分时段向箱体内供送化学液和热水，承接杯设置于箱体内，承接杯的底部连接有排液管，负压风管连接于承接杯的一侧、用于向箱体外部引流化学气体。本发明提供的晶圆清洗设备，利用送液管路向箱体内分时段送入热水和化学液，实现对送液管路的清洗，节省了化学液的消耗，保证后续用于清洗晶圆的化学液的洁净度，连接于承接杯上的负压风管延伸至箱体外部，便于将承接杯内的化学气引出箱体，避免对化学气反灌导致在晶圆表面产生团聚图案的问题，满足了晶圆清洗的环境要求，保证了晶圆的清洗质量。
-
公开(公告)号：CN118692955A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410772527.X
申请日：2024-06-14
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆蒸汽干燥设备管路清理装置和方法，属于晶圆干燥技术领域。本发明能够通过在线生产过程中，每次喷雾干燥之后均将残留气态异丙醇清除、避免形成液态异丙醇，高频次的清理，也避免设备管道内液态异丙醇残留积累。在前后两个晶圆处理的间隙进行残留异丙醇清除，减少了正常生产时间占用、避免影响正常生产效率。单独设置收集器，控制喷头移动到收集器的开口处，开启收集器、开启氮气管路和保持关闭异丙醇管路，进行残留异丙醇清除，减少清出的残留异丙醇对腔体环境和已干燥晶圆的影响，在避免影响正常工艺效果和正常生产效率的前提下，在线清理管路、提升了生产效率。
-
公开(公告)号：CN118682665A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410939047.8
申请日：2024-07-12
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B49/00 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/34
摘要： 本发明提供了一种PAD表面粗糙度检测装置、修整器及抛光方法，属于晶圆抛光的技术领域，PAD表面粗糙度检测装置包括基座以及粗糙度传感器；所述基座内部中空；所述基座上开设有检测窗口；粗糙度传感器接在所述基座内部；所述粗糙度传感器的检测镜头通过所述检测窗口检测所述PAD表面的粗糙度。本发明提供的PAD表面粗糙度检测装置，通过基座将整体装置安装在指定位置，从而使PAD表面粗糙度传感器能够透过检测窗口实时检测PAD表面的粗糙度，以便能够实时并准确的判断PAD是否达到使用寿命，降低了判断误差。避免了PAD沟槽未充分磨光就判定废弃会造成的成本浪费和沟槽磨完还继续使用导致的严重影响晶圆抛光质量的问题。
-
公开(公告)号：CN115383622B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210424345.4
申请日：2022-04-20
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
IPC分类号： B24B41/047 , B24B7/22
摘要： 本发明提供一种抛光头用分体式万向节及抛光装置，抛光头具有连接盘和抛光部分，所述连接盘上设有孔道，所述抛光部分具有基座，所述分体式万向节包括导向部，适于在所述孔道内上下浮动；固定部，适于与所述基座固定连接；连接结构，连接在所述导向部与所述固定部之间且分别与所述导向部、所述固定部固定连接，所述导向部适于通过所述连接结构相对所述固定部摆动。由于其是分体式设计，加工难度降低了，废品率也降低了，也降低了塑性形变甚至断裂的风险。
-
公开(公告)号：CN118463886A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410634777.7
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了检测EPD模块安装距离的实验平台，第一承载机构可转动地连接在第一支撑板上；EPD模块可滑动地连接在第一承载机构上，并适于沿第一方向固定在第一承载机构的不同位置；第二支撑板通过平移组件沿第二方向与第一支撑板滑动连接；第二承载机构沿第一方向滑动连接在第二支撑板上；晶圆连接在第二承载机构上；按压组件连接在第二支撑板上；距离侦测机构设置在第二支撑板和第一支撑板之间，用于侦测晶圆与EPD模块之间的距离；其中，第一方向与第二方向垂直设置。本发明提供的检测EPD模块安装距离的实验平台，可替代EPD模块在设备上检测，节约了安装拆卸成本且降低了部件损坏磕伤风险。
-
公开(公告)号：CN118456276A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410749318.3
申请日：2024-06-11
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆研磨装置及晶圆研磨方法，本发明提供的晶圆研磨装置，通过将挡板设置在相邻的两个研磨盘之间，将两个研磨盘所在的研磨腔室分隔开，便于直接阻挡研磨盘飞溅出的研磨液，避免研磨液、晶圆碎片对其他研磨腔室内的研磨过程造成影响，同时通过对挡板固定，并对挡板的顶部高度小于或等于转动部的顶部高度，以及令挡板的底部高度低于挡圈升起后的上沿高度，并高于或等于研磨头升起后的下沿高度，避免使用过程中对挡板进行升降，不会出现占用机台运行时间的现象，提高机台运行的效率。
-
公开(公告)号：CN118456275A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410703794.1
申请日：2024-05-31
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种抛光头结构及抛光头驱动装置，其中，抛光头结构包括承载件以及N个压力调整组件，其中，N≥2，承载件包括侧板和横板，侧板围成中空腔，横板盖设在中空腔的一侧，任意一个压力调整组件均包括弹性件以及至少一个压电致动器，弹性件设置在中空腔内，弹性件具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面分布有压电致动器，第二表面用于贴合待抛光件的至少部分第三表面；任意一个压电致动器均具有在对应的弹性件产生第一压力的抛光状态，在抛光状态下，弹性件变形并对待抛光件产生第二压力，压电致动器根据施加的电场产生相应的压力，减少了达到设定压力的时间，从而提高了压力调整的响应速度，进而提高了晶圆平坦化效果。
-
公开(公告)号：CN118372159A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410635159.4
申请日：2024-05-21
申请人： 北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域，公开一种晶圆加工设备及加工方法。晶圆加工设备的抛光模组包括多个抛光模块；多组清洗模组沿第一预设方向堆叠设置，清洗模组包括刷洗模块和至少两个干燥模块；搬运模组包括多个机械手，将抛光模组中的晶圆运送至清洗模组及在清洗模组内传递晶圆；调度系统实时获取第一目标模块的状态信息和剩余加工时长及控制搬运模组提前开启，运送晶圆到第二目标模块；第一目标模块包括抛光模块、刷洗模块和干燥模块，第二目标模块包括刷洗模块和干燥模块，状态信息表征第一目标模块的工作状态。清洗模组设置刷洗模块搭配两个干燥模块，配合调度系统实现对刷洗后的晶圆指派干燥模块的功能，解决超长干燥工艺时间的问题，提升效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
164 条记录 (耗时 0.058 秒)
