公开(公告)号：CN1119433C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN99124561.X

申请日：1999-12-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王佳宇 ,  陈宏宇 ,  吕宪义 ,  白亦真 ,  金曾孙

IPC: C23C24/08 ,  H01L21/56 ,  H05K3/12

Abstract: 本发明属金刚石厚膜热沉基板的金属化工艺、采用MnO2、Ni、Au三种浆料、顺序分三次丝网印刷在金刚石厚膜生长面上，每次印刷后都在400～550℃温度下预烧5～20分钟，最后在真空度10-2，torr、约900℃下烧结MnO2浆料是将MnO2与溶剂一起研磨再调节末粘度制成。本发明的工艺使金属化图形表面致密无孔洞，附着力强，有较好的可焊性，金刚石厚膜基板又不被氧化，工艺简单，装料成本低，对金刚石厚膜在微电子领城应用具有实际意义。

公开(公告)号：CN1041119C

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN94103623.5

申请日：1994-04-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 顾长志 ,  金曾孙 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC: C30B25/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及制作工艺。其结构按顺序为单晶硅薄层(3)、SiO

公开(公告)号：CN1109518A

公开(公告)日：1995-10-04

申请号：CN94103623.5

申请日：1994-04-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 顾长志 ,  金曾孙 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC: C30B25/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及制作工艺，其结构按顺序为单晶硅薄层(3)、SiO2过渡层(5)、金刚石膜(2)、多晶硅(4)。其工艺是在单晶硅片上逐层生长SiO2过渡层，金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。

公开(公告)号：CN1091996A

公开(公告)日：1994-09-14

申请号：CN93104175.9

申请日：1993-04-10

Applicant: 吉林大学

Inventor： 金曾孙 ,  吕宪义 ,  张铁臣 ,  邹广田

IPC: B01J3/06 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明为一种用表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法。主要是以化学气相沉积的方法，在石墨片表面生长适当数量和尺寸的CVD金刚石作为晶种，再经组装、合成、化学处理、筛分选形工艺过程，生产大颗粒高压金刚石。由于CVD金刚石表面干净、杂质少，而且生长的数量和尺寸可以控制，而适合作晶种。同时使合成高压金刚石的压力降低约0.5GPa，提高了金刚石的转化率和粗粒度。

公开(公告)号：CN1013965B

公开(公告)日：1991-09-18

申请号：CN89107565.8

申请日：1989-09-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 金曾孙 ,  于三 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明属一种在半导体衬底表面选择性生长金刚石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金刚石成核密度具有很大差异这一性质，实现了金刚石膜的选择性生长。主要工艺过程为研磨，生长隔离膜，光刻，制备金刚石膜，化学腐蚀等。所制备的金刚石膜具有质量高，选择性生长好，不破坏衬底等优点，而且制备参数易于控制，工艺简单，成品率高。本方法制备的金刚石膜可应用于大规模集成电路，微波器件，光电器件等半导体器件的制备。

公开(公告)号：CN221080025U

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202321568094.3

申请日：2023-06-20

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  林旺 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管属于半导体器件技术领域，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。本实用新型提供的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。

公开(公告)号：CN201309305Y

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200820072887.5

申请日：2008-12-10

Applicant: 吉林大学 ,  长春八方金刚石科技有限公司

Inventor： 姜志刚 ,  张淑玲 ,  林志伟 ,  吕宪义

IPC: B41J2/22

Abstract: 本实用新型的打标机的金刚石针头及其制作方法属于打标、刻字的技术领域。由针座(1)、针杆(2)、针尖(3)以及连接孔(4)、镶嵌孔(5)组成；针尖(3)由金刚石条构成，顶端表面为球面形状；在镶嵌孔(5)与金刚石条的侧面之间充有焊料。制作有部件的选料加工、金刚石条的镶嵌、针尖的刃磨、针杆与针座连接的过程。本实用新型在使用过程中金刚石不脱落，性能稳定，寿命长，针尖硬度高，可多次修磨。不仅可替代传统的硬质合金针头或碳化硅针头，而且能实现上述针头无法满足的硬质材料工件的打标，扩展气动打标和电动打标的应用领域。

公开(公告)号：CN221238399U

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202322209711.7

申请日：2023-08-16

Applicant: 宜宾吉林大学研究院

Inventor： 李柳暗 ,  朱盈 ,  王启亮 ,  成绍恒 ,  李红东 ,  吕宪义

IPC: G01D5/26

Abstract: 本实用新型的一种基于硅空位色心传感器属于量子材料技术领域，结构包括：电路板(1)、电极(2)、音叉器件(3)、转接梁(4)、金刚石基片(5)、金刚石纳米柱波导阵列(6)。本实用新型提供的金刚石硅色心传感器设置有金刚石纳米柱波导阵列，形成多个含有硅空位色心的探头，提高了硅空位色心传感器的效率和使用寿命。且实现了多组微小尺寸传感器的集成，提升所探测外界磁场、温场、微波场位置、距离、强度、方向等信息精度。

公开(公告)号：CN201460746U

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200920094024.2

申请日：2009-07-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李红东 ,  吕宪义 ,  王启亮 ,  刘军伟

IPC: E21B10/46

Abstract: 本实用新型的孕镶金刚石膜的钻头及其制作方法属于机械加工领域。钻头是由钢体(1)和工作层(2)构成，工作层(2)包含化学气相沉积的金刚石膜(4)和硬质胎体材料(3)。金刚石膜(4)按要求形态分布于工作层(2)中。钻头成型方式包括一次成型和镶块式二次成型。一次成型是指烧结型热压金刚石钻头，镶块式二次成型是先烧结出金刚石孕镶块，然后把孕镶块镶焊在铣好的钢体上形成钻头。本实用新型的钻头增强了耐磨性，减小了切割粘附性，保证钻头底唇面的粗糙度和有效出刃，并可有效地保径，提高了切削效率和工具的寿命。与普通金刚石钻头比较，具有寿命长、钻进效率高、工作距离长、能耗低、防粘岩粉能力强等特点。

公开(公告)号：CN2424876Y

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN00234930.2

申请日：2000-05-15

Applicant: 吉林大学

Inventor： 吕宪义 ,  姜志刚 ,  杨广亮 ,  金曾孙

IPC: B24B53/12

Abstract: 本实用新型的金刚石厚膜作磨头的砂轮修整笔属磨削加工工具领域。它由笔杆把(1)、笔杆头(2)、磨头(3)、焊料层(4)构成。其中的磨头(3)是用金刚石厚膜制作,焊料层(4)是由钛箔和银铜料经焊接将磨头(3)与笔杆头(2)顶端固定成整体。本实用新型不开预制孔、不需在金刚石厚膜上镀钛,使制作简单容易,结合牢固。加工面可随意设计大小,修整效率高。使用寿命长。笔杆头号(2)和磨头(3)能制成各种形状,而有多种用途。