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公开(公告)号:CN104576434A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510054277.7
申请日:2015-02-02
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号: H01L22/14 , H01L21/768 , H01L2221/10
摘要: 本发明涉及一种硅通孔测试方法。硅通孔的直接电学测试需要对其顶部和底部同时加载测试连接,但主流的测试设备不支持对晶圆的正面和背面同时加载测试连接,因此导致硅通孔的测试过程工艺复杂、成本较高。本发明通过在完成硅通孔和微凸点制备的晶圆背面贴合一层导电膜,然后通过探针对上述晶圆正面露出的焊盘进行测试,包括通断测试、电阻测试等方式,实现对硅通孔的电学参数进行测试。具有操作简单、低成本的显著优势。
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公开(公告)号:CN104538314A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201410837931.7
申请日:2014-12-29
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/60
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L21/4814 , H01L23/498 , H01L24/02
摘要: 本发明公开了一种三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板。所述三层封装基板的制作方法包括在承载板的第一表面依次形成第一线路、第一半固化片、第二线路、第二半固化片和第二铜箔,第一次钻孔后形成贯穿第二铜箔直至第一电极的第一盲孔,整面镀铜后填充第一盲孔并形成第一镀铜层,进行第二次钻孔形成贯穿第一镀铜层直至第三电极的第二盲孔,去除第二盲孔表面的第一镀铜层,并在第二盲孔的一面形成第三线路以及在承载板的第二表面形成第二镀铜层,第三线路上形成有铜柱;刻蚀没有第三线路的另一面形成窗口,将第一线路裸露出来,形成三层封装基板。本发明的三层封装基板能够避免基板翘曲现象,且能降低制作成本。
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公开(公告)号:CN104174622A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410343242.0
申请日:2014-07-17
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要: 本发明公开一种通用放置架,包括具有容纳空间的支架,所述支架的底部可调节设置有若干用于固定玻璃基板的下部支撑滑块,所述支架的腰部位置设置有至少一组水平支撑杆,所述水平支撑杆之间可调节设置有若干用于固定所述玻璃基板的上部支撑滑块。提供一种能够放置并清洗多种不同尺寸的玻璃基板的通用放置架,既满足厂家用于清洗大尺寸的方形玻璃基板的要求,又满足厂家用于清洗小尺寸的圆形玻璃基板的要求,较好地减少了放置架的种类和数量,有效地节约了厂家的放置空间和研发成本。
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公开(公告)号:CN103987208A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201410251316.8
申请日:2014-06-06
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要: 本发明涉及一种线路板,尤其涉及一种印刷线路板及其制作方法。该制作方法包括:在内层线路的至少一个表面上设置树脂绝缘层,其中所述树脂绝缘层的背离所述内层线路的表面具有预设粗糙度;在所述树脂绝缘层的背离所述内层线路的表面上涂敷形成有机树脂图层;在所述有机树脂图层的背离内层线路的表面上形成金属线路层,其中,所述金属线路层与所述内层线路电连接。该制作方法通过在树脂绝缘层和金属线路层之间增加有机树脂图层,使得所述有机树脂图层与所述金属线路层间具有较大的结合力,从而大幅度提高金属线路层与树脂绝缘层表面的结合力,有效避免在基板加工中出现铜线脱落,高温回流快速温变等问题。
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公开(公告)号:CN103474361A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201310457111.0
申请日:2013-09-29
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/00 , H01L23/367
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构,所述封装工艺包括:形成次级封装组件;自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处;在所述次级封装组件上开设通孔,所述通孔贯穿所述次级封装组件;在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层,然后进行填孔电镀;进行第一外层线路层的制作。本发明解决了以往埋入结构中大功率器件的热管理性能问题,解决了器件的散热,本发明利用基于有机基板工艺进行了其散热结构的设计,能够很好的满足其散热的性能。
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公开(公告)号:CN114284236A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111623684.7
申请日:2021-12-28
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
摘要: 一种封装基板结构及其制备方法,其中,封装基板结构包括:复合功能层;芯片,位于所述复合功能层的一侧表面;位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件,所述限位件包括:位于所述复合功能层一侧表面的焊盘;与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部,所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。本发明提供的封装基板结构对芯片定位的精度较高。
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公开(公告)号:CN108538803A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810233811.4
申请日:2018-03-21
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/683 , H01L21/768
摘要: 本发明公开了一种芯片后组装扇出型封装结构,包括:载板;位于载板第一面的第一可拆铜箔;附连在所述第一可拆铜箔上的第一外接焊盘;覆盖于所述第一外接焊盘及第一可拆卸铜箔的第一基板介质层;位于所述第一基板介质层且电连接至所述第一外接焊盘的第一导电通孔;位于所述第一基板介质层上或内且电连接至所述第一导电通孔的第一互连线路;位于所述第一基板介质层上且电连接至所述第一互连线路的第一芯片焊盘;覆盖所述第一互连线路的第一阻焊绿油层;电连接至所述第一芯片焊盘的第一芯片;以及覆盖于所述第一芯片上的第一塑封层,载板的第二面具有类似结构。
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公开(公告)号:CN104952745B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201510397407.7
申请日:2015-07-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺,其特征是,包括扇出型封装基板,扇出型封装基板上表面设置焊盘,扇出型封装基板下表面设置阻焊层,阻焊层中布置RDL线路层,扇出型封装基板上设有连通上下表面的通孔,通孔中填充金属,RDL线路层和焊盘通过通孔中的金属互连,RDL线路层的焊盘上设有BGA球;在所述扇出型封装基板上表面设有介质材料,扇出型封装基板的焊盘嵌入介质材料中,介质材料上表面设有基板坝体,基板坝体的槽体中贴装芯片;所述芯片正面的芯片焊盘上设有凸点,芯片焊盘和凸点嵌入介质材料中,凸点与扇出型封装基板上表面的焊盘连接。本发明解决了芯片铝焊盘无法与基板工艺兼容的问题和扇出型装良率的问题,降低了封装成本。
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公开(公告)号:CN107146762A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201710515562.3
申请日:2017-06-29
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/498
CPC分类号: H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838
摘要: 本发明的实施例提供一种无芯基板的制造方法,包括:在第一铜箔上形成第一层导电线路;通过第一压合工艺在第一导电线路上压合第一半固化片和第二铜箔;利用所述第二铜箔形成第二导电线路;通过第二压合工艺在所述第二导电线路上压合所述第二半固化片和第三铜箔;去除所述第一铜箔和第三铜箔并进行钻孔,以形成从所述第二半固化片外表面通向所述第二导电线路的一个或多个第一盲孔以及从所述第一导电线路通向所述第二导电线路的一个或多个第二盲孔;以及填充盲孔并在所述第二半固化片上形成第三导电线路。
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公开(公告)号:CN107123626A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710389595.8
申请日:2017-05-27
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
摘要: 本发明的一个实施例提供一种封装结构的制造方法,包括:在基板上形成贯通基板的芯片槽;将芯片埋置在所述芯片槽中;在所述芯片的背面和所述基板的第一面上形成第一散热结构;以及在所述基板的第二面上形成第二散热结构,其中将芯片埋置在所述芯片槽中是通过在所述芯片与所述芯片槽之间填充光敏型树脂来完成的。
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