晶圆加热装置
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110352626B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201880014866.4

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 陶瓷加热器(10)在单面为晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体(12)埋设有中央熔区电阻发热体(20)及外周熔区电阻发热体(50)。中央熔区电阻发热体(20)从一对端子(21、22)的一方到另一方以一笔划线的要领配线,一对端子(21、22)形成为,在俯视时一对端子(21、22)的整体形状为圆形。

    带轴的陶瓷加热器
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114175851A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202080050721.7

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 一种带轴的陶瓷加热器,具备:陶瓷板,其埋设有电阻发热体;中空的陶瓷轴,其接合于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面;导电膜,其以沿着陶瓷轴的内周面的方式沿轴向设置;凹部,其以从陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面到达电阻发热体的端子的方式设置,所述端子的下表面在该凹部的底面露出,并且导电膜的表面在该凹部的侧面露出;以及连接构件,其填充于凹部,将端子的下表面与导电膜的表面电连接。

    晶片载置台
    64.
    发明公开
    晶片载置台 审中-实审

    公开(公告)号:CN114026681A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202080047772.4

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 晶片载置台具备:静电卡盘,其在陶瓷烧结体中埋设有静电吸附用电极;冷却构件,其粘接于静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面上,对静电卡盘进行冷却;供电端子用孔,其在厚度方向上贯通冷却构件;以及供电端子,其从静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面与静电吸附用电极接合,并插入于供电端子用孔中。供电端子中的插入于供电端子用孔中的部分的外周面被涂覆有绝缘材料的绝缘薄膜覆盖。

    静电卡盘
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113574652A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202080021416.5

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 静电卡盘(2)具备:具有晶片载置面(4a)的陶瓷制的板(4);在厚度方向上贯通板(4)的顶针孔(10、20、30);用于产生静电力的正负一对电极(正极(6)和负极(8))。板(4)具有假想地分割为顶针孔的数量的分割区域(A1、A2、A3)。正极(6)和负极(8)在每个分割区域具有以从接近顶针孔的正极起点和负极起点分别出发并遍及整个分割区域的方式并列地设置的正负一对涡旋状电极部(16、18、26、28、36、38)。正极(6)是将各分割区域的正的涡旋状电极部(16、26、36)在板(4)的外周部连结而成的,负极(8)是将各分割区域的负的涡旋状电极部(18、28、38)在板(4)的中央部连结而成的。

    陶瓷加热器
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113395793A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110250161.6

    申请日:2021-03-08

    Inventor: 竹林央史

    Abstract: 本发明提供陶瓷加热器。陶瓷加热器(10)具备陶瓷板(12)、平面电极(14)以及电阻发热体(21)。在陶瓷板(12)中埋设有第一导通孔(51)、第二导通孔(52)、连接部(53)和增强部(54)。第一导通孔(51)是导电性的,从电阻发热体(21)朝向导通孔用贯通孔(16)设置。第二导通孔(52)是导电性的,从导通孔用贯通孔(16)朝向与电阻发热体(21)相反的一侧设置。连接部(53)是导电性的,将第一导通孔(51)与第二导通孔(52)电连接。增强部(54)在导通孔用贯通孔(16)的内侧设置于连接部(53)与导通孔用贯通孔(16)的内周面之间,由与陶瓷板(12)相同的材料制作。

    柔性基板以及金属配线接合结构的制法

    公开(公告)号:CN107548231B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201710194084.0

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 本发明提供柔性基板以及金属配线接合结构的制法。连接用FPC(75)在支撑层(751)与被覆层(752)之间具有多个金属配线(750),包含形成各金属配线(750)的一端的接点部(753)的露出区域从被覆层(752)露出。在支撑层(751)中与设置有金属配线(750)的面相反一侧的面上设置有弯曲位置引导部(760)。弯曲位置引导部(760)的边缘(760a)成为将连接用FPC(75)折弯时的折弯线,且配置于将被覆层(752)投影于支撑层(751)而得的被覆层投影区域(E)中。在将连接用FPC(75)折弯时,连接用FPC(75)在金属配线(750)中用被覆层(752)被覆的部分即被增强的部分折弯。

    静电卡盘加热器
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107113921B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201680004220.9

    申请日:2016-06-20

    Inventor: 竹林央史

    Abstract: 一种静电卡盘加热器(20),其具备静电卡盘(22)、片状加热器(30)和支撑台(60)。静电卡盘(22)是在陶瓷烧结体(26)中埋设静电电极(24)而成的。片状加热器(30)是具有多个修正加热电极(34)和多个基准加热电极(44)的树脂片(32)。该片状加热器(30)的一面与静电卡盘(22)树脂粘接,另一面与金属制的支撑台(60)树脂粘接。

    半导体制造装置用部件
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110770877A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201880039732.8

    申请日:2018-06-07

    Inventor: 竹林央史

    Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具备:表面为晶圆载置面(12a),且内置有电极(14、16)的氧化铝烧结体制的板件(12);将该板件(12)沿厚度方向贯通的至少一个贯通孔(18);以及经由氧化铝烧结体制且环状的第一接合层(24)接合在该板件(12)的背面(12b)的氧化铝烧结体制的绝缘管(20)(筒状部件)。

    晶圆加热装置
    70.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110352626A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201880014866.4

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 陶瓷加热器(10)在单面为晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体(12)埋设有中央熔区电阻发热体(20)及外周熔区电阻发热体(50)。中央熔区电阻发热体(20)从一对端子(21、22)的一方到另一方以一笔划线的要领配线,一对端子(21、22)形成为,在俯视时一对端子(21、22)的整体形状为圆形。

Patent Agency Ranking