公开(公告)号：CN106098658B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201510422090.8

申请日：2015-07-17

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李威弦 ,  李菘茂 ,  刘谦晔

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体封装包含衬底、一组电组件、螺柱、锥形电互连件和封装体。所述电组件安置于所述衬底的顶表面上。所述螺柱的底表面安置于所述衬底的所述顶表面上。所述电互连件的底表面安置于所述螺柱的顶表面处。所述螺柱的宽度大于或等于所述电互连件的所述底表面的宽度。所述封装体安置于所述衬底的所述顶表面上，且包封所述电组件、所述螺柱和一部分所述电互连件。所述封装体暴露所述电互连件的顶表面。

公开(公告)号：CN106952879B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610638430.5

申请日：2016-08-05

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金钟薰 ,  成基俊 ,  刘荣槿 ,  崔亨硕

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012

摘要： 本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法，第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部，并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成，并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器，所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。

公开(公告)号：CN106206508B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510258071.6

申请日：2015-05-20

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 姜明杉 ,  高永宽 ,  金惠进 ,  郑橞洹 ,  成旼宰

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/4682 ,  H05K3/4697

摘要： 提供了一种封装板、一种用于制造封装板的方法和一种具有封装板的堆叠式封装件。根据本公开的示例性实施例的封装板包括：第一绝缘层，形成有具有贯穿形状的腔；以及第一连接焊盘，形成为贯穿第一绝缘层并形成在腔的一侧处。

公开(公告)号：CN106898593B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201611031782.0

申请日：2016-11-22

申请人： 东和株式会社

发明人： 竹内慎

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以提高构成PoP型半导体装置的下侧的半导体装置的生产率。在布线基板(2)的上表面设置多个布线(4)、相当于布线(4)的一端的焊接引线(5)、以及相当于布线(4)的另一端的焊盘(6)。在布线基板(2)的中央部安装半导体芯片(3)。使用焊线将半导体芯片(3)的电极垫(11)和焊接引线(5)电连接。在各焊盘(6)上分别设置焊球(13)。在布线基板(2)的上表面设置密封树脂(14)，该密封树脂(14)覆盖半导体芯片(3)、多个布线(4)、焊线(12)、焊球(13)等。在密封树脂(14)中设置使焊球(13)的上部露出的连续槽(15)。通过将在下侧的半导体装置(1)上设置的焊球(13)和在上侧的半导体装置上设置的焊球电连接，来制造PoP型半导体装置。

公开(公告)号：CN109560061A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201711278102.X

申请日：2017-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 ,  郭宏瑞 ,  何明哲

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/221 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866

摘要： 一种集成扇出型封装体包括管芯、绝缘包封体、重布线路结构、导电端子以及障壁层。所述管芯被所述绝缘包封体包封。所述重布线路结构包括重布线导电层。所述重布线导电层设置在所述绝缘包封体中且从所述绝缘包封体的第一表面延伸到所述绝缘包封体的第二表面。所述导电端子设置在所述绝缘包封体的所述第二表面之上。所述障壁层夹置在所述重布线导电层与所述导电端子之间。所述障壁层的材料不同于所述重布线导电层的材料及所述导电端子的材料。本发明实施例还提供一种制造集成扇出型封装体的方法。

公开(公告)号：CN105706232B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480058579.5

申请日：2014-10-28

申请人： 日本发条株式会社

发明人： 田岛典拓 ,  寺田雄亮 ,  川井洋介

IPC分类号： H01L23/40 ,  H05K7/20

CPC分类号： H05K7/2049 ,  F16F1/185 ,  F16F3/023 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/40 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/473 ,  H01L25/105 ,  H01L2023/4068 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种配置在第1被推压体和与所述第1被推压体相对配置的第2被推压体之间，对所述第1被推压体以及所述第2被推压体施加压力的推压结构，其特征在于，具备：第1弹簧构件，其具有与所述第1被推压体接触的中央部、各自与所述第2被推压体接触的2个端部、以及各自从所述中央部朝向不同的所述端部延伸的2个臂部；和第2弹簧构件，其具有与所述第2被推压体接触的中央部、各自与所述第1被推压体接触的2个端部、以及各自从所述中央部朝向不同的所述端部延伸的2个臂部。

公开(公告)号：CN108630674A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810147171.5

申请日：2018-02-12

申请人： 英特尔公司

发明人： H·IL·金

IPC分类号： H01L25/10 ,  H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50

摘要： 一种多封装集成电路组件可以包括具有第一封装基底的第一电子封装，所述第一封装基底包括第一管芯侧和第一接口侧。第一管芯可以电耦合至第一管芯侧。第二电子封装可以包括具有第二管芯侧和第二接口侧的第二封装基底。第二管芯可以电耦合至第二管芯侧。金属镀敷孔可以被从第一封装基底的接口侧电耦合至第二封装基底的接口侧。公共基底可以附接至第一电子封装。例如，所述公共基底可以位于第一电子封装的与所述第一封装基底相对的面上。所述公共基底通过所述第一封装基底电耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。

公开(公告)号：CN104341774B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410273177.9

申请日：2014-06-18

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 池受玲 ,  金承焕

IPC分类号： C08L77/12 ,  C08L63/00 ,  C08K3/04 ,  C09D177/12 ,  C09D163/00 ,  C09D7/61 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/295 ,  C08K3/042 ,  C08K3/20 ,  C08L63/00 ,  C08L63/04 ,  C08L67/03 ,  C09K19/3809 ,  C09K2019/521 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本申请公开了一种用于半导体封装的模塑组合物和使用该模塑组合物的半导体封装。该模塑组合物包括液晶热固性聚合物树脂和氧化石墨烯，从而有效地降低热膨胀系数(CTE)和翘曲以及最大化导热系数的效应。

公开(公告)号：CN108431932A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680064235.4

申请日：2016-09-02

申请人： 欧克特沃系统有限责任公司

发明人： M·穆尔图萨 ,  G·A·弗朗茨 ,  N·K·R·丹徒

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L25/03

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了用于能够使用SIP子系统来形成具有期望特性和特征的可配置系统的方法、系统和装置。可配置系统的独特互连方案在SIP部件和/或子系统之间创建适当的连接。

公开(公告)号：CN105280569B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201510315540.3

申请日：2015-06-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金永培

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。