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公开(公告)号：CN107574479A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710691177.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氢化物气相外延生长系统，包括生长区和气路系统，气路系统中进气管路包括氨气管路、氧气管路和氯气管路，在生长氮化镓时使用氨气作为反应气体，在生长氧化镓时使用氧气作为反应气体；外延生长系统的生长区包括低温生长区和高温生长区，高温生长区的外侧为废气排出管路；低温生长区附近还设有Ga舟，氯气管路伸进Ga舟；该系统既用于氧化镓薄膜的生长、用于氮化镓薄膜的生长或用于氮化镓/氧化镓复合结构薄膜的生长。
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公开(公告)号：CN107574477A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710692091.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种大尺寸GaN衬底材料的制备方法，在蓝宝石或硅片衬底上利用溶胶-凝胶法制备大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜，并在氨气气氛中对氧化镓进行部分或全部氮化形成GaN/Ga2O3或者GaN薄膜作为缓冲层；在上述含有GaN薄膜缓冲层的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)同质厚膜生长，获得厚度均匀分布的大尺寸GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即获得自支撑GaN衬底材料；或使用传统的激光剥离等方法去除异质衬底获得GaN自支撑衬底材料。
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公开(公告)号：CN105206727B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510645324.5
申请日：2015-10-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层与金属电极膜隔离，在InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端与金属电极膜接触的部位通过聚焦离子束系统二次沉积金属电极形成欧姆接触。本发明方法的主要特点是使用紫外光光刻和聚焦离子束二次沉积形成纳米柱的欧姆接触，使用该方法能够显著提高电极与纳米柱的对准精度和制备成功率，以及在制备电极的同时，不损伤InGaN/GaN多量子阱，从而实现较好的金属半导体接触，提高电注入的电流密度从而增加发光亮度。该方法适用于制备单纳米柱InGaN/GaN发光二极管，尤其适用于尺度小于紫外光光刻极限的纳米器件。
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公开(公告)号：CN106381523A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610810916.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/10 , C30B25/14
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，反应腔体由腔体管和多支气体导管组成，反应源气体和负载气体的气体导管位于腔体管的上部入口部份向下延伸，用于将反应气体送至生长区的石墨支托上的外延生长衬底处，真空装置的吸入口接反应腔体一个出口，使反应腔体内保持0.1-1个大气压；腔体内2-3种反应源气体进气气体导管采用非同轴结构分布于腔体管的中心轴线两侧。
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公开(公告)号：CN106249458A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610917593.7
申请日：2016-10-20
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1337 , G01J4/00
CPC classification number: G02F1/1333 , G01J4/00 , G01J2004/001 , G02F1/1337
Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶装置、制备方法和成像偏振探测系统。该液晶装置包括：基板、设置于所述基板一侧的取向膜以及设置于所述取向膜远离所述基板一侧的液晶层；所述取向膜具有分子指向矢分布呈设定分布的控制图形，以使所述液晶层中的液晶分子自组装形成设定的液晶焦锥畴阵列；所述液晶焦锥畴阵列包含多个具有旋转对称性破缺的液晶焦锥畴单元。本发明实施例提供了一种液晶装置、制备方法和成像偏振探测系统，以实现在对目标探测物成像的同时能够准确获取目标探测物的偏振特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106129204A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610627269.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为p型GaN光栅层，p型GaN光栅层上设有纳米双层金属光栅层。并公开了其制备方法。本发明通过在LED上布置复合光栅，包括p型GaN光栅和双层金属光栅，在p型GaN光栅和双层金属光栅之间会产生表面等离激元共振作用，直接加快复合过程，提高LED的内量子效率，从而从发光有源层直接发射强烈的偏振光。与传统的亚波长金属光栅只能实现偏振相比，本发明可以同时实现LED的发光效率增强和偏振出光，并且可以独立于材料生长过程。
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公开(公告)号：CN105404056A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510932666.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13 , G01M11/02
CPC classification number: G02F1/133753 , G01M11/02 , G02F1/1309 , G02F2001/133757
Abstract: 本发明公开了一种液晶退偏器、制备方法和退偏测试系统，包括:相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层和间隔粒子；第一基板和第二基板近邻液晶层的一侧设置有光控取向膜，邻近第一基板和/或第二基板的光控取向膜具有多组分子指向矢方向不同的微区图形，每组微区图形包括多个随机分布的微区，且同一组微区图形中的微区分子指向矢方向相同；多组分子指向矢方向不同的微区图形相互拼接形成光控取向膜的工作区，光控取向膜中多组分子指向矢方向不同的微区图形控制液晶层中的液晶分子指向矢随机分布，以使照射在液晶退偏器的入射的偏振光转换为非偏振光，提高了液晶退偏器的普适性，且结构简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104868023A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II-VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN101724910B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN200910232185.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法，工艺简单、有效。所述消除GaN厚膜材料表面缺陷的方法为：将GaN厚膜材料置于含氢气和氨气的混合气体气氛中，进行退火处理。其中，混合气体气氛中，氢气体积百分比为0.1％-99.9％，氨气体积百分比为0.1％-99.9％，退火处理在气压为1K～1MPa的混合气体气氛中进行。退火处理的温度为500～1500℃，时间为5秒到500分钟。GaN厚膜材料厚度为5～1000微米之间时，特别适用于本发明。本发明的有益效果有：一、可有效消除GaN厚膜材料表面的缺陷态和抛光损伤；二，可去除GaN厚膜材料表面氧化薄层；三，可使GaN厚膜材料内部可能存在的应力得到一定程度的释放。
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公开(公告)号：CN104049426A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410332631.3
申请日：2014-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1347
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔石墨烯透明电极的宽带可调液晶太赫兹波片。在入射面的基板内侧设置有亚波长金属线栅，出射面的基板内侧设置有多孔石墨烯，两片熔融石英基板通过框胶结合构成液晶盒；液晶盒中的金属线栅与多孔石墨烯之间夹设有两层光控取向层，两层光控取向层中间夹设有液晶材料，液晶材料为太赫兹电控大双折射率液晶材料；液晶盒通过光控取向的方式实现液晶的平行取向，且取向方向与金属线栅方向成45°。本发明利用液晶的电控双折射特性，通过电压调节寻常光与非常光的相位延迟来实现对应不同频率的特定波片，具有超宽频段、自偏振、透过率高、调制量大、响应快速等特性，能在蓬勃发展的太赫兹领域发挥广泛应用。
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