公开(公告)号：CN101347051A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200780000945.1

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。

公开(公告)号：CN100449708C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580009363.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的课题在于提高基板处理装置的清洗效率。因此，使用基板处理装置，其包括：在内部保持被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内的空间分为第一空间和第二空间的遮挡板，包括对所述第一空间进行排气的第一排气路径，和对所述第二空间进行排气的第二排气路径。

公开(公告)号：CN101322224A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000456.6

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/85978

Abstract: 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。

公开(公告)号：CN100440451C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480040080.8

申请日：2004-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN101278073A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036514.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅司 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/448 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供原料供应装置，该原料供应装置将原料蒸发或升华并将其供应到蒸镀装置的处理容器中，该原料供应装置具有在内部保存所述原料的原料容器、向所述原料容器的内部供应运载气体的气体流入口、以及将与所述运载气体一起被蒸发或升华的所述原料供应到所述处理容器的气体排出口，其中在所述原料容器的内部设置气流控制部，用于控制所述运载气体的流动。

公开(公告)号：CN101270831A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810085581.8

申请日：2008-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久

IPC: F16K51/02 ,  F16K1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: F16K31/528 ,  F16K1/24 ,  Y10T137/0396

Abstract: 本发明提供一种可以实现密封构件长使用寿命化的开关阀及具有该开关阀的处理装置。该开关阀(100)设置于可将内部保持真空的腔室(11)与排气装置(53、54)之间，具有连通腔室侧与排气装置侧的开口(111)的阀主体(110)、在阀主体内与开口接触或分离来打开关闭开口的阀体(120)、设置于阀体并在阀体关闭了开口时密封开口的密封构件(120b)、使阀体进退的直进移动部件(140)、设置于离开开口的位置、并供从开口离开的阀体退避的阀退避部(113b)、与使阀体在与开口对应的位置和与阀退避部对应的位置之间转动的转动部件(150)。

公开(公告)号：CN100397588C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03816209.1

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：CN1799127A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014926.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。

公开(公告)号：CN1777695A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010572.2

申请日：2004-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  寒川诚二

Inventor： 寒川诚二 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/452 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3145

Abstract: 本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。

公开(公告)号：CN1698192A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000457.7

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，在设置在所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面及所述侧面的第二保护部件。