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    一种显示装置
    62.
    发明公开
    一种显示装置 有权

    公开(公告)号：CN110428791A

    公开(公告)日：2019-11-08

    申请号：CN201910759830.5

    申请日：2019-08-16

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 唐新阳 ,  杨成绍 ,  马涛 ,  刘融 ,  刘胜利

    IPC分类号： G09G3/36 ,  G09G3/3208 ,  G09F9/302

    摘要： 本发明公开了一种显示装置，涉及显示技术领域，达到了提高显示装置保密效果的目的。本发明的主要技术方案为：包括：处理电路和显示面板，所述处理电路与所述显示面板相连接，所述处理电路用于向所述显示面板发送预设电压信号，所述显示面板包括像素层，所述像素层上阵列设置有大量的像素单元，每个所述像素单元包括至少三个子像素，每个所述像素单元中的所述子像素杂乱排布，所述显示面板根据所述预设电压信号控制各个所述子像素对应区域的加载电压。本发明主要用于显示装置的制造。

    薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
    65.
    发明公开
    薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 失效

    公开(公告)号：CN109860057A

    公开(公告)日：2019-06-07

    申请号：CN201910227559.0

    申请日：2019-03-25

    申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 曹可 ,  桂学海 ,  刘融 ,  罗标 ,  杨成绍

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

    摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成栅极，所述栅极的至少部分区域采用透明导电材料；形成覆盖所述栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成非晶硅图形，所述至少部分区域在所述衬底基板上的正投影与所述非晶硅图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重合；从所述非晶硅图形背离所述衬底基板的一侧和所述衬底基板背离所述非晶硅图形的一侧同时对所述非晶硅图形进行激光退火处理。本发明的技术方案能够加快多晶硅薄膜晶体管制作过程中，形成多晶硅时的结晶速度，提高多晶硅薄膜晶体管的生产效率。

    制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板
    66.
    发明公开
    制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板 有权

    公开(公告)号：CN109860026A

    公开(公告)日：2019-06-07

    申请号：CN201910110957.4

    申请日：2019-02-12

    申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 陈琳 ,  马涛 ,  唐新阳 ,  杨成绍

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/302

    摘要： 本发明公开了制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。具体的，本发明提出了一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。由此，该方法可以简便地去除多晶硅预制层表面的凸起，使多晶硅薄膜的表面平整性较高，提高了多晶硅薄膜的使用性能。

    像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置
    67.
    发明授权
    像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置 有权

    公开(公告)号：CN105428245B

    公开(公告)日：2019-03-01

    申请号：CN201610052345.0

    申请日：2016-01-26

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 万云海 ,  杨成绍 ,  韩领 ,  宋博韬

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

    摘要： 本发明属于显示技术领域，涉及像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。该像素结构的制备方法包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤，包括：形成透明介质层，并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理，形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形；所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔，所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适，且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度。该像素结构的制备方法结合了背曝光工艺和剥离工艺，能有效避免形成绝缘层以及形成嵌于绝缘层的内部的金属层时二者之间的段差，而且工艺简单，能有效提高生产效率。

    阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
    69.
    发明公开
    阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 有权

    公开(公告)号：CN107195659A

    公开(公告)日：2017-09-22

    申请号：CN201710392393.9

    申请日：2017-05-27

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 操彬彬 ,  钱海蛟 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

    IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248

    摘要： 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，其中，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法，既可以增大开态电流和电子迁移率，也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路，从而提升产品的良率。