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公开(公告)号：CN213716839U
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202023242184.2
申请日：2020-12-29
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种半导体干法刻蚀设备腔体水汽含量报警系统，包括半导体干法刻蚀设备和安装于半导体干法刻蚀设备上的水汽含量报警系统，水汽含量报警系统按照检测数据传输的过程依次设置有水汽检测装置、水汽检测计算机、继电器、蜂鸣器和工厂网络系统，水汽检测装置与半导体干法刻蚀设备之间连接有管道，管道上安装有手动阀，水汽检测装置由离子源、四级杆质量过滤器和检测器组成，离子源位于管道一侧，四级杆质量过滤器包括对称设置的两组挡板和位于挡板内部的四级杆。本实用新型设计的水汽检测装置实时监控干法刻蚀设备的腔体水汽状态，当超标时可以通知半导体工作人员及时处理生产设备，能够避免产品的报废，达到提升产品良率的目的。
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公开(公告)号：CN213624377U
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202022734344.9
申请日：2020-11-23
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种等离子增强化学气相沉积设备薄膜均匀度调节装置，涉及晶圆薄膜均匀度调节装置领域,包括调节托盘、固定螺母槽、固定螺杆、调节螺母、第一防松螺母、反应外壳、反应腔、加热器和晶圆，调节托盘内部开设有容纳槽，容纳槽内壁压紧有调节螺母，调节托盘的一面开设有开口，容纳槽与固定螺母槽、开口连通且方向与调节螺母运动方向一致，固定螺杆远离开口的端面的位置设有调节刻度标识，调节刻度标识与调节托盘的端面对应。本申请具有对所沉积的薄膜精准控制的效果。
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公开(公告)号：CN213184248U
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202022733796.5
申请日：2020-11-23
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种用于外延膜生长设备的晶圆定位装置，包括基座、晶圆放置槽和提升销，晶圆放置槽位于基座的中部，提升销围绕基座的中心等间距圆周分布，基座上设有定位销，定位销在晶圆放置槽外绕基座的中心等间距圆周分布，定位销沿晶圆下降方向于基座上投影的边缘与晶圆放置槽的边缘相切；本申请具有稳定晶圆的效果，在提升销向晶圆放置槽内运送晶圆的过程中，有一定概率会因空气的原因导致晶圆与晶圆放置槽间定位不准，此时基座上的定位销则可以起到保持运送过程稳定的作用。
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公开(公告)号：CN212750830U
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202022254391.3
申请日：2020-10-12
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本实用新型公开了一种半导体制造用晶圆对准去气腔装置，室体内部另一侧设置有导向轨，室体内部设置有晶片夹头，晶片夹头与导向轨滑动连接，底座上表面通过电机座安装有提升电机，提升电机通过第一丝杠与晶片夹头相连，室体上表面设置室盖，室盖上表面位于通槽处设置有套筒，加热灯罩下端活动设置于套筒内，加热灯罩的上端设置有齿环并与转动电机的齿盘啮合，加热灯罩及加热灯一侧均开设有凹槽并与滑动架配合，滑动架位于室体内部部分设置有激光头，横移电机通过电机座安装在室盖上表面，横移电机通过第二丝杠与滑动架相连，本实用新型结构合理，加热灯罩可以实现往复转动，这样晶圆的每个部分的加热效果是均匀的，减少晶圆缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN212182284U
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202022714576.8
申请日：2020-11-23
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种用于外延膜生长设备的监控报警装置，其包括与旋转基座连接的检测圆盘，检测圆盘偏心设置有至少一处的检测部；检测圆盘旁设置有检测传感器，检测传感器连接有定时器，定时器控制连接有报警器，检测传感器向定时器发送复位信号，定时器接收复位信号后复位，并于设定时间后驱动报警器报警；若旋转基座停止转动，则检测圆盘停止转动而不会经过检测传感器，使检测传感器无法向定时器发送复位信号，导致定时器驱动报警器报警,实现了监控基座的旋转，避免因为基座停止旋转而产生产品的报废，提升良品率。
