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公开(公告)号：CN108768324B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201711456405.6
申请日：2017-12-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路，包括连接第一、二级运放的共模反馈电路、产生衬底调制电压的反馈环路，反馈环路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、第一运算放大器、第二运算放大器、电路，电路包括第一场效应管，与第一场相应管相连的第二场相应管，与第二场效应管相连的第三场效应管，两级运算放大器的共模输出由反馈环路产生的输出电压配合连接第一运算放大器、第二运算放大器的共模反馈电路调节，第一运算放大器、第二运算放大器的第二级采用反相器结构。
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公开(公告)号：CN111725152B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010536781.1
申请日：2020-06-12
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 一种基于倒装焊的塑封菊花链电路结构及测试方法。电路结构：包括塑封基板、芯片、倒装焊点、基板布线、芯片内布线、基板上测试焊盘、散热片、基板通孔以及基板下测试焊盘；塑封基板通过倒装焊点与芯片实现链接，芯片上设置若干条芯片内布线；塑封基板的正面设置若干基板布线和基板上测试焊盘，基板布线连通基板上测试焊盘和倒装焊点；塑封基板背面制作有和基板上测试焊盘数量相同的基板下测试焊盘，基板上测试焊盘与基板下测试焊盘通过基板通孔互连互通；散热片覆盖并固定在芯片和塑封基板上方。本发明解决了塑封倒装焊电路散热片贴装后电通断测试无法进行的问题，提升塑封倒装焊工艺质量、保障塑封倒装焊电路可靠性。
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公开(公告)号：CN113515916A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110735965.5
申请日：2021-06-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明涉及一种非气密倒装互连凸点贮存寿命评估方法，步骤包括：(1)制备N只菊花链非气密倒装焊集成电路，记录每只电路编号；(2)将N/n组电路分别分配至温度循环试验、高温贮存试验、恒定湿热试验的三种试验条件下进行加速寿命试验；(3)定义焊点失效的标准为全动态导通电阻系统检测到瞬态阻值超过20％，记录失效时间数据；(4)对失效时间数据进行频率直方图分析，确定电路样品寿命分布类型；(5)拟合计算出加速模型待估参数，结合电路样品实际贮存条件，对电路样品的实际贮存寿命进行评估。本发明以链路通断作为失效时间的判断准则，实时准确检测互连通路的贮存可靠性，避免在伪寿命推算过程中引入误差。
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公开(公告)号：CN107797049B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710927364.8
申请日：2017-09-28
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/311
摘要： 本发明提供了一种IC芯片背面观察样品及其制作方法，所述制作方法为：采用中空PCB板与垫板粘接；将管芯背面粘贴在PCB板中空处；将管芯PAD与PCB焊盘用金丝球焊方式相连；管芯表面及部分焊盘涂绝缘胶并固化；去掉垫板露出管芯背面。本发明完全消除了背面近红外光观察时管芯结构的遮挡因素，有效降低以至消除了管芯机械损伤的诱因，原材料易于获取，无污染，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN112635385A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN112548248A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010982696.8
申请日：2020-09-17
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种精确控制CCGA植柱器件焊点焊料量的方法，首先，在焊盘上印刷助焊剂，在助焊剂上方再预放置固定尺寸的焊片或者焊球，助焊剂将焊片或者焊球固定在焊盘上，最后在焊片或者焊球上放置焊柱，并在焊柱顶端施加一定的压力，保证焊柱与焊片或者焊球的紧密贴合，然后进行焊接，在保证植柱质量的同时，保证焊料爬升高度精确爬升。本发明的方法所形成焊点可以精确控制的焊料量范围为0.02mm3～0.12mm3,焊料量控制偏差在±0.005mm3。保证焊料爬升可控制高度的范围为300μm～700μm，爬升高度误差控制在±50μm以内，远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号：CN112420619A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011192070.3
申请日：2020-10-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法，其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料，首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装，通过焊接实现芯片与外壳基座焊接，再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接，最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用，实现了立体阵列式整流二极管封装，大大提高整流二极管应用范围，纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装，拓宽了器件应用场景。
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公开(公告)号：CN110860817A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910934531.0
申请日：2019-09-29
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟-银-铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag-In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag-In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn2，随着工艺焊接时间的延长，Ag-In内部互扩散反应加剧，In4Ag9和Ag3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。
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公开(公告)号：CN107768325B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710786857.4
申请日：2017-09-04
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要： 一种倒装焊封装结构及其制作方法，属于封装技术领域，所述倒装焊封装结构包括芯片和基板，所述基板的第一表面与所述芯片的有源面相对，通过所述芯片上的焊料凸点连接，其特征在于，所述芯片的有源面上设有至少一散热凸点，所述基板上设有至少一散热体，所述散热体连通所述基板的第一表面和其他表面中的至少一个表面，所述散热凸点与所述散热体一一对应且连接。本发明实施例提供的倒装焊封装结构，通过在芯片上设置散热凸点，在基板上设置散热体，使散热凸点和散热体一一配合，将芯片产生的热量快速从基板的第一表面传导至其他表面快速释放，大大提高了散热效率，有效避免了热量过高导致的器件损坏。
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公开(公告)号：CN108711561A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810287313.8
申请日：2018-03-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L23/3677 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3731
摘要： 一种用于陶瓷封装的新型散热通道，包括高导热基板、导热通孔、散热层等，在芯片上电镀直径30～60μm的金凸点，包括导热凸点和信号连接凸点。带金凸点的芯片通过超声热压的方式倒装到高导热基板上，其中导热凸点通过基板表面的焊盘与基板内导热通孔连接，导热通孔垂直贯穿基板在基板内部会与散热层产生连接，这样形成了芯片‑基板优良的导热通路；信号连接凸点通过基板表面的焊盘和基板上电学布线连接，也增加了芯片到基板的导热能力。本发明在满足器件电学性能的前提下，用金凸点和AlN陶瓷替换传统封装材料，并在基板中增加导热通孔和散热层结构，这种封装的结构简单，封装材料利用率高，可以大大加强器件的散热能力，减小器件对热沉的依赖。
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