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公开(公告)号：CN220079255U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202223431369.7
申请日：2022-12-21
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种外延生长系统，所述生长系统包括：供气控制子系统，用于输入多种不同气体，输出N路所述多种不同气体的第一混合气体；传输通道子系统，用于基于N路所述第一混合气体，输出M路所述多种不同气体的第二混合气体；M、N都是正整数，且M大于N；反应腔室，用于放置待处理基片，基于所述传输通道子系统输出的M路所述第二混合气体，对所述待处理基板进行离子掺杂，和/或，在所述待处理基板表面形成外延层。所述外延生长系统能够在保证获得良好的晶片内掺杂的均匀性的同时，在反应气体的耗尽效应相同的情况下，反应区域的范围得到扩大，可以在更大的范围内实现晶片的外延生长。
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公开(公告)号：CN219547154U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202223594430.X
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种保证碳化硅生长温场稳定性的保温筒，包括：筒体和筒盖；所述筒体包括：第一导热环、发热筒和卷筒固态石墨毡；所述第一石墨环设置于所述发热筒的顶部，所述卷筒固态石墨毡包裹所述小导热环和所述发热筒；所述筒盖扣合于所述第一石墨环和所述卷筒固态石墨毡的顶部。本方案对原保温筒结构进行改进，以降低固态石墨毡及发热筒的损耗，延长使用次数，降低材料成本。将原来放在发热筒上的环毡用同样厚度的第一导热环代替，原上层φ360/0实心毡分成实心毡、第二导热环、环毡三部分，利用石墨环导热效率高的特点，抑制碳化硅在固态石墨毡上结晶，保护发热筒上部固态石墨毡。
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公开(公告)号：CN219077848U
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202223522425.8
申请日：2022-12-28
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种防夹痕的透窗卡塞装置，包括：盒盖；所述盒盖开设有卡槽，且所述卡槽位于所述盒盖的中央。本方案将传统卡塞盒盖两处夹槽位置更改为主定位边一处部分，并降低卡槽深度，可有效提升晶圆有效面积，且不会影响产品品质；在不需要重新打开卡塞的情况下，方便晶圆ID信息可视读取，卡塞盒盖上方设计成透窗形式，晶圆信息一目了然；为有效解决晶圆对卡塞内微小颗粒的吸附，卡塞采用防静电材质，尽量减少颗粒在晶片表面的吸附。
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公开(公告)号：CN219793193U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202321138617.0
申请日：2023-05-12
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
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公开(公告)号：CN221453333U
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202323563142.2
申请日：2023-12-26
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种碳化硅原料粉尘剥离装置，在需要对碳化硅原料进行除粉尘时，先将碳化硅原料放入第二箱体，然后通过晃动机构带动第二箱体晃动，使团簇的碳化硅原料变为单个碳化硅颗粒，最后通过晃动机构带动第二箱体移动至输送机构的进料端上方进行卸料，使碳化硅颗粒进入输送机构后，通过输送机构输送至筛选机构，筛选机构通过筛选，使碳化硅颗粒中的粉尘分离，进而实现碳化硅颗粒上粉尘的剥离。
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公开(公告)号：CN219342384U
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202320748403.9
申请日：2023-04-07
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅籽晶的粘接模具，包括：模具本体和石墨底托；所述模具本体安装于所述石墨底托；所述模具本体的内径大于籽晶的直径，所述籽晶偏心粘接在所述石墨底托。本方案的模具本体内径略大于籽晶直径，一方面可以确保模具在安装过程中不会损伤籽晶；另一方面可以确定籽晶粘接到底托中心位置，并确定偏粘距离。
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公开(公告)号：CN214980279U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202023173344.2
申请日：2020-12-24
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B37/07
摘要： 本实用新型公开了一种打磨设备，所述打磨设备包括：第一转动设备，所述第一转动设备用于安装砂轮，且能够带动所述砂轮转动，或所述第一转动设备用于支撑载体盘，且能够带动所述支撑载体盘转动；所述支撑载体盘用于安装碳化硅晶片；第二转动设备，所述第二转动设备用于放置打磨盘，能够带动所述打磨盘沿其圆心轴线转动。应用本实用新型提供的技术方案，通过在打磨盘表面增加非规律性几何纹理，使碳化硅晶片表面在机械研磨或抛光时，在碳化硅晶片表面达到均匀研磨，减弱特定位置出现的特定浅而宽的沟槽，提升碳化硅晶片表面品质，提高产成率。
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公开(公告)号：CN219597490U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202223590920.2
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅晶片清洗卡塞装置，包括：清洗卡塞底座、卡塞支撑横梁、卡塞前连接件和卡塞后连接件；所述卡塞支撑横梁用于支撑晶片，所述清洗卡塞底座和若干根所述卡塞支撑横梁分别连接于所述卡塞前连接件和卡塞后连接件之间，所述清洗卡塞底座位于所述所述卡塞支撑横梁的下方。本方案减少晶片与卡塞的接触面积，将晶片更多的暴露在槽体中，清洗更充分，降低药液的残留率，横梁处改进可使干燥过程避免沟槽处水珠残留，减少水痕缺陷产生；该工装改进不仅可节省原材料，通过减少晶片与卡塞接触面积，大大提高了晶片清洗良率。
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公开(公告)号：CN219385400U
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202320938600.7
申请日：2023-04-24
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘、第一通气杆和第二通气杆；所述第一通气杆的一端用于连接反应腔室底部的进气孔，另一端连接于所述气盘的侧面，所述气盘的顶面与所述第二通气杆的底端连接，所述第二通气杆的顶端位于发热层的下部。本方案将气体出气孔引导至晶体生长反应腔下部，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。
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公开(公告)号：CN217914427U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202221807864.0
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请技术方案公开了一种用于晶片打磨设备的加工垫组件，所述加工垫组件包括第一加工垫、第二加工垫以及离型粘结层，第一加工垫和第二加工垫通过离型粘结层粘结固定，其中，对晶片进行打磨时，第一加工垫用于与上打磨盘粘结固定，第二加工垫用于与下打磨盘粘结固定，去除离型粘结层后，将晶片置于第一加工垫和第二加工垫之间进行打磨，在第一加工垫和上打磨盘粘结固定时以及第二加工垫和下打磨盘粘结固定时均采用正面下压式的粘贴方法，通过使用这种加工垫可以极大的降低加工垫在粘贴过程中的气泡和褶皱的发生率，从而可有效降低晶片表面损伤，降低晶片双面加工破损率，提高双面加工良率。
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