公开(公告)号：CN113272480A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201980084296.0

申请日：2019-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。

公开(公告)号：CN112531019A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011131017.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  C30B33/10 ,  C30B33/00 ,  C30B29/36 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面，所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度(Ra)，以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬，在所述主表面中，钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子/cm2的浓度，其中，在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子/cm2的浓度。

公开(公告)号：CN111051581A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880055130.1

申请日：2018-08-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  宫濑贵也 ,  本家翼 ,  山本裕史 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。

公开(公告)号：CN106605289B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201580047727.8

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

公开(公告)号：CN110651072A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880032424.2

申请日：2018-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和第二主面，并由具有4H多型的碳化硅构成。第一主面的最大直径大于或等于150mm。所述第一主面对应于相对于{0001}面在 方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面。所述碳化硅衬底的TTV小于或等于3μm。所述第一主面包含第一中心区域，所述第一中心区域被各边为90mm的正方形围绕。所述第一中心区域的对角线的交点与所述第一主面的中心重合。所述第一中心区域由九个正方形区域构成，各个正方形区域的各个边为30mm。所述九个正方形区域中的最大LTV小于或等于1μm。第二中心区域中的算术平均粗糙度Sa小于或等于0.1nm，所述第二中心区域被以所述交点为中心并且各个边为250μm的正方形围绕。

公开(公告)号：CN107002280B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580063761.4

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  C30B33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。

公开(公告)号：CN105579626B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201480052597.2

申请日：2014-08-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  冲田恭子 ,  西口太郎 ,  久保田良辅 ,  神原健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底(10)包括第一主表面(10a)和与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)具有大于100mm的最大直径，且碳化硅半导体衬底(10)具有不大于700μm的厚度。在从第一主表面(10a)的外周端部分(OR)朝向第一主表面(10a)的中心(O)的5mm以内的区域(OR2)中，在具有1mm2的面积的任意区域处，位错密度为不大于500/mm2。因此，提供有能抑制裂缝产生的碳化硅半导体衬底。

公开(公告)号：CN106796877A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580055161.3

申请日：2015-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅衬底(S10)、使用含有金属催化剂的抛光剂抛光碳化硅衬底的主表面(S20)、以及在抛光的步骤之后清洗碳化硅衬底(S30)。清洗的步骤包括利用王水清洗所述碳化硅衬底的步骤(S33)。

公开(公告)号：CN106133209A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580017272.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/10 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C30B25/186 ,  B24B37/042 ,  C23C16/325 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN105789029A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21?25)和衬底(2)。半导体层(21?25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21?25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。