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公开(公告)号：CN102782324B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201080051330.3
申请日：2010-11-12
申请人： 法国原子能与替代能委员会
CPC分类号： F04B43/046 , A61M5/14586 , B81B2201/036 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0167 , B81C2201/019 , F04B43/02 , F04B43/043 , F05C2203/02 , F05C2203/06 , Y10T29/494
摘要： 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。
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公开(公告)号：CN105392093A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510875602.6
申请日：2015-12-03
申请人： 瑞声声学科技(深圳)有限公司
CPC分类号： H04R31/003 , B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2207/021 , H04R31/00
摘要： 本发明提供了一种麦克风芯片的制造方法，其包括：S1：提供第一衬底，两侧分别沉积绝缘氧化层；S2：在绝缘氧化层上分别沉积器件层；S3：在器件层上分别沉积四乙氧基硅烷基氧化物层；S4：刻蚀四乙氧基硅烷基氧化物层以暴露器件层，并移除第二表面上的四乙氧基硅烷基氧化物层；S5：图案化第一衬底的各沉积层；S6：提供第二衬底，第二衬底包括基底、氧化物层和单晶硅层；S7：在基底及其单晶硅层上分别沉积氧化物层；S8：刻蚀并图案化该氧化物层；S9：释放背板；S10：通过第一衬底的四乙氧基硅烷基氧化物层与第二衬底的氧化物层的室温熔接实现了第一衬底与第二衬底的结合；S11：刻蚀第二衬底以形成背腔；S12：刻蚀第一衬底以释放振膜，得到麦克风芯片。
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公开(公告)号：CN105371878A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
申请人： 歌尔声学股份有限公司
IPC分类号： G01D5/241
CPC分类号： G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
摘要： 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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公开(公告)号：CN102183335B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110061167.5
申请日：2011-03-15
申请人： 迈尔森电子(天津)有限公司
发明人： 柳连俊
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , G01L9/0073
摘要： 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面侧设置有电容式压力传感单元的感应薄膜、电连线层和第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，所述第二衬底包括相对的第三表面和第四表面，在所述第三表面侧设置有导体间介质层、位于导体间介质层中的导体连线层和第二衬底表面的第二粘合层；其中，第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。
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公开(公告)号：CN102408092B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110275216.5
申请日：2011-09-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00626 , B81B3/0021 , B81B2203/0109 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C2201/0116
摘要： 描述并描绘了涉及半导体制造和具有半导体结构的半导体器件的实施例。本发明涉及一种方法，其包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。
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公开(公告)号：CN102482072B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080038090.3
申请日：2010-08-05
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 阿伦·A·盖斯贝格尔
CPC分类号： G01P15/0802 , B81C1/00182 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/082
摘要： 具有应力隔离的MEMS器件(20)包括形成在第一结构层(24)中的元件(28、30、32)和形成在第二结构层(26)中的元件(68、70)，其中层(26)与第一结构层(24)隔开。制造方法(80)涉及在层(24、26)之间形成(92、94、104)连接件(72、74)。连接件(72、74)将第一层(24)的对应的元件(30、32)与第二层(26)的元件(68、70)连接。制造方法(80)还涉及从下面的衬底(22)释放结构层(24、26)，使得所有元件(30、32、68、70)都被悬置在MEMS器件(20)的衬底(22)上方，其中元件(30、32、68、70)与衬底(22)的附接仅发生在衬底(22)的中心区域处(46)。
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公开(公告)号：CN102798974B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210163617.6
申请日：2012-05-22
申请人： 皮克斯特隆尼斯有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/045 , B81C2203/054 , G02B26/02
摘要： 本发明提供显示装置及其制造方法，其目的在于不增加制造工序地形成耐油性高的凸块。以包围第三上表面(68)的方式形成有贯穿树脂层(50)的切槽(76)。膜(52)形成为，在切槽(76)的内侧覆盖除了树脂层(50)的底面以外的整体且在切槽(76)的外侧使树脂层(50)的至少一部分露出。在切槽(76)的内侧残留被膜(52)整体覆盖的树脂层(50)，在切槽(76)的外侧除去与相对于膜(52)的露出面连续的树脂层(50)的整体。在切槽(76)的内侧由树脂层(50)及膜(52)形成凸块(48)，在切槽(76)的外侧以从第一基板(10)浮起的状态由膜(52)形成光闸(14)和驱动部(40)的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102951601A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210291267.1
申请日：2012-08-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： J·克拉森 , J·莱茵穆特 , S·京特 , P·布斯蒂安-托多罗娃
CPC分类号： G01C19/5783 , B81B2201/025 , B81C1/00182 , G01P15/0802 , G01P2015/0882
摘要： 本发明提供一种用于制造微机械结构的方法和一种微机械结构。该微机械结构包括：由第一材料制成的第一微机械功能层（3），它具有被掩埋的、具有第一端部（E1）和第二端部（E2）的通道（6'）；在第二微机械功能层（11）中的具有封罩（12，13）的微机械传感器结构（S1，S2），该第二微机械功能层设置在第一微机械功能层（3）之上；在第二微机械功能层（11）中的边缘区域（R），该边缘区域（R）包围传感器结构（S1，S2）并且定义包含传感器结构（S1，S2）的内侧（RI）和背离传感器结构（S1，S2）的外侧（RA）；其中，第一端部（E1）位于所述外侧（RA）并且第二端部（E2）位于所述内侧（RI）。
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公开(公告)号：CN102792715A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201080036868.7
申请日：2010-08-27
申请人： 美国亚德诺半导体公司
IPC分类号： H04R19/00
CPC分类号： H04R19/04 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , B81C2201/0194 , H04R19/005 , H04R2201/003 , Y10T29/43 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
摘要： 一种双背板MEMS麦克风系统包括夹在两个单晶硅背板之间的柔性膜片。可以通过下述方式来形成这样的MEMS麦克风系统：在独立的晶片中制造每一个背板；以及然后将一个背板从其晶片向另一个晶片转移，使得与膜片形成两个分离的电容器。
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公开(公告)号：CN102183335A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110061167.5
申请日：2011-03-15
申请人： 迈尔森电子(天津)有限公司
发明人： 柳连俊
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , G01L9/0073
摘要： 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，具有电容式压力传感单元的感应薄膜、电连线层和第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，具有导体间介质层、位于导体间介质层中的导体连线层和/或第二衬底表面的第二粘合层；其中，第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。电容式压力传感单元包括感应薄膜、参考压力腔和固定电极，参考压力腔位于感应薄膜与第二衬底之间，固定电极位于参考压力腔中；述第一衬底的背面具有开口，该开口将感应薄膜暴露于大气中。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。
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