一种具有超大输出电压的薄膜型热电偶及其制备方法

    公开(公告)号:CN106679838A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611228889.4

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种具有超大输出电压的薄膜型热电偶及其制备方法,能够用于极端环境下的高温测量及微纳传感的需求,且具有超大的输出电压值,所述的薄膜型热电偶,包括设置在陶瓷基片上的两个热电极,两个热电极相互搭接,两个热电极的材料分别采用掺杂改性的铬酸镧或钴酸镧薄膜和掺杂改性的氧化铟或氧化锌,其中,第一热电极材料和第二热电极材料的掺杂均为:掺杂不同种金属元素或者掺杂金属元素的含量不同。

    一种钨铼薄膜热电偶传感芯片的封装结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN105651406A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201610098465.4

    申请日:2016-02-23

    CPC classification number: G01K7/02 H01L23/31

    Abstract: 本发明公开了一种钨铼薄膜热电偶传感芯片的封装结构及其制作方法,该封装结构衬底上表面制有与传感器芯片尺寸相当的圆形凹陷,二者通过耐高温玻璃紧密键合;封帽内部上表面溅射有吸气剂,封帽通过键合环与衬底的上表面紧密键合;高温补偿线与传感器芯片的热电偶电极构成连接,凸出的高温补偿线缠绕在衬底下部的螺柱处固定;封帽、传感器芯片、耐高温玻璃、衬底和高温补偿线共同与管外壳相向装配在一起,通过耐高温玻璃键合连接。本发明能够解决钨铼高温下易失效,热电偶薄膜受冲蚀脱落等造成的现有温度传感芯片测量范围小、寿命低的问题,实现可采集稳定信号的输出功能。

    一种掺杂钛酸锶薄膜型热电偶

    公开(公告)号:CN105444911A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510771506.7

    申请日:2015-11-12

    CPC classification number: G01K7/04

    Abstract: 本发明涉及一种掺杂钛酸锶薄膜型热电偶,是采用两组不同掺杂钛酸锶薄膜作为热电偶的热电极材料,采用磁控溅射、丝网印刷或者化学旋涂工艺,在高温陶瓷基片上沉积制备可用于高温温度测量的掺杂钛酸锶氧化物薄膜热电偶。该薄膜热电偶采用直接贴装或者涂覆在陶瓷基片表面,可用于高温氧化气氛中的温度测量,能够在1200℃-1500℃高温下长期稳定工作。

    一种梁膜结构压电传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN105300573A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510751357.8

    申请日:2015-11-06

    Inventor: 田边 杨宁 刘汉月

    Abstract: 本发明公开一种梁膜结构压电传感器及其制作方法,由十字梁和四个敏感应力薄膜组成,十字梁上布置了四个压电片,压电片的电压由上、下电极引出,上、下电极与焊盘相连,其制作方法是通过硅各项异性湿法刻蚀得到硅基底中的腔体及平膜片结构,正面光刻并刻蚀形成十字梁及四个方膜片结构,正面光刻、显影,溅射、正胶剥离,形成Ti-Pt下电极金属层,采用改性的溶胶-凝胶法工艺及湿法工艺在Ti-Pt电极上制备PZT-5H薄膜层,在正面光刻、显影、溅射、正胶剥离,形成Pt下电极金属层,在硅片基底的背面粘结硼玻璃,最后得到传感器。本发明具有更好的灵敏度、更低的挠度,同时拥有频带宽、信噪比高、结构简单、工作可靠和重量轻等优点。

    一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片

    公开(公告)号:CN102636298A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210071278.9

    申请日:2012-03-16

    Abstract: 一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片,包括硅基底,硅基底上加工有四个质量块、四根单梁及十字梁,质量块通过单梁与硅基底连接,质量块之间通过十字梁连接,将硅基底、质量块、单梁及十字梁围成的空间加工成薄膜,硅基底背面与Pyrex7740玻璃键合,将质量块的背面减薄,使质量块与Pyrex7740玻璃之间留有间隙,同时将Pyrex7740玻璃上的四个防吸附电极插入键合区域,将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空,在硅基底的正面,四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥,四根单梁及十字梁的引入提高了整体刚度,再次集中了应力,具有高灵敏度,高线性度的特点,同时可以抗500倍的高过载。

    一种碳化硅微结构及其受压电阻变化测试平台和搭建方法

    公开(公告)号:CN119263203A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411377951.0

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 一种碳化硅微结构及其受压电阻变化测试平台和搭建方法,其微结构包括具有高掺杂浓度外延层的碳化硅微结构,高掺杂碳化硅微结构为通过N型或P型外延掺杂得到的多层碳化硅外延片,通过微纳工艺制备得到表层微型敏感电阻,每两个微型敏感电阻尺寸相同且其形状中心在碳化硅微结构上同一轴向位置,并且沿着横向呈现垂直分布;针对此高掺杂碳化硅微结构,搭建受压电阻变化测试平台,通过粘贴固定以及导线连接,实现实验室级低成本的碳化硅微结构受压电阻变化测试;本发明可以从实验的角度,定性及定量地研究不同掺杂类型及浓度下的碳化硅外延层受压后的电阻变化特征。

    一种光纤黑体腔温度传感系统及其制作方法

    公开(公告)号:CN118980442A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411072904.5

    申请日:2024-08-06

    Abstract: 本发明公开了一种光纤黑体腔温度传感系统的制作方法,属于光纤黑体腔温度传感技术领域。本方法包括以下步骤:使用化学镀膜法制作光纤黑体探头,将所述光纤黑体探头的探头端采用3D打印埋入涡轮定子中;构建与所述光纤黑体探头的光纤端连接的微弱光信号处理一体化集成电路并将其整体封装;所述微弱光信号处理一体化集成电路将电信号传输至单片机,得到光纤黑体腔温度传感系统。本发明攻克了国外对极端环境传感领域的技术封锁,为严苛工况下的无扰流温度监测带来了新的方案和尝试。为航空发动机的研制节约仿真、试验等成本,提升发动机研制速率,促进发动机技术发展。

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