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公开(公告)号：CN217507267U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202123398091.3
申请日：2021-12-30
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及一种半导体加工工艺腔室及半导体加工装置，半导体加工工艺腔室包括腔室本体和抽气装置，在腔室本体的至少一个侧壁上设置有第一传片通道，抽气装置包括第一抽气口，以及与第一抽气口连接的抽气泵，第一抽气口设置于与第一传片通道相同一侧的腔室本体的底板上，本实用新型通过上述布置方式，使得在传片时，如果有颗粒污染物通过第一传片通道进入工艺腔室后，通过第一抽气口第一时间将颗粒污染物抽走，并且通过上述方案有效抑制了或者在一定程度上改善了在传片过程中传片通道或传片腔室内具有颗粒，进入工艺腔室后对晶圆盘以及晶圆上形成污染的技术问题。
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公开(公告)号：CN215617177U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202122197078.5
申请日：2021-09-13
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 , 盛吉盛精密制造(绍兴)有限公司
摘要： 本申请涉及一种半导体外延石英部件加工组合式砂轮及研磨设备，涉及半导体外延石英部件生产的技术领域，包括连接套、设置在连接套上的若干砂轮本体，若干砂轮本体的目数各不相同且至少设置有两个。本申请通过多个目数相同的砂轮本体分别对半导体石英产品进行加工，因此可以根据不同加工需要完成加工，降低了多次更换砂轮的概率，节省了时间，提高了砂轮对产品的加工效率。
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公开(公告)号：CN214518542U
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202122340218.X
申请日：2021-09-27
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 , 盛吉盛精密制造(绍兴)有限公司
IPC分类号： B23K37/04
摘要： 本申请涉及半导体石英部件制造的技术领域，尤其是涉及一种半导体石英部件焊接对位装置，包括底座，所述底座上垂直地设置有支架杆，所述支架杆上设置有用于夹持部件的夹持结构，所述夹持结构包括可定位地滑移连接在支架杆上的夹座、设置在夹座上的夹具。本申请具有以下效果：通过夹具将石英棒进行夹持固定，并可使得夹座在垂直于底座的方向上进行滑动，对合至放置在底座上的石英板，当两者对合准确后，对石英棒下端进行加热处理，且也对石英板对合点进行加热处理，然后将两者对合后进行固定，在此过程中石英棒能够保持与底座垂直的状态，使得最终成型的构件能够具有较好的垂直度。
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公开(公告)号：CN214279928U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202120684561.3
申请日：2021-04-02
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种外延膜生长设备及分离方法，在外延膜生长设备的金属夹环与金属基板之间，设置分离销装置，分离销包括至少两个带有螺丝的连接件，连接件贯穿金属夹环，连接件的顶端抵接在金属基板表面，利用分离销的反向力，分离金属夹环与石英件，在金属夹环与石英件分离后，移动金属夹环，实现金属夹环与石英件的安全分离，减少损坏石英件的几率。
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公开(公告)号：CN212175035U
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202022714795.6
申请日：2020-11-23
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本申请涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷淋头组件，其包括固定连接在穹顶的顶部盖板，顶部盖板靠近晶片的一侧固定设置有底部盖板，底部盖板远离顶部盖板的侧面设置有朝晶片延伸的电极板；顶部盖板开设有多个第一气孔，第一气孔的内缘朝向底部盖板延伸有第一气道，底部盖板开设有与第一气孔对应的第二气孔，第一气道伸入第二气孔内，顶部盖板与底部盖板之间的区域为第二气道；电极板开设有与第二气孔对应的反应孔；顶部盖板远离底部盖板的一侧设有第一气源，第一气源向第一气道供第一气体，第二气道连接有第二气源，第二气源向第二气道供第二气体；提高了晶圆片薄膜的均匀度。
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