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公开(公告)号：CN105892103B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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公开(公告)号：CN106207430B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610584929.2
申请日：2016-07-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，具体涉及一种新型LTCC宽频带圆极化微带贴片阵列天线，用于克服现有圆极化微带贴片阵列天线在兼顾其低剖面、圆极化、高增益以及宽频带方面的不足。该天线包括从下往上依次层叠的接地金属层、下层介质基板、下层金属贴片天线、上层介质基板、上层金属贴片天线，上、下层金属贴片天线分别由若干个呈阵列排布的上、下层金属贴片单元构成，上、下层金属贴片单元采用相同尺寸的加切角正方形金属贴片且在切角处均开设有矩形凹槽，上层金属贴片单元的四边均开设有矩形缝隙，下层金属贴片单元的除馈电一边的其他三边也开设有矩形缝隙。本发明能够在相同阵元数目限制下尺寸更小、增益更高、圆极化性能更好、频率带宽更宽。
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公开(公告)号：CN105824138B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610228317.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于石墨烯/掺杂硅复合双层结构的光控太赫兹调制器，用以同时获得大的调制速率和调制深度；该光控太赫兹波调制器，包括从下往上依次设置的衬底1、绝缘层2、金属掺杂Si半导体层3、石墨烯薄膜4以及泵浦激光束5；其特征在于，所述金属掺杂Si半导体层3与所述石墨烯薄膜4组成石墨烯/掺杂Si复合双层结构。本发明光控太赫兹波调制器具有高速、宽带、大幅度调制以及室温工作的特点，能够工作在0.2‑2.6THz，调制频率达到10MHz，最大调制深度达到50％以上；即能够用于太赫兹高速无线通信系统，也能够用在太赫兹成像、探测多个应用系统中作为高速宽带太赫兹波调控器件。
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公开(公告)号：CN108389718A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810112294.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。
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公开(公告)号：CN108227243A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810054913.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明提供一种硅基全介质型电控太赫兹波调控器件及其制备方法，包括双层圆柱形硅微米结构，高阻硅衬底、掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层以及二氧化钒薄膜，双层圆柱形硅微米结构位于高阻硅衬底的上侧，掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层、二氧化钒薄膜从上到下依次位于高阻硅衬底的下侧；本发明中选取半导体高阻硅材料作为主要介质材料，获取容易、成本低且半导体加工工艺成熟；这一器件具有很高的太赫兹波透射率以及极低的器件插损，同时具有大的工作带宽；通过在二氧化钒薄膜和掺杂硅叉指电极间引入氧化物绝缘层可有效抑制电流所产生的焦耳热，进而提高器件开关速度，可广泛应用于太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244583B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510697823.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种新型的超带宽微带威尔金森功分器，属于微波工程领域。包括一个输入端口和n个输出端口，所述相邻的两个输出端口之间设置m个隔离电阻，所述输入端口与n个输出端口之间均设置有多节阻抗变换器，每一节阻抗变换器为四分之一波长阻抗线；第k路输出端口与k+1路输出端口之间的隔离电阻Rki和第k‑1路输出端口与k路输出端口之间的隔离电阻R(k‑1)i之间有间隔L，且0＜L＜1/4λ，i＝1,2,3…,m，k＝2,3…,n‑1。本发明功分器可实现1～8GHz内功率的平均分配，且各端口匹配良好，各输出端口间良好隔离，回波损耗低，输出相幅一致性高。
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公开(公告)号：CN107299394A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710405520.4
申请日：2017-06-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，包括如下步骤：制备熔体：以Ga2O3、Tm2O3、Fe2O3、Bi2O3为原料制备熔体；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。本发明制备得到的磁光薄膜能够应用于自旋逻辑器件。本发明得出了合适的氧化物配比，并结合氧化物配比的特点，采用高生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶Bi:TmIG薄膜，其薄膜厚度为100～1000nm，具有垂直于薄膜表面(面外)的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN105175010B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510587454.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备金红石二氧化钛纳米薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。首先以钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)为溶质，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的混合液为溶剂，配制钛酸四丁酯的浓度为0.1～1mol/L的前驱体溶液，其中，单乙醇氨、乙二醇甲醚和丙酮的体积比为1：1：0.5；然后加入乙酰丙酮作为螯合剂、丙三醇作为增粘剂，搅拌，得到透明均匀的溶胶；最后经过旋涂和高温烧结，在硅片上得到金红石二氧化钛纳米薄膜。本发明方法具有成本低廉、工艺简单、重复性好、可大规模制造的优点。
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公开(公告)号：CN107244916A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710355178.1
申请日：2017-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种铌酸盐系低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波电子陶瓷材料及其制备领域。包括主晶相和占主晶相重量百分比为1％～4％的锌硼玻璃，所述主晶相为Ni1‑xZnxTiNb2O8，其中，0.2≤x≤0.8；所述锌硼玻璃以其标准物计的含量为：ZnO 50mol％～70mol％，HBO3 30mol％～50mol％。本发明提供的陶瓷材料在900～950℃烧结良好，其介电常数εr＝32～35，Q×f＝13000～21000GHz，谐振频率温度系数τf＝‑15～+6ppm/℃，可广泛应用于LTCC叠层微波器件中。
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公开(公告)号：CN107146761A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710312918.3
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/4763 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/4763 , H01L21/0237 , H01L21/02496 , H01L21/02521 , H01L21/02609 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法，该方法，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石(GGG)上生长的高质量单晶钇铁石榴石(YIG)作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延(MBE)技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。该方法简单可行的，所制得的钇铁石榴石/铋异质薄膜相对于无铋薄膜的钇铁石榴石(YIG)的磁光克尔转角显著增大；本发明相比在YIG中铋的置换掺杂，制备工艺简单，为异质结型磁光材料的制备与研究提供了一种新的方法，在光通信、磁光存储等众多领域有广泛的应用。
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