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公开(公告)号：CN107170853A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L21/02389 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3 将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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公开(公告)号：CN105253910B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201510589741.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的一步合成大尺寸SnS纳米片的制备方法，该方法是通过：依次将磁力搅拌子；一定量的反应物前驱体氯化亚锡、硫粉；油胺；加入到四颈烧瓶并固定在恒温磁力搅拌器上，装好装置打开转子搅拌并通入Ar气，气流可稍大。升温到70℃时等30分钟后将温度升为180℃，同时减小Ar气流，30分钟后再升温至300℃，最后降温至50℃，关闭加热和磁力搅拌，取出样品用甲苯和无水乙醇作为清洗剂清洗数次后收集下层沉淀物，即大尺寸SnS纳米片。本发明的优点在于：制备方法简单，成本较低，前驱体材料储量丰富，适合批量合成。纳米片的直径较大形貌较好，大量减少载流子在晶界区域的复合，为制备厚度均匀太阳电池器件的吸收层提供一定的帮助。
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公开(公告)号：CN105197985A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510590063.1
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热法一步合成超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法。用于光伏电池材料技术领域。本发明方法是：将反应物前躯体即二水合氯化铜、氯化锌、五水合四氯化锡和L-半胱氨酸；乙二醇、油胺；草酸和十六烷基三甲基溴化铵加入到高压釜中，将反应温度升高到某一温度，恒温反应一段时间，然后移出加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入甲苯和酒精使纳米粒子沉降；然后以一定转速离心一定时间，倒去上层溶液，收集下层沉淀物，重复离心数次至溶液澄清，收集沉淀物，最终得到高质量的超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒。本发明的优点在于：超长纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法简单，可一步合成，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，结晶性优良，适合批量合成。
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公开(公告)号：CN102249344A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110152794.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2FeSnS4纳米晶的制备方法，该方法是：将反应物前躯体油胺、氯化亚铁、醋酸铜、氯化亚锡和硫粉加入一个与西莱克装置连接的四口烧瓶中，在氩气的气氛中将反应温度缓慢的升高到200-350℃反应1-60分钟，撤掉加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入丙酮和氯仿使纳米粒子沉降；然后以3000-14000转/min的速度离心1-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性好等。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102249292A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110154912.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465215B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910044846.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：介孔TiO2溶胶制备，经匀胶机在导电玻璃上旋涂介孔TiO2的薄膜，高温退火为凝胶，薄膜上用丝网印刷法制介孔TiO2厚膜，陈化为凝胶，烧结晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明用旋涂法制介孔TiO2薄膜显著提高丝网印刷厚膜的欧姆接触电学性能；丝网印刷法所需的介孔TiO2浆料制备过程与现有的过程相比操作简单，介孔TiO2浆料在丝网印刷过程中易印刷，与水介质相比不易挥发，可得到无裂纹厚度可控的介孔TiO2厚膜。该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN100567390C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200810034136.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: C08L49/00 , C08K5/3415
Abstract: 本发明涉及一种具有高光电导性的聚对苯乙炔/酞菁复合材料的的制备方法。该方法包括如下步骤：酰胺酞菁锌的合成，通过羧基取代酰胺基制备羧基酞菁锌，在此基础上进行酰氯化制备酰氯酞菁锌，聚苯乙酰的合成，以及酰氯酞菁锌和聚苯乙酰的复合反应。本发明制备的聚对苯乙炔/酞菁复合材料具有成膜性好、光电导性能高的特点，在软基太阳能电池上有良好应用。
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公开(公告)号：CN101567271A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910050886.X
申请日：2009-05-08
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明通过Fe离子的掺入来提供一种光吸收范围大，电子传输性能更好的纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：Fe掺杂介孔TiO2溶胶制备，用丝网印刷技法制介孔TiO2厚膜，经高温退火，焙烧晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明中Fe离子的掺入显著提高了纳米晶介孔TiO2厚膜的光吸收范围大，并在低温情况下提高了的结晶性能同时保护了材料的介孔结构，提高其电子传输性能，该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN101465215A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910044846.4
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶介孔TiO2厚膜材料的制备方法，它包括：介孔TiO2溶胶制备，经匀胶机在导电玻璃上旋涂介孔TiO2的薄膜，高温退火为凝胶，薄膜上用丝网印刷法制介孔TiO2厚膜，陈化为凝胶，烧结晶化，制成纳米晶介孔TiO2厚膜材料。该发明用旋涂法制介孔TiO2薄膜显著提高丝网印刷厚膜的欧姆接触电学性能；丝网印刷法所需的介孔TiO2浆料制备过程与现有的过程相比操作简单，介孔TiO2浆料在丝网印刷过程中易印刷，与水介质相比不易挥发，可得到无裂纹厚度可控的介孔TiO2厚膜。该厚膜具有高度有序介孔结构，用介孔TiO2厚膜材料制备的介孔TiO2厚膜电极光电太阳能电池的光敏化电极，能提高太阳能的电池转化效率。
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公开(公告)号：CN100334449C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510029927.9
申请日：2005-09-23
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种有序SiO2介孔组装的CdS，ZnS半导体纳米晶作荧光检测的微阵列生物芯片的制备方法。该方法包括如下步骤：有序介孔SiO2膜的制备、介孔组装偶联剂的连接、CdS或ZnS在介孔内的组装以及组装衬底的活化。本发明制备的微阵列生物芯片具有荧光发光稳定性强，不易漂白，分辨高的特点。
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