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公开(公告)号：CN107275390A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710527541.3
申请日：2017-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/78675 , H01L27/1222 , H01L29/0684 , H01L29/1033 , H01L29/66757
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别设置在所述沟道区的两侧，所述沟道区包括掺杂有第五族元素的多晶硅结构。通过掺杂第五族元素增大源漏区与沟道区之间的电势差，从而有效降低源漏极多晶硅与沟道区之间形成的PN结漏电流，提高晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN107093557A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710281923.2
申请日：2017-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：形成第一层有源层，包括相对设置的源极区和漏极区；形成第二层有源层，第二层有源层覆盖第一层有源层和第一层有源层所在表面中未被第一层有源层覆盖的位置；在第二层有源层表面形成遮盖层，遮盖层包括遮盖区，遮盖区位于源极区和漏极区之间，且遮盖区与源极区和漏极区之间具有间隔；对第二层有源层进行掺杂，在第二层有源层和第一层有源层重叠的位置形成高掺杂区，在第二层有源层和第一层有源层不重叠的位置且未被遮盖层覆盖的位置形成轻掺杂区，遮盖区与源极区和漏极区的间隔处形成轻掺杂漏区。本发明解决了现有的制造方法工艺复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN118414574A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280004758.5
申请日：2022-11-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/133 , H01L29/06 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种像素单元结构，其薄膜晶体管中，源极与数据线连接；栅极与栅线连接；漏极设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧；金属氧化物半导体层设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧，且包括半导体部分和分别位于半导体部分两侧的第一导电部分和第二导电部分，其中，半导体部分覆盖栅极绝缘层的凸起部分，凸起部分为栅极绝缘层覆盖栅极的部分；第一导电部分邻近于漏极的一端与漏极连接或者用作漏极的至少一部分；第二导电部分通过栅极绝缘层和层间介质层上对应形成的第一过孔与源极连接。本发明不仅可以提高像素开口率，而且还可以在相同空间尺寸下增加沟道长度，从而可以提高薄膜晶体管的稳定性。
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公开(公告)号：CN118076146A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410200007.1
申请日：2024-02-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/80 , H10K50/856 , H10K59/131 , H10K71/00
摘要： 本发明提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，其中，该显示基板包括：驱动背板，位于所述驱动背板上的反射增强部，以及呈阵列排布的多个发光器件；其中，所述多个发光器件位于所述反射增强部背离所述驱动背板的一侧，且所述反射增强部在各个所述发光器件对应阳极位置开设有通孔，各个所述发光器件通过所述通孔与所述驱动背板中的驱动信号线连接，各个所述发光器件对应的阳极在所述驱动背板上的正投影与所述反射增强部在所述驱动背板上的正投影至少部分交叠。
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公开(公告)号：CN118057518A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211456521.9
申请日：2022-11-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/3266
摘要： 本公开实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板及其驱动方法、显示装置。像素电路包括第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块、第四开关模块、第一存储模块、第二存储模块和驱动模块，第一存储模块被配置为存储驱动模块的阈值电压，第二存储模块被配置为存储数据信号端的数据电压，驱动模块被配置为在第一节点的控制下，向第四节点提供第三节点的信号；驱动模块还被配置为基于第一节点的信号和第三节点的信号，向第四节点提供预设电压以使第一存储模块存储阈值电压。本公开的技术方案，可以避免阈值电压漂移导致的不良，提高图像质量。
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公开(公告)号：CN117716284A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280001863.3
申请日：2022-06-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1368
摘要： 提供的一种显示基板、显示面板及显示装置，包括衬底基板(101)；晶体管(102)，位于衬底基板(101)之上，晶体管(102)包括有源层(21)；数据线(103)，位于有源层(21)与衬底基板(101)之间，数据线(103)与有源层(21)相连，有源层(21)在衬底基板(101)上的正投影位于数据线(103)在衬底基板(101)上的正投影内。
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公开(公告)号：CN116249393A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310101343.6
申请日：2023-01-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/12
摘要： 本公开提供一种显示背板，所述显示背板被划分为多个像素单元，所述显示背板包括分别设置在多个所述像素单元中的多个像素电路，其中，所述像素电路包括第二晶体管和至少一个第一晶体管，所述第一晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第一有源层和第一栅绝缘层，所述第二晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第二有源层和第二栅绝缘层，所述第一有源层由第一氧化物制成，所述第二有源层由第二氧化物制成，所述第一氧化物的迁移率小于所述第二氧化物的迁移率，所述第一有源层与所述第二有源层位于不同层，所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层位于不同层。本公开还提供一种显示背板的制作方法和一种显示面板。
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公开(公告)号：CN116111029A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310201703.X
申请日：2023-03-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58 , H01L25/075
摘要： 本发明提出了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：第一介质滤光膜和/或第二介质滤光膜，第一介质滤光膜设置在量子点色转换层背离基板的一侧，并覆盖量子点色转换层的至少部分区域和填充层的至少部分区域，第二介质滤光膜设置在彩膜与量子点色转换层之间，第二介质滤光膜具有过孔，过孔在基板上的正投影大于蓝色彩膜在基板上的正投影，且填充层填充过孔；其中，第一介质滤光膜适于透过蓝光且反射红光和绿光，第二介质滤光膜适于透过红光和绿光且反射蓝光。由此，该显示面板的红光量子点色转换层和绿光量子点色转换层的色转换效率高，红光和绿光的出光效率高，可进一步降低显示面板的功耗。
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公开(公告)号：CN115732539A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211494395.6
申请日：2022-11-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。
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公开(公告)号：CN113345924A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110620847.X
申请日：2021-06-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，涉及显示技术领域，为了在简化显示面板制造工艺的同时，保证氧化物薄膜晶体管的性能。该显示面板，包括基底；位于基底一侧的像素电路结构层，像素电路结构层包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管包括第二有源层和与第二有源层电连接的至少一个刻蚀阻挡结构；第二有源层的材料包含氧化物，且第二有源层与第一有源层不同层设置。本发明提供的显示面板，通过在第二有源层的两端设置刻蚀阻挡结构，从而阻挡氟化氢对氧化物薄膜晶体管的有源层的刻蚀损伤，因此可以保证金属氧化物薄膜晶体管的特性。
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