SiOCN薄膜的形成
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106711025A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611271042.4

    申请日:2016-11-11

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明提供了用于在反应空间中的衬底上沉积氧碳氮化硅(SiOCN)薄膜的方法。方法包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环,其包括交替地和顺序地将衬底与硅前驱物以及不包括氧的第二反应物接触。在一些实施例中方法允许沉积具有提高的酸基湿法刻蚀抗性的SiOCN膜。

    含氟导电膜
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106471154A

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201580032801.9

    申请日:2015-03-31

    IPC分类号: C23C16/08

    摘要: 用于在基底上沉积含氟薄膜的原子层沉积(ALD)方法可以包括多个超循环。每个超循环可以包括金属氟化物子循环和还原子循环。金属氟化物子循环可以包括使基底与金属氟化物接触。还原子循环可以包括交替地和连续地使基底与还原剂和氮反应物接触。

    挤压种植体
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105120792A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201380064096.1

    申请日:2013-12-11

    发明人: S·胡瓦伊斯

    IPC分类号: A61C8/00 A61F2/28 A61B17/86

    摘要: 一种拧入孔并稳固地自锁在孔内的锚固种植体。所述种植体可用于牙科、矫形或若干非医学应用的任何一种,其具有圆锥形渐细轮廓,所述圆锥形渐细轮廓具有渐进螺纹自攻顶端。所述种植体的中心区域形成有多个抛光边缘,每个抛光边缘配置为在将所述种植体拧入适当位置时,利用抛光作用向所述孔的内表面施加周向清扫压缩应力。所述种植体的冠状端包括塞盖特征,以避免所述孔的周边迅速增大。中心螺纹轮廓可延伸穿过抛光边缘并与所述抛光边缘交叉,以提高自攻或塞盖功能。极端冠状端包括平台,所述平台用于通过内部连接特征容纳基牙或其它紧固元件。