公开(公告)号：CN102439696A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022049.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  福原升

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。

公开(公告)号：CN102396059A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016486.8

申请日：2010-04-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01R31/025 ,  G01R31/129

Abstract: 本发明提供一种测量方法，用于测量包含基底基板及缓冲层的半导体基板的空穴或电子的移动所致的漏电流或提供绝缘击穿电压。具体是，该测量方法测量具有基底基板，及在基底基板上设置的缓冲层的半导体基板的漏电流或绝缘击穿电压，具有：在缓冲层设置含有由被施加电场时对缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从多个电极选择出的含有至少一个空穴注入电极的第1一对电极施加电压或电流时在第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压的步骤；根据第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压，测量半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或测量绝缘击穿电压的步骤。

公开(公告)号：CN102210010A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144603.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括具有单晶层且被热处理的被热处理部和应被保护不受因热处理而施加的热的影响的被保护部的底板基板进行热处理的制造半导体基板的方法，包括设置保护被保护部不受照射到底板基板的电磁波影响的保护层的步骤、和通过对底板基板整体照射电磁波而对被热处理部进行退火的步骤。

公开(公告)号：CN101946307A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105553.0

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有：硅基板；形成在所述硅基板上，并具有抵达所述硅基板且纵横比为/3以上的开口部的绝缘膜；形成于所述开口部，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶：以及以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，于所述绝缘膜上进行横向生长而成的横向生长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101896999A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN101595250A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003324.3

申请日：2008-01-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 土田良彦 ,  秦雅彦

IPC: C30B29/40 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/45585 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种用于制备第III－V族化合物半导体的方法，所述方法包括如下步骤：将第III族原料、第V族原料、载气以及必要时的其它原料供给到反应器中，以在所述反应器中的基板上通过有机金属气相外延法生长第III－V族化合物半导体，其中将所述第III族原料和所述第V族原料独立地供给到所述反应器中，并且将卤化氢与除所述第V族原料以外的原料或所述载气一起供给到所述反应器中。

公开(公告)号：CN101449401A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018826.9

申请日：2007-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 广山雄一 ,  秦雅彦 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  F21S2/00

CPC classification number: G02B6/0068 ,  G02B6/0025 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  H01L27/156 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/5036

Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光，并且，设置有含有用于吸收该光的一部分或全部，变换为不同的波长的光的荧光体的层，其中，所述阵列包括：由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组，该发光二极管群组包括：各自具有预先规定的N种(N≥2，但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管，通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量，能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。

公开(公告)号：CN101346309A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049174.0

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山林稔治 ,  秦雅彦

IPC: C01B33/033 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供具有工序(A)、(B)和(C)的多晶硅制造方法，(A)在温度T1下用金属还原下式(1)所示氯硅烷，获得硅化合物的工序、SiHnCl4－n(1)，(式中，n为0～3的整数)(B)将该硅化合物移送至温度T2(为T1＞T2的关系)的部分的工序、(C)使多晶硅在该温度T2的部分析出的工序，这里，温度T1为金属熔点(绝对温度)的1.29倍以上、温度T2高于金属氯化物的升华点或沸点，通过该制造方法能够以高收率获得高纯度的多晶硅。另外，本发明还包含具有通过上述制作方法获得的多晶硅的太阳能电池和多晶硅的制造装置。

公开(公告)号：CN104247038A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380015693.5

申请日：2013-03-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上谷保则 ,  秦雅彦

IPC: H01L31/04 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/302 ,  H01L31/078 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  H01L2031/0344 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种有机无机混合光电转换元件，其具有使用无机半导体的无机光电转换元件、和与该无机光电转换元件串联连接并且重叠配置在上述无机光电转换元件的有机光电转换元件，上述有机光电转换元件具备含有受电子性化合物及供电子性化合物的活性层，与上述无机光电转换元件相比，该有机光电转换元件在更短波长下具有吸收端。

公开(公告)号：CN102714144A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005900.X

申请日：2011-01-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶、形成于SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶上的III族氮化物半导体结晶。作为一例，该半导体基板还还包括形成于所述硅结晶上、具有露出所述硅结晶的开口且阻碍结晶生长的阻碍体，所述SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶形成于开口内部